【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子元器件用触点领域，特别是涉及一种采用纯铜和银化合物的双复合触点。
技术介绍
触点是各种电子元器件中常用的元件，它体积虽小，但对其性能的要求很高，复合触点应用范围广泛且常常用到贵金属材料，一般采用手工铆接和自动铆接。目前市场上是用纯银的复合触点，但纯银强度低、硬度低、抗熔焊性及耐电弧烧损性能低，且用量大、价格昂贵，生产成本高，只能应用在无线电、通讯用微型开关及小电流电器等领域
技术实现思路
·本技术所要解决的技术问题是提供一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，采用了纯铜和银氧化锡氧化铟复合成型，材料强度、硬度高，抗材料转移性能良好。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，包括银化合物复合层和纯铜基体，所述的纯铜基体由头部和圆柱状脚部组成，所述的头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银化合物复合层复合于纯铜基体的头部一端并和头部形成半球形。所述的银化合物复合层的厚度为O. 2mm O. 6mm。所述的银化合物复合层是由银氧化锡氧化铟(AgSn02In203)组成。_7] 有益.效果本技术涉及提供一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，采用了纯铜和银氧化锡氧化铟材料复合成型，氧化物颗粒较细，材料强度、硬度较高，抗材料转移性能良好，t匕较适合应用在交直流继电器上。附图说明图I是本技术的结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例，进一步阐述本技术。应理解，这些实施例仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围。此外应理解，在阅读了本技术讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本技术作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所...
【技术保护点】
一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，包括银化合物复合层（1）和纯铜基体（2），其特征在于：所述的纯铜基体（2）由头部和圆柱状脚部组成，所述的头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银化合物复合层（1）复合于纯铜基体（2）的头部一端并和头部形成半球形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王海涛，
申请(专利权)人：宁波电工合金材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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