一种MOCVD反应器制造技术

本发明专利技术提供一种MOCVD反应器，包括炉盖、保护板、沉积区和衬托，炉盖下方是保护板，保护板下方是衬托，炉盖和保护板之间布置通有净化气体的管道，保护板和衬托之间布置从炉盖上方延伸的、通过生长气体的管道，其特征在于，在保护板的竖直方向设置一个或者多个吹扫气孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种气相沉积技术，更具体地，本专利技术涉及一种金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器。
技术介绍
金属有机化学气相沉积(MOCVD)将金属有机化合物作为源物质，利用气相反应物，或是前驱物和III族的有机金属和V族的NH3，在基材衬底表面进行反应，传到基材衬底表面固态沉积物。MOCVD广泛被关注与LED的兴起有关，在蓝光LED芯片的生长中，一般使用MOCVD反应系统作为生长工具。对于LED来说，LED芯片由不同半导体材料的多层次架构构成，这 些材料放在一个装入金属有机化学气相沉积系统的圆形芯片上。MOCVD对镀膜成分、晶相等品质容易控制，可在形状复杂的基材、衬底上形成均匀镀膜，使得MOCVD成为工业界主要的镀膜技术。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(IO-IOOTorr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-120(TC，用射频感应加热石墨衬托(衬底基片在石墨衬托上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。通常，被精确控制流量的反应源在载气(通常为H2或者N2)的携带下通入石英或者不锈钢的反应室，在衬底上发生表面反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOCVD反应器，包括炉盖、保护板、沉积区和衬托，炉盖下方是保护板，保护板下方是衬托，炉盖和保护板之间布置通有净化气体的管道，保护板和衬托之间布置从炉盖上方延伸的、通过生长气体的管道，其特征在于，在保护板的竖直方向设置一个或者多个吹扫气孔。

【技术特征摘要】
1.一种MOCVD反应器，包括炉盖、保护板、沉积区和衬托，炉盖下方是保护板，保护板下方是衬托，炉盖和保护板之间布置通有净化气体的管道，保护板和衬托之间布置从炉盖上方延伸的、通过生长气体的管道，其特征在于，在保护板的竖直方向设置一个或者多个吹扫气孔。2.根据权利要求I所述的反应器，其特征在于，该一个或者多个吹扫气孔不规则设置在保护板的生长气体进气口的周围；或者围绕该进气口环状等距排列。3.根据权利要求I所述的反应器，其特征在于，保护板片上的环形排列的吹扫气孔设置在气流上游靠近Wafer载盘处，通过吹扫气流吹扫作用形成具有较少沉积的放射状的区域。4.根据权利要求I所述的反应器，其特征在于，保护板采用多层的保护板，多层保护板片叠加，层与层之间留置空隙，供吹扫气体吹扫冷却。5.根据权利要求I所述的反应器，其特征在于，每层保护板片的厚度或者面积不同；或者保护板的层与层之间设置标准间距，供吹扫气体吹扫冷却。6.根据权利要求5所述的反应器，其特征在于，每一层的保护板的厚度为0.1-3_或者更薄，多层保护板叠加安置在反应炉中。7.根据权利要求I所述的反应器，其特征在于，保护板下设置石墨片的衬底，保护板和石墨之间布置通有净化气的管道。8.根据权利要求7所述的反应器，其特征在于，保护板片下设置小尺寸的镀SiC石墨片，石墨片与保护板片留有空隙，作为吹扫气孔供吹扫气流通过。9.根据权利要求8所述的反应器，其特征在于，在石墨衬底和保护板之间布置遮挡板。...

【专利技术属性】
技术研发人员：楼刚，
申请(专利权)人：广东量晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：