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一种负电压产生电路制造技术

技术编号:8123810 阅读:250 留言:0更新日期:2012-12-22 14:25
本实用新型专利技术技术涉及一种负电压产生电路。一种利用DC-DC降压电路储能电感的自感应电压的低成本负电压产生电路,在原有DC-DC降压电路具有开关晶体管和储能电感的情况下,只需要增加一个并联型稳压模块即可产生负电压,这样节省了零件,节约了成本,降低了电路的复杂性。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术技术涉及一种负电压产生电路
技术介绍
现有的负电压产生电路必须有单独的电荷泵电路或变压器绕组提供,电路复杂,成本较高,而一般使用负电压的场合负载电流要求不大,更是增加了材料成本的浪费。
技术实现思路
有鉴于此,为了解决上述问题,本新型提供一种低成本负电压产生电路,能有效克服上述缺陷。为实现上述目的,本技术采用如下技术方案一种利用DC-DC降压电路储能电感的自感应电压的低成本负电压产生电路,在原有DC-DC降压电路具有开关晶体管和储能电感的情况下,只需要增加一个并联型稳压模块即可产生负电压,这样节省了零件,节约了成本,降低了电路的复杂性。—种负电压产生电路,所述负电压产生电路控制模块CTl与晶体管Ql, Rl, R2相连;电源Vin,晶体管Ql,电感LI和电容C2依次相连并接地;电源Vin和电容Cl相连并接地;晶体管Ql,二极管Dl,电容C3依次相连并接地;电感LI,Rl,R2依次连接并接地;并联式稳压模块CT2与电容C3并联并接地。上述电路工作时,所述电感LI和电容C2之间的节点和地之间不可空载。所述晶体管Ql可为NPN型晶体管、PNP型晶体管、N型沟道场效应管、P型沟道场效应管任何一种。采用上述技术方案后,该电路和传统的负电压产生电路相比节省了零件,节约了成本,降低了电路的复杂性。附图说明图I是本技术的实施例I的电路原理图。图2是本技术的实施例2的电路原理图。图3是本技术的实施例3的电路原理图。图4是本技术的实施例4的电路原理图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。实施例一参考图1,电路连接关系如图I所示。本技术控制模块CTl控制开关晶体管Ql的开关,晶体管Ql为NPN三极管。当晶体管Ql开通时,电源Vin向电感LI和电容C2充电,当晶体管Ql关断时,电容C2向接在Vout+和地GND之间的外部负载放电,而电感LI通过二极管D1、稳压模块CT2、电容C3及电容C2和外部负载放电,放电过程中电感LI的A端通过二极管Dl将B端的电位拉低,从而产生负电压。电阻Rl和电阻R2为Vout+与地GND之间的电压采样电路,该采样电路取得的输出电源电压反馈信号反馈至控制模块CTl,控制模块CTl只控制Vout+与地GND之间输出部分的电压,Vout-与地GND之间输出部分电压由并联式稳压模块CT2控制。该电路正常工作的前提是Vout+与地GND之间不可空载。否则Vout-与地GND之间将无负电压输出或者输出达不到需求。Vout-对地的输出功率大约是Vout+对地输出功率的二分之一。实施例二参考图2,与实施例一相比,实施例二的区别在于晶体管Ql为PNP三极管。实施例三·参考图3,与实施例一相比,实施例三的区别在于晶体管Ql为N沟道场效应管。实施例四参考图4,与实施例一相比,实施例四的区别在于晶体管Ql为P沟道场效应管。以上所述,仅为本技术较佳的具体实施方式,但本技术的保护范围并不局限于此,任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此,本技术的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种负电压产生电路,其特征在于:所述负电压产生电路控制模块CT1与晶体管Q1,R1,R2相连;电源Vin,晶体管Q1,电感L1和电容C2依次相连并接地;电源Vin和电容C1相连并接地;晶体管Q1,二极管D1,电容C3依次相连并接地;电感L1,R1,R2依次连接并接地;并联式稳压模块CT2与电容C3并联并接地。

【技术特征摘要】
1.ー种负电压产生电路,其特征在于所述负电压产生电路控制模块CTl与晶体管Q1,Rl,R2相连;电源Vin,晶体管Ql,电感LI和电容C2依次相连并接地;电源Vin和电容Cl相连并接地;晶体管Ql,ニ极管Dl,电容C3依次相连并接地;电感L1,R1,R2依次连接并接地;并联式稳...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢渊斌
申请(专利权)人:谢渊斌
类型:实用新型
国别省市:

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