高性能低成本IGBT 负压自举驱动电路制造技术

高性能低成本IGBT负压自举驱动电路，包括直流电源、下臂光耦、栅极电阻R3、下臂绝缘栅双极型晶体管Q2、负压电容C4和稳压二极管D5；上臂快恢复二极管D1、上臂光耦、自举电容、栅极电阻R1、上臂绝缘栅双极型晶体管Q1、负压电容C3和稳压二极管D2。改进处为：上臂Q1的栅极和发射极间增设一支路,一端与Q1发射极相连，另一端连在上臂光耦输出脚到Q1栅极间的电路上；该支路有稳压二极管D6和反向串联的快恢复二极管D7。Q1开通时，栅极-发射极间电压是IGBT的最佳驱动电压，Q1关断时是负压，因此可以可靠地关断Q1。本发明专利技术解决了现有IGBT负压自举电路不能实现充电，上臂IGBT不能可靠关断，在大负载时出现烧毁设备的问题。设计参数合理，损耗小。节省了独立电源数目，使成本降低。用于驱动电机、逆变上网和变频器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动电路。主要用于驱动电机、逆变上网和变频器。属直流和交流的转换电源类(H02M)，脉冲技术类(H03K )。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(即IGBT)兼具电力场效应晶体管(MOSFET)和电力晶体管(BJT)的特点，使之在电力电子系统中得到了广泛的应用，特别是在变频技术行业。IGBT的使用关键在于设计合适的驱动电路。在变频器中，IGBT的驱动电路按驱动电源分类，大致可分为两类1)第I类是每个桥臂中上臂IGBT均采用一个独立低压直流电源(属控制回路供电电源)见图1，三相三 个桥臂共六个IGBT，需设四个独立直流电源A。图I中Q1为上臂IGBLL1为上臂IGBT驱动光耦，Cln、C2n为上臂滤波电容；Q2为下臂IGBT，L2为下臂驱动光耦，C5、C6为下臂滤波电容。M为电机负载。2)第2类是采用自举的方式，只需提供一个独立低压直流电源。见图2，三相三个桥臂共六个IGBT，只需设一个独立低压直流电源A，而每个上臂则由自举电容Cl作为电源，同时并联电容C2。显然相比于独立驱动电源的方式自举驱动方式可以减少驱动电源的数目，从而大大地节省制造成本文档来自技高网...

【技术保护点】
高性能低成本IGBT负压自举驱动电路，包括:1)设如下组成的下臂驱动电路：独立低压直流电源A、下臂驱动光耦L2、滤波电容C5、滤波电容C6、栅极电阻R3、限流电阻R2、绝缘栅双极型晶体管Q2和续流二极管D4、负压电容C4、稳压二极管D5；2)设如下组成的上臂驱动电路：与独立低压直流电源A连接的快恢复二极管D1、上臂驱动光耦L1、自举电容C1、电容C2、栅极电阻R1、绝缘栅双极型晶体管Q1和续流二极管D3、负压电容C3、稳压二极管D2；其特征是：上臂绝缘栅双极型晶体管Q1的栅极和发射极之间增设一支路,该支路一端N与Q1发射极相连，另外一端连在上臂光耦输出端V0到Q1的栅极之间的电路上，另外一端分...

【技术特征摘要】
1.高性能低成本IGBT负压自举驱动电路，包括 1)设如下组成的下臂驱动电路独立低压直流电源A、下臂驱动光耦L2、滤波电容C5、滤波电容C6、栅极电阻R3、限流电阻R2、绝缘栅双极型晶体管Q2和续流二极管D4、负压电容C4、稳压二极管D5 ； 2)设如下组成的上臂驱动电路与独立低压直流电源A连接的快恢复二极管D1、上臂驱动光耦Lp自举电容Cl、电容C2、栅极电阻R1、绝缘栅双极型晶体管Q1和续流二极管D3、负压电容C3、稳压二极管D2 ； 其特征是 上臂绝缘栅双极型晶体管Q1的栅极和发射极之间增设一支路，该支路一端”与％发射极相连，另外一端连在上臂光耦输出端VO到Q1的栅极之间的电路上，另外一端分别取为光耦输出端VO与Q1的栅极电阻Rl之间的位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋小春，
申请(专利权)人：成都中大华瑞科技有限公司，
类型：发明
国别省市：