复合式压力传感器制造技术

一种复合式压力传感器包括：基底，所述基底具有CMOS控制电路，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构、第二互连结构与所述CMOS控制电路电连接；位于所述基底上的电容式压力传感器，与所述第一互连结构电连接；位于所述电容式压力传感器上的电阻式压力传感器，所述电阻式压力传感器与所述第二互连结构电连接，所述电容式压力传感器和电阻式压力传感器之间为第一介质层；位于所述电阻式压力传感器上的具有开口的第二介质层，所述开口定义出压力感应区的位置。本技术方案的压力传感器相对于现有技术单一模式的压力传感器可以提高压力感测的精度，扩大压力感测的范围。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微机电领域，尤其涉及复合式压力传感器。
技术介绍
微机电系统(Microelectro Mechanical Systems,简称MEMS)是在微电子技术基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究领域，是一种采用半 导体工艺制造微型机电器件的技术。与传统机电器件相比，MEMS器件在耐高温、小体积、低功耗方面具有十分明显的优势。经过几十年的发展，已成为世界瞩目的重大科技领域之一，它涉及电子、机械、材料、物理学、化学、生物学、医学等多种学科与技术，具有广阔的应用前景。压力传感器是一种将压力信号转换为电信号的换能器。根据工作原理的不同分为电阻式压力传感器和电容式压力传感器。电容式压力传感器的原理为通过压力改变顶部电极和底部电极之间的电容，以此来测量压力。电阻式压力传感器的工作原理为把压力转换为电阻值变化，以此来测量压力。现有技术中，电容式压力传感器和电阻式压力传感器均单独使用，即使用单一模式的压力传感器，而单一模式的压力传感器存在压力测试范围及测试精度的限制。另外，现有技术的压力传感器的制造方法有些与CMOS工艺不能兼容，有些与CMOS工艺的兼容度低。例如2003年11月5日授权公告本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合式压力传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底具有CMOS控制电路，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构、第二互连结构与所述CMOS控制电路电连接；位于所述基底上的电容式压力传感器，与所述第一互连结构电连接；位于所述电容式压力传感器上的电阻式压力传感器，所述电阻式压力传感器与所述第二互连结构电连接，所述电容式压力传感器和电阻式压力传感器之间为第一介质层；位于所述电阻式压力传感器上的具有开口的第二介质层，所述开口定义出压力感应区的位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王志玮，唐德明，
申请(专利权)人：上海丽恒光微电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：