一种多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置，该装置包括炬电源、引弧电源、反应气体供给系统、抽气系统、冷却水系统、真空反应室、多个等离子体炬和设于各等离子体炬正下方的各水冷基底支撑台；各等离子体炬分别固定在真空反应室上部盖板上，各等离子体炬阳极位于真空反应室内部，与各水冷基底支撑台相对；炬电源和引弧电源，分别与各等离子体炬相连；气体供给系统分别与各等离子体炬相连；抽气系统和真空反应室相连；冷却水系统分别与各水冷工作台、罗茨泵、各等离子体炬和真空反应室的水冷夹层壁相连。本实用新型专利技术采用多炬等离子体喷射CVD法，单台设备能同时进行多块超硬膜沉积、显著降低制膜成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化学气相沉积功能材料
，具体涉及一种多炬等离子体喷射化学气相沉积法沉积超硬膜的装置。
技术介绍
在金刚石及其他超硬膜(立方氮化硼、氮化碳等)的沉积方法中，化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition简称CVD)是一种重要的方法。CVD技术主要包含热丝化学气相沉积法(HFCVD)、等离子体喷射化学气相沉积(PJCVD)及微波化学气相沉积法(MPCVD)等。HFCVD沉积超硬膜面积较大，沉积速率较低，膜质量较低，一般限于工具涂层或耐磨部件涂层等机械领域的应用；MPCVD沉积超硬膜无电极污染，膜质量高，但沉积速率较低，成本高，目前主要用于光学、热学、电子器件及半导体领域应用；PJCVD沉积超硬膜质量高、 速率快，相比前两种方法，具有明显的工业化应用前景。PJCVD主要包括直流电弧等离子体喷射化学气相沉积(DC arc plasma jetCVD )、射频等离子体喷射化学气相沉积(Rf-PCVD )、微波等离子体喷射化学气相沉积(MPjet CVD)等。以直流电弧等离子体喷射法为例，参见北京科技大学吕反修等论文“大面积高光学质量金刚石自支撑膜的制备”(《本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置，包括炬电源、引弧电源、气体供给系统、抽气系统、冷却水系统、真空反应室、设于真空反应室内的水冷基底支撑台和设于水冷基底支撑台正上方的离子体炬；所述等离子体炬固定在真空反应室上部盖板上，等离子体炬的阳极位于真空反应室内部，与下方的水冷基底支撑台相对；所述炬电源和引弧电源分别与等离子体炬相连；所述气体供给系统和抽气系统分别与等离子体炬和真空反应室相连；所述冷却水系统分别与水冷基底支撑台、等离子体炬和真空反应室的水冷夹层壁相连；其特征在于：所述等离子体炬为多个；所述多个等离子体炬并联接入炬电源和引弧电源；所述气体供给系统分别与各等离子体炬相连；所述抽气系统...

【技术特征摘要】
1.一种多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置，包括炬电源、引弧电源、气体供给系统、抽气系统、冷却水系统、真空反应室、设于真空反应室内的水冷基底支撑台和设于水冷基底支撑台正上方的离子体炬；所述等离子体炬固定在真空反应室上部盖板上，等离子体炬的阳极位于真空反应室内部，与下方的水冷基底支撑台相对；所述炬电源和引弧电源分别与等离子体炬相连；所述气体供给系统和抽气系统分别与等离子体炬和真空反应室相连；所述冷却水系统分别与水冷基底支撑台、等离子体炬和真空反应室的水冷夹层壁相连；其特征在于所述等离子体炬为多个；所述多个等离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：相炳坤，李文帅，朱其豹，徐锋，左敦稳，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：实用新型
国别省市：