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多层光记录介质制造技术

技术编号:7999297 阅读:198 留言:0更新日期:2012-11-23 10:27
[目的]对于包括能够反射入射光的N(N≥5)个界面的多层光记录介质,防止由于在实际中成为问题的杂散光引起的多重干涉。[解决手段]如果选自N个界面中的M(M≤N)个界面中的每一个被定义为Li(i=0、1、……、M,其中,假定随着i值变小,当从作为光入射表面的最顶层表面观察时,其中形成有所述界面的层变低)并且设定j

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包括N (N ( 5)个能够反射入射光的界面的多层光记录介质
技术介绍
例如,诸如⑶(光盘)、DVD (数字通用盘)和BD (蓝光盘注册商标)的光记录介质被广泛应用。在这种光记录介质中包括记录膜的可记录光记录介质中,提供了许多记录膜以增加记录容量。具体地,近年来,包括三层以上记录膜的多层光记录介质被开发出来。然而,在这种多层光记录介质的情况中,会生成所谓的内层杂散光而且多重干涉也成为问题。这里,多重干涉意为,在多层光记录介质中,在能够反射入射光的界面上被反射一次或多次的两个不同的光波相互干涉,造成了探测器上光强的改变。这在通过包括非 记录区域的界面时也会发生。当然,期望防止这种多重干涉的发生以防止再生性能被降低。专利文献I :日本专利申请特开第2010-009685号
技术实现思路
本专利技术所解决问题这里,例如,对于包括三个记录膜的三层光记录介质,可以通过设定每个形成于记录膜之间的间隔件(spacer)的厚度互不相同来防止多重干涉的发生。可理解,通过设定这样一种情况,其中记录膜LO到记录膜LI (L0是在最底层中的记录膜)之间的间隔件的厚度与记录膜LI到L2之间的间隔件的厚度相同的三层光记录介质中,记录膜LO被再生。即,在这种情况下,在记录膜LO上被聚集和反射的光(再生光被干涉光)的光路长度与按记录膜LI —记录膜L2 (下表面侧)一记录膜LI的顺序反射的光(杂散光)的光路长度相同,由此光在探测器上彼此干涉并发生多重干涉。因此,在三层光记录介质的情况下,如上所述通过设定每个形成于记录膜之间的间隔件的厚度互不相同,可以设定被干涉光和杂散光的光路长度互不相同。因此,可防止多重干涉的发生。然而,对于增加了层数量的光记录介质,即,包括四层以上记录膜的多层光记录介质,仅通过简单地设定间隔件的厚度互不相同,是不可能防止多重干涉的发生的。鉴于上述观点提出本专利技术,且本专利技术的一个目的是防止包括N (N彡5)个能够反射入射光的界面的多层光记录介质的再生性能由于多重干涉而被降低。解决问题的手段因此,在本专利技术中,多层光记录介质被设定为配置如下。具体地,根据本专利技术的多层光记录介质是包括能够反射入射光的N(N ^ 5)个界面的多层光记录介质,如果选自N个界面中的M(M< N)个界面中的每一个被定义为Li(i=0、I、……、M,其中,假定随着i值变小,当从作为光入射表面的最顶层表面观察时,其中形成有界面的层变低)并且设定j〈k ( l<m ( M,当以界面Lj为目标将具有波长λ的光聚集至具有数值孔径NA的物镜时,对于由于经由Lk (或LI) — Lm — LI (或Lk)的三次反射而引起杂散光的界面Lk、界面Lm和界面LI,以及界面Lj,该多层光记录介质满足以下条件形成于界面Lj和界面Lk之间的间隔件的厚度的总和Sgk与形成于界面LI和界面Lm之间的间隔件的厚度的总和Sl5m的差|Sgk-S1$m|大于η λ/NA2 (η是间隔件的折射率)。这里,可引起多重干涉的杂散光是与在作为再生目标的界面(界面Lj)上被聚集和反射的光(被干涉光)类似地返回至设备侧的光,而因此,是被反射奇数次的杂散光。在这时,在包括能够反射入射光的N (N > 5)个界面的多层光记录介质中,可生成被反射5次以上的杂散光作为被反射奇数次的杂散光。由于被反射5次以上的杂散光的光强在界面上每次反射都被衰减,因此其可被认为不是引起在实际中成为问题的多重干涉的杂散光。