包含改进立柱结构的半导体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭露了一种包含改进立柱结构的半导体处理装置，所述半导体处理装置包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，其中所述立柱装置包括立柱和套接在所述立柱外表面的套筒，所述立柱采用金属或者合金制造，所述套筒采用耐高温、耐腐蚀性的材料制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及一种用于化学处理半导体晶圆表面，以及清洁、蚀刻
技术介绍
晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产中需要制备的晶圆具有平整、超清洁的表面，而用于制备超清洁晶圆表面的现有方法可分为两种类别诸如浸没与喷射技术的湿法处理过程，及诸如基于化学气相与等离子技术的干法处理过程。其中湿法处理过程是现有技术采用较为广泛的方法，湿法处理过程通常包括采用适当化学溶液浸没或喷射晶圆之一连串步骤组成。现有技术中包含一种采用湿法处理过程对晶圆进行超清洁处理的装置。该装置中形成有一可以紧密接收并处理半导体晶圆的微腔室，该微腔室可处于打开状态以供装载与移除半导体晶圆，也可处于关闭状态以用于半导体晶圆的处理，其中处理过程中可将化学制剂及其他流体引入所述微腔室。所述打开状态和关闭状态由该装置中包含的两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个工作面的相对移动来实现。但是在实际使用中发现，上述装置还存在以下缺点第一，所述装置中的由两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个工作面的结构较为复杂，若采用一个驱动装置驱动所述微腔室的上工作面或者下工作面也可以达到同样效果；第二，对于不同尺寸的半导体晶圆，处理时需要更换相应的不同尺寸的微腔室组件，更换该微腔室组件时需要将整台机器拆开，十分不方便；第三，当微腔室密封不严或者流通化学制剂的管道发生化学制剂泄露时，所述装置中相关的泄露收集机制不够完善；第四，所述上、下两个工作面发生相对移动时依靠贯穿所述上、下两个工作表面的若干根金属立柱完成，所述立柱容易被化学处理过程中产生的高温和/或腐蚀性的气体所腐蚀而损坏。因此有必要提供一种新的解决方案来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种包含改进立柱结构的半导体处理装置，所述半导体处理装置具有可更换、耐腐蚀和耐高温的立柱结构。根据本专利技术的目的，本专利技术提供一种包含改进立柱结构的半导体处理装置，利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理，所述半导体处理装置包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口，其中所述立柱装置包括立柱和套接在所述立柱外表面的套筒。进一步地，所述立柱包括若干段直径依次变大的圆柱形柱体，且所述若干段圆柱形柱体首尾相接并位于同一中心轴线上。进一步地，所述套筒的内表面紧密贴合于所述直径最大的圆柱型柱体的外表面。进一步地，所述圆柱形柱体不与直径较大的另一圆柱形柱体相接的一端包含有螺纹，利用匹配所述螺纹的螺帽可将包含柱位孔的组件夹持于所述螺帽和直径较大的另一圆柱形柱体之间。 进一步地，所述直径最大的圆柱形柱体不与直径较小的另一圆柱形柱体相接的一端还包括一膨胀部，所述膨胀部还包括位于所述柱体所在中轴线上的螺纹孔，利用匹配所述螺纹孔的螺丝可将包含小孔的组件夹持于所述螺丝和所述膨胀部之间。进一步地，所述立柱采用金属或者合金制造，所述套筒采用耐高温、耐腐蚀性的材料制造。进一步地，所述半导体处理装置还包括一平整校正装置，所述平整校正装置提供垂直于工作表面且指向微腔室内部的压力于不可以移动的腔室部。进一步地，所述不可以移动的腔室部包括一工作表面和与工作表面平行的受力面，所述工作表面和受力面之间包含有刚性材料，所述平整校正装置包括与不可移动腔室的受力面紧密贴合的校正板，在校正板的局部形成有可紧固校正板使校正板的一面与所述受力面紧密贴合的压力装置。进一步地，所述压力装置包括在所述校正板的四角形成的可紧固校正板使校正板与所述受力面紧密贴合的螺纹装置。进一步地，所述平整校正装置还包括相对于所述校正板平行、且与所述校正板部分固定的顶板，在所述顶板的非固定区域形成有若干不同位置的螺纹穿孔，对应于所述螺纹穿孔的螺丝可旋入所述螺纹穿孔而提供压力于所述校正板的另一面，所述压力的方向和大小依所述螺丝旋入的位置和长度不同而不同。与现有技术相比，本专利技术采用的立柱装置分为立柱和套筒两部分，所述立柱具有多级阶梯状的圆柱形柱体，非常方便于其他组件的固定和卡合；所述套筒选用合适的材料可以实现耐高温和耐腐蚀的特性，并且所述套筒在被磨损或者腐蚀后易于更换。附图说明结合参考附图及接下来的详细描述，本专利技术将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中图I为本专利技术中的半导体处理装置在一个实施例中的立体示意图；图2为本专利技术中的半导体处理装置在一个实施例中的正面示意图；图3为本专利技术中的底板在一个实施例中的俯视示意图；图4为本专利技术中的第一中间板在一个实施例中的立体示意图；图5为本专利技术中的第二中间板在一个实施例中的反面立体示意图6为本专利技术中的上板在一个实施例中的俯视示意图；图7为本专利技术中的下盒装置在一个实施例中的立体示意图；图8为本专利技术中的下腔室板在一个实施例中与所述下盒装置的组装示意图；图9为本专利技术中的插件在一个实施例中的反面立体示意图；图10为本专利技术中的上盒装置在一个实施例中的立体示意图； 图11为本专利技术中的上盒装置在一个实施例中的俯视示意图；图12为本专利技术中的隔板在一个实施例中的俯视不意图；图13为本专利技术中的立柱在一个实施例中的正视示意图；图14为本专利技术中的套筒在一个实施例中的剖面示意图；图15为本专利技术中的校正板在一个实施例中的仰视示意图；图16为本专利技术中的顶板在一个实施例中的立体示意图；和图17为本专利技术中采用平整校正模块进行平整校正时的工作示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。请参考图I和图2，其分别示出了本专利技术中的半导体处理装置在一个实施例100中的立体示意图和正面示意图。简单来讲，所述半导体处理装置100包括平整校正模块110、微腔室模块120、驱动模块130和立柱装置140。所述前三个模块中的各个组件由四根互相平行的立柱装置140所固定、支撑或导引，并沿所述立柱装置140由下往上分别为驱动模块130、微腔室模块120和平整校正模块110。其中微腔室模块120包括一处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括有上腔室板122和下腔室板126形成，所述上腔室板122由上盒装置124支撑，并由位于其上方的平整校正模块110固定于所述上盒装置124内；相应地，所述下腔室板126由下盒装置128支撑，下盒装置128又由位于其下方的驱动模块130支撑并驱动。所述驱动模块130可驱动所述下盒装置128依所述立柱装置140导引而相对于所述上盒装置124移动，以便当需要装载及移除半导体晶圆时能够打开或关闭上盒装置124和下盒装置128，也即能够打开或关闭上腔室板122和下腔室板126形成的微腔室。当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含改进立柱结构的半导体处理装置，利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理，其特征在于，其包括：包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口，其中所述立柱装置包括立柱和套接在所述立柱外表面的套筒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：