用于制造高效多晶硅硅片的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方法，该方法包括以下步骤：利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭，在多晶炉中进行多晶硅铸锭制备；将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块约为的长方体；对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测，并去除低少子寿命区；利用机械加工的方法，沿铸锭长晶方向截取硅锭；将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割，粘棒，并切片；最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。这种制备方法既能增大多晶硅片的晶粒尺寸，又能减小多晶硅片的缺陷密度，提高多晶硅片的质量，提升多晶硅电池片效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于多晶硅铸锭设备

技术介绍
太阳能是人类取之不尽，用之不竭的清洁能源，在使用过程中对环境不会造成任何污染。因此，太阳能的光电利用近几年得到了飞速发展，但和常规能源相比，其成本相对较高制约了太阳电池的发展。多晶硅片是目前太阳能电池行业最主要的两种衬底材料之一，多晶硅片由铸造制 得，具有产量高、成本低等特点，然而多晶硅电池片的转化效率较低。因此，如何改善多晶硅片的质量，从而提高多晶硅电池片的转化效率便成了一大问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种既能增大多晶硅片的晶粒尺寸，又能减小多晶娃片的缺陷密度，提闻多晶娃片的质量，提升多晶娃电池片效率的用于制造闻效多晶硅硅片的制备方法。本专利技术的目的是这样实现的 本专利技术，该方法包括以下步骤 ①、利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭，进行多晶硅铸锭制备。②、将该铸造完成后多晶娃徒切IllJ成多块长方体。③、对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测，并去除低少子寿命区。④、利用机械加工的方法，沿铸锭长晶方向截取硅锭。⑤、将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割，粘棒，并切片。⑥、最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。本专利技术具有以下优点 本专利技术将切方完成后的多晶铸锭沿铸锭长晶方向按一定长度进行截取，待硅锭粘棒、切割时旋转90°，即切片时，切割线切割方向平行于铸锭长晶方向，工艺简便易行所得硅片晶粒尺寸比传统切片工艺的大两倍以上，并且缺陷密度小，成本低、硅片质量高电池片绝对转换效率得到了明显提升。附图说明图I为本专利技术的切片工艺示意图。其中A为长晶方向，B为切割线切割方向。具体实施方式参见图1，本专利技术涉及一种，该方法包括以下步骤 ①、利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭，在多晶炉中的投料量为820Kg，进行多晶硅铸锭制备。②、将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块约为156. 1*156. l*360mm的长方体，共36块。③、对该36块多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测，并去除低少子寿命区。④、利用机械加工的方法，沿铸锭长晶方向截取长度约156. Imm的硅锭。⑤、将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割，粘棒，并切片。 ⑥、最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。所得硅片晶粒尺寸比传统切片工艺的大两倍以上，并且缺陷密度小。将传统切片工艺和使用本专利技术得到的多晶硅电池片电性能参数对比如下表 表I.两种多晶硅片制备方法所产硅片制造的电池片电性能对比 艺I转换效率I短路电流I开路电压I填充因子 传统制备工艺 16. 82 8. 407 0. 6203 78. 49 本专利技术制备工艺丨17. 09 |8. 500 |o. 6258 卜8. 20 — 通过对比，使用本方法后，电池片绝对转换效率得到了明显提升0. 27%;同时，短路电流和开路电压提升比较明显。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：①、利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭，进行多晶硅铸锭制备；②、将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块长方体；③、对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测，并去除低少子寿命区；④、利用机械加工的方法，沿铸锭长晶方向截取硅锭；⑤、将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割，粘棒，并切片；⑥、最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。

【技术特征摘要】
1.一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤①、利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭，进行多晶硅铸锭制备；②、将该铸造完成后多晶娃徒切割成多块长方体；③、对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓辉，黄东，孙海知，潘欢欢，宋江，邢国强，
申请(专利权)人：海润光伏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：