【技术实现步骤摘要】
包含处理流体泄漏回收结构的半导体处理装置方法
本专利技术涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及一种用于化学处理半导体晶圆表面，以及清洁、蚀刻及其它处理的装置。
技术介绍
晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产中需要制备的晶圆具有平整、超清洁的表面，而用于制备超清洁晶圆表面的现有方法可分为两种类别诸如浸没与喷射技术的湿法处理过程，及诸如基于化学气相与等离子技术的干法处理过程。其中湿法处理过程是现有技术采用较为广泛的方法，湿法处理过程通常包括采用适当化学溶液浸没或喷射晶圆之一连串步骤组成。 现有技术中包含一种采用湿法处理过程对晶圆进行超清洁处理的装置。该装置中形成有一可以紧密接收并处理半导体晶圆的微腔室，该微腔室可处于打开状态以供装载与移除半导体晶圆，也可处于关闭状态以用于半导体晶圆的处理，其中处理过程中可将化学制剂及其他流体引入所述微腔室。所述打开状态和关闭状态由该装置中包含的两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个工作面的相对移动来实现。但是在实际使用中发现，上述装置还存在以下缺点第一，所述装置中的由两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个...
【技术保护点】
一种包含处理流体泄漏回收结构的半导体处理装置，利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理，其特征在于，其包括：包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和/或所述下腔室部可在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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