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本发明适用于NMOS集成器件，提供了一种应变SiGe回型沟道NMOS集成器件，及用微米级工艺制备所述应变SiGe回型沟道NMOS集成器件的制备方法，所述制备方法过程为：在衬底上连续生长Si外延层、第一应变SiGe轻掺杂源漏区（LDD）层、应...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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