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直拉法单晶硅生产用石英坩埚制造技术
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文档序号:8035114
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本实用新型涉及直拉法单晶硅生产用石英坩埚,包括石英坩埚本体,本体内壁具有保护涂层,所述石英坩埚的埚体内壁的保护涂层为碳酸钡涂层,所述内壁的保护涂层的厚度为1至3微米。本实用新型内壁的碳酸钡涂层可与硅产生化学反应,生成性质稳定的硅酸钡,硅酸钡...
该专利属于安徽中科太阳能有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽中科太阳能有限公司授权不得商用。
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