进一步地,在所述杂散光中,在形成于作为再生目标的界面下层侧的界面上被反射的光总是具有大于被干涉光的光路长度,因此这样的杂散光也可以被排除出可引起在实际中成为问题的多重干涉的杂散光。在本专利技术中,基于以上各点,如上所述,对于由于经由Lk (或LI) —Lm —LI (或Lk)的三次反射而引起杂散光(在作为再生目标的界面Lj的上层侧上被反射三次的杂散光)的界面Lk、界面Lm和界面LI,以及界面Lj,设定满足以下条件形成于界面Lj和界面Lk之间的间隔件的厚度的总和Sgk与形成于界面LI和界面Lm之间的间隔件的厚度的总和S1Sni的差|Sj$k-S1$IJ大于η λ/NA2 (S卩,在记录介质中被物镜聚集的光的焦深)。S卩,被干涉光穿过的间隔件的厚度与被反射三次的杂散光(可引起在实际中成为问题的多重干涉的杂散光)穿过的间隔件的厚度之间的差被设定为大于焦深η λ /NA2。这里,如果被干涉光穿过的间隔件的厚度与被反射三次的杂散光穿过的间隔件的厚度之间的差等于或小于焦深η λ /NA2,则被干涉光和干涉光(被反射三次的光)在探测器上的展开可被认为几乎相同,并且进一步地,每单位面积的振幅强度并未被降低。因此将引起在实际中成为问题的多重干涉。鉴于此,如上所述,通过设定被干涉光穿过的间隔件的厚度与被反射三次的杂散光(可引起在实际中成为问题的多重干涉的杂散光)穿过的间隔件的厚度之间的差大于焦深η λ/NA2,可以降低在探测器上的被反射三次的杂散光的单位面积的振幅强度并且防止在实际中成为问题的多重干涉的发生。专利技术效果如上所述,根据本专利技术,在包括能够反射入射光的N (N > 5)个界面的多层光记录介质中,可以有效地防止在实际中成为问题的多重干涉的发生。附图说明示出根据实施方式的多层光记录介质的截面结构的图。用于描述根据实施方式的多层光记录介质的伺服控制的示例的图。示出用于进行根据实施方式的多层光记录介质的记录/再生的光系统的概要的图。用于讨论用于防止在实际中成为问题的多重干涉发生的条件的图。示出根据实施方式的多层光记录介质中的间隔件的厚度的设定示例以及对于作为再生目标的每个记录膜由于干涉产生的光强变化的模拟结果的图。示出不满足如实施方式的条件的多层光记录介质中的间隔件的厚度的设定示例以及对于作为再生目标的每个记录膜由于干涉产生的光强变化的模拟结果的图。示出作为变形例的多层光记录介质的截面结构的图。具体实施例方式下文中,将描述实现本专利技术的最好方式(下文中,被称为实施方式)。应注意,将按以下顺序进行描述。〈I.多层光记录介质的截面结构和记录/再生〉〈2.用于防止多重干涉的间隔件的厚度的设定〉 <3.变形例 >〈I.多层光记录介质的截面结构和记录/再生〉图I是示出作为本专利技术实施方式的多层光记录介质(被称为多层光记录介质I)的截面结构的图。根据该实施方式的多层光记录介质I是盘状光记录介质。被旋转驱动的多层光记录介质I被激光照射用于标记记录(信息记录),进一步地,被旋转驱动的多层光记录介质被激光照射,也用于再生记录信息。应注意,光记录介质是通过激光照射进行记录信息的记录/再生的记录介质的统称。如图I所示,在体记录介质I中,从上层侧起以描述的顺序形成覆盖层2和选择性反射膜3。进一步地,在下层侧,形成具有间隔件4和记录膜Lrc被重复层叠的这样的结构的记录层。在其下层侧,形成基板5。这里,在本说明中,“上层侧”意为作为用于信息的记录/再生的光被输入至其上的表面的上层侧被设为上表面。在多层光记录介质I中,覆盖层2是由例如聚碳酸酯或丙烯酸树脂制成的。如图中所示,在下层侧上,作为用于引导记录/再生位置的位置引导元件,引导槽被通过凹槽、凹坑行等构造形成以使下表面侧在横截面上具有凹凸形状。以螺旋或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:坂本哲洋宫本浩孝中野淳保田宏一
申请(专利权)人:索尼公司
类型:发明
国别省市:

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