一种应变SiGe回型沟道NMOS集成器件及制备方法技术

本发明专利技术适用于NMOS集成器件，提供了一种应变SiGe回型沟道NMOS集成器件，及用微米级工艺制备所述应变SiGe回型沟道NMOS集成器件的制备方法，所述制备方法过程为：在衬底上连续生长Si外延层、第一应变SiGe轻掺杂源漏区（LDD）层、应变SiGe层、第二应变SiGe轻掺杂源漏区（LDD）层和N型Si层；利用化学汽相淀积（CVD）、干法刻蚀等工艺手段形成漏区、源区和漏连接区，最终形成NMOS器件；光刻引线，构成NMOS集成电路。本发明专利技术在不追加任何资金和设备投入的情况下，在低温下制造出了较体Si?NMOS性能提高的应变SiGe回型垂直沟道NMOS集成器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路
，尤其涉及一种用微米级集成电路工艺制备导电沟道长度为22 45nm的应变SiGe回型垂直沟道NMOS集成器件及制备方法。
技术介绍
集成电路产业对于现代经济和社会发展具有高倍增性和关联度。集成电路技术及其产业的发展，可以推动消费类电子工业、计算机工业、通信工业以及相关产业的发展，集成电路芯片作为传统产业智能化改造的核心，对于提升整体工业水平和推动国民经济与社会信息化发展意义重大。作为人类历史上发展最快、影响最大、应用最广泛的技术，集成 电路已成为衡量一个国家科学技术水平、综合国力和国防力量的重要标志。集成电路的技术性能、产业规模决定着一个国家现代工农业、国防装备和家庭电子类消费品的发展水平及国际竞争力，是现代经济发展的原动力。自1958年第一块硅集成电路诞生以来，集成电路的发展经历了集成度为IO2 IO3个元件的小/中规模集成到当今集成度达IO9 IO11个或以上元件的巨大规模集成的多个阶段，也促使硅材料逐渐成为半导体产业的主角。随着研究人员对采用硅材料制造集成电路的工艺技术不断的深入研究，致使硅工艺集成技术日趋成熟，其改进和创新不断推动着集成电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应变SiGe回型垂直沟道NMOS集成器件，其特征在于，所述器件的导电沟道为回型，且沟道方向与衬底表面垂直。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡辉勇，宣荣喜，张鹤鸣，宋建军，吕懿，王海栋，王斌，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：