【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种直拉法单晶硅生产用石英坩埚。
技术介绍
半导体材料是半导体工业的基础材料，当今95%以上的半导体器件是用硅材料制造的，99%以上的集成电路是硅集成电路，生产集成电路所需要的原料是单晶硅，其中用直拉法生产的单晶硅占了总数的约85%。直拉法生产单晶硅时需要将块状的高纯度多晶硅置于石英坩埚内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化，然而融化的硅熔体会与石英坩埚内壁产生化学反应，对石英坩埚内壁产生侵蚀，影响石英坩埚的在高温下的强度，同时也降低了单晶硅晶体的晶格完整性。本
技术实现思路
本技术的目的就是提供一种不会被熔融的硅熔体侵蚀、高温下具有高强度并改善硅晶体晶格的完美性的石英坩埚。本技术所采用的技术方案如下一种直拉法单晶硅生产用石英坩埚，包括石英坩埚本体，本体内壁具有保护涂层。所述石英坩埚的埚体内壁的保护涂层为碳酸钡涂层。所述石英坩埚的埚体内壁的保护涂层的厚度为I至3微米。本技术内壁的碳酸钡涂层可与硅产生化学反应，生成性质稳定的硅酸钡，硅酸钡附着在石英坩埚的内壁，不会与高温硅熔体产生化学反应，所以在单晶硅的生产过程中，石英坩埚的内壁不会被高温硅熔体侵蚀，高温...
【技术保护点】
一种直拉法单晶硅生产用石英坩埚，包括石英坩埚本体，其特征在于：所述本体内壁具有保护涂层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张勇，
申请(专利权)人：安徽中科太阳能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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