本发明专利技术揭露了一种包含处理流体泄漏回收结构的半导体处理装置，所述半导体处理装置包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和/或所述下腔室部可在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，其中所述下腔室部包括形成所述下工作表面和/或下周边部分的下腔室板和容纳所述下腔室板的下盒装置，所述下盒装置包含一用于容纳所述下腔室板的无盖空腔，所述无盖空腔的下表面包含有导流凹槽，所述导流凹槽的出口位于所述下盒装置的下部或者侧面开口处。
【技术实现步骤摘要】
包含处理流体泄漏回收结构的半导体处理装置方法
本专利技术涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及一种用于化学处理半导体晶圆表面，以及清洁、蚀刻及其它处理的装置。
技术介绍
晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产中需要制备的晶圆具有平整、超清洁的表面，而用于制备超清洁晶圆表面的现有方法可分为两种类别诸如浸没与喷射技术的湿法处理过程，及诸如基于化学气相与等离子技术的干法处理过程。其中湿法处理过程是现有技术采用较为广泛的方法，湿法处理过程通常包括采用适当化学溶液浸没或喷射晶圆之一连串步骤组成。 现有技术中包含一种采用湿法处理过程对晶圆进行超清洁处理的装置。该装置中形成有一可以紧密接收并处理半导体晶圆的微腔室，该微腔室可处于打开状态以供装载与移除半导体晶圆，也可处于关闭状态以用于半导体晶圆的处理，其中处理过程中可将化学制剂及其他流体引入所述微腔室。所述打开状态和关闭状态由该装置中包含的两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个工作面的相对移动来实现。但是在实际使用中发现，上述装置还存在以下缺点第一，所述装置中的由两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个工作面的结构较为复杂，若采用一个驱动装置驱动所述微腔室的上工作面或者下工作面也可以达到同样效果；第二，对于不同尺寸的半导体晶圆，处理时需要更换相应的不同尺寸的微腔室组件，更换该微腔室组件时需要将整台机器拆开，十分不方便；第三，当微腔室密封不严或者流通化学制剂的管道发生化学制剂泄漏时，所述装置中相关的泄漏收集机制不够完善；第四，所述上、下两个工作面发生相对移动时依靠贯穿所述上、下两个工作表面的若干根金属立柱完成，所述立柱容易被化学处理过程中产生的高温和/或腐蚀性的气体所腐蚀而损坏。因此有必要提供一种新的解决方案来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种包含泄漏回收结构的半导体处理装置，所述半导体处理装置具有可收集泄漏的化学制剂的结构。根据本专利技术的目的，本专利技术提供一种包含处理流体泄漏回收结构的半导体处理装置，利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理，所述半导体处理装置包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和/或所述下腔室部可在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口，其中所述下腔室部包括形成所述下工作表面和/或下周边部分的下腔室板和容纳所述下腔室板的下盒装置，所述下盒装置包含一用于容纳所述下腔室板的无盖空腔，所述无盖空腔的表面包含有可导引流体最终流向同一方向的导流凹槽。进一步地，所述导流凹槽包括排布在所述无盖空腔的下表面的若干个倾斜角度和倾斜方式相同、互相并列的斜坡面。 进一步地，所述斜坡面的坡底位于所述侧面开口处，且所述斜坡面的坡底连通于所述导流凹槽的出口。进一步地，所述下腔室板包含一吻合与所述无盖空腔形状的下部和位于所述下部之上的上部，所述上部的上表面形成所述微腔室的下工作表面和/或下周边部分。进一步地，所述无盖空腔的侧面形成有开口，且所述无盖空腔对应于所述下腔室板的下部的矩形边形成有凹槽，所述下腔室板从所述侧面开口沿所述凹槽滑动进入或者移出所述无盖空腔。进一步地，所述半导体处理装置还包括一插件，所述插件的形状符合所述侧面开口的形状，当所述下腔室板装载进入所述无盖空腔后，通过将所述插件插入所述侧面开口固定所述下腔室板在所述无盖空腔内。