【技术实现步骤摘要】
本技术涉及真空泵清洗技术,具体地说是一种多级干式真空 泵的清洗装置。
技术介绍
随着半导体工业、电子工业的蓬勃兴起,对于真空环境的要求 越来越多、越来越严格。由于由普通的油封机械泵、扩散泵所组成的 真空系统易于向真空室中返油,真空室中的油分子会在硅片晶体上沉 积,使硅晶体成为废品。所以这样的真空系统在半导体工业、电子工 业中的应用受到了限制。相反,由于干式真空泵不需要润滑油来润滑 密封,做到了无油蒸汽污染,而且对被抽气体中含有的灰尘和水蒸气 不敏感。所以,由干式真空泵组成的真空系统得到了广泛的应用,并 在半导体工业、电子工业的发展过程中起到了推动的作用。由于在半导体工艺(特别是中等工艺、苛刻工艺,例如离子注入源、CVD(化学气相沉积)、PECVD (等离子体增强化学气相沉积) 等)中会产生大量的有毒以及腐蚀性气体(例如氨气、甲烷等),这 些气体通过干泵的腔体经排气口排出。由于这些气体对人体的毒害非 常大,对设备的腐蚀性也非常强,因此避免废气对干式真空泵的腐蚀, 将产生的废气进行稀释从而达到保护人体以及设备的安全,已成为亟 待解决的问题。
技术实现思路
为了解决干式真空 ...
【技术保护点】
一种多级干式真空泵的清洗装置,其特征在于:包括减压阀(1)、质量流量控制器(2)、电磁阀及气体管路(4),减压阀(1)的一端与气体输入端相连,另一端连接有质量流量控制器(2);气体管路(4)分为封闭独立的第一部分(10)及第二部分(11),质量流量控制器(2)的输出端分为两路、分别与气体管路(4)的第一、二部分(10、11)相连接;质量流量控制器(2)与气体管路(4)连接的每一路均设有电磁阀;气体管路(4)中的第一部分(10)与干式真空泵的一级腔体(A)相连接,第二部分(11)分别与干式真空泵的二~五腔体(B~E)连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王光玉,秦佰林,房伟,刘在行,
申请(专利权)人:中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司,
类型:实用新型
国别省市:89[中国|沈阳]
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