进一步地，当可以移动的腔室部为上腔室部时，所述上腔室部上方还包括一驱动装置，当所述驱动装置产生向下的驱动力时，驱动所述上腔室部从打开位置向关闭位置移动；当所述流体驱动装置产生向上的驱动力时，驱动所述上腔室部从关闭位置向打开位置移动；当可以移动的腔室部为下腔室部时，所述下腔室部下方还包括一驱动装置，当所述驱动装置产生向上的驱动力时，驱动所述下腔室部从打开位置向关闭位置移动；当所述驱动装置产生向下的驱动力时，驱动所述下腔室部从关闭位置向打开位置移动。进一步地，所述流体驱动装置包括一驱动器和容纳所述驱动器的可伸缩空腔，所述驱动器为气动驱动器、电动驱动器、机械驱动器或者液压驱动器中的一种。进一步地，所述上腔室部和所述下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，其中一腔室部由贯穿所述柱位孔并垂直于所述工作表面的立柱所固定；另一腔室部由贯穿所述柱位孔并垂直于所述工作表面的立柱导引而相对于固定的腔室部移动。与现有技术相比，本专利技术采用的下盒装置的底面包含有导流凹槽，所述导流凹槽可以是若干个倾斜角度和倾斜方式相同、并列且宽度相同的斜坡面，可以有效收集泄漏的化学制剂或其他流体。附图说明结合参考附图及接下来的详细描述，本专利技术将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中图I为本专利技术中的半导体处理装置在一个实施例中的立体示意图；图2为本专利技术中的半导体处理装置在一个实施例中的正面示意图；图3为本专利技术中的底板在一个实施例中的俯视示意图4为本专利技术中的第一中间板在一个实施例中的立体示意图；图5为本专利技术中的第二中间板在一个实施例中的反面立体示意图；图6为本专利技术中的上板在一个实施例中的俯视示意图；图7为本专利技术中的下盒装置在一个实施例中的立体示意图；图8为本专利技术中的下腔室板在一个实施例中与所述下盒装置的组装示意图；图9为本专利技术中的插件在一个实施例中的反面立体示意图；图10为本专利技术中的上盒装置在一个实施例中的立体示意图； 图11为本专利技术中的上盒装置在一个实施例中的俯视示意图；图12为本专利技术中的隔板在一个实施例中的俯视不意图；图13为本专利技术中的立柱在一个实施例中的正视示意图；图14为本专利技术中的套筒在一个实施例中的剖面示意图；图15为本专利技术中的校正板在一个实施例中的仰视示意图；图16为本专利技术中的顶板在一个实施例中的立体示意图；和图17为本专利技术中采用平整校正模块进行平整校正时的工作示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。请参考图I和图2，其分别示出了本专利技术中的半导体处理装置在一个实施例100中的立体示意图和正面示意图。简单来讲，所述半导体处理装置100包括平整校正模块110、微腔室模块120、驱动模块130和立柱装置140。所述前三个模块中的各个组件由四根互相平行的立柱装置140所固定、支撑或导引，并沿所述立柱装置140由下往上分别为驱动模块130、微腔室模块120和平整校正模块110。其中微腔室模块120包括一处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括有上腔室板122和下腔室板126形成，所述上腔室板122由上盒装置124支撑，并由位于其上方的平整校正模块110固定于所述上盒装置124内；相应地，所述下腔室板126由下盒装置128支撑，下盒装置128又由位于其下方的驱动模块130支撑并驱动。所述驱动模块130可驱动所述下盒装置128依所述立柱装置1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种包含处理流体泄漏回收结构的半导体处理装置，利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理，其特征在于，其包括：包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和/或所述下腔室部可在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口，其中所述下腔室部包括形成所述下工作表面和/或下周边部分的下腔室板和容纳所述下腔室板的下盒装置，所述下盒装置包含一用于容纳所述下腔室板的无盖空腔，所述无盖空腔的表面包含有可导引流体最终流向同一方向的导流凹槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。