高压大功率三相整流桥制造技术

本实用新型专利技术涉及一种整流桥电路，尤其是一种高压大功率三相整流桥电路。本实用新型专利技术针对现有记得问题，提供一种高压大功率三相整流桥，采用陶基覆铜板工艺，减少工艺的复杂度且高压大功率三相整流桥生产成本低，可靠性较高。本技术方案通过陶基覆铜板上各个器件的连接关系，实现高压大功率三相整流桥电路。本实用新型专利技术主要应用于整流桥电路领域。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种整流桥电路，尤其是一种高压大功率三相整流桥电路。
技术介绍
目前的高压大功率三相整流桥，采用单沟刮涂法GPP芯片，容易划片，同时采用多层覆铜PCB连接，结构工艺复杂，生产成本高且产品的可靠性较低。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述存在的问题，提供一种高压大功率三相整流桥，采用陶基覆铜板工艺，减少工艺的复杂度且高压大功率三相整流桥生产成本低，可靠性较高。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是一种高压大功率三相整流桥，包括第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片、第一连接条、第二连接条、第三连接条、第四连接条、第五连接条、第六连接条、第一钥片、第二钥片、第三钥片、第四钥片、第五钥片、第六钥片、第一交流输入端、第二交流输入端、第三交流输入端、直流输出正端、直流输出负端、跳线、陶基覆铜板铜布线、刻线，所述陶基覆铜板铜布线包括第一陶基覆铜板铜布线区域、第二陶基覆铜板铜布线区域、第三陶基覆铜板铜布线区域、第四陶基覆铜板铜布线区域、第五陶基覆铜板铜布线区域、第六陶基覆铜板铜布线区域，所述第一交流输入端通过第一陶基覆铜板铜布线区域、跳线、第二陶基覆铜板铜布线区域与第六芯片负极连接，所述第六芯片正极通过第六钥片、第六连接条、第六陶基覆铜板铜布线区域与直流输出负端连接，所述第一交流输入端通过第一陶基覆铜板铜布线区域、跳线、第二陶基覆铜板铜布线区域、第三连接条、第三钥片与第三芯片正极连接，第三芯片负极通过第三陶基覆铜板铜布线区域与直流输出正端连接；所述第二交流输入端通过第四陶基覆铜板铜布线区域与第四芯片负极连接，第四芯片正极通过第四钥片、第四连接条、第六陶基覆铜板铜布线区域与直流输出负端连接，所述第二交流输入端通过第四陶基覆铜板铜布线区域、第一连接条、第一钥片与第一芯片正极连接，第一芯片负极通过第三陶基覆铜板铜布线区域与直流输出正端连接；所述第三交流输入端通过第五陶基覆铜板铜布线区域与第五芯片负极连接，第五芯片正极通过第五钥片、第五连接条、第六陶基覆铜板铜布线区域与直流输出负端连接，所述第三交流输入端通过第五陶基覆铜板铜布线区域、第二连接条、第二钥片与第二芯片正极连接，第二芯片负极通过第三陶基覆铜板铜布线区域与直流输出正端连接。所述第一陶基覆铜板铜布线区域、第二陶基覆铜板铜布线区域、第三陶基覆铜板铜布线区域、第四陶基覆铜板铜布线区域、第五陶基覆铜板铜布线区域、第六陶基覆铜板铜布线区域是通过刻线划分为相互不导通区域。高压大功率三相整流桥，还包括散热底板，所述散热底板焊接在陶基覆铜板底端。从上述本技术的结构特征可以看出，其优点是I、针对大功率高压器件高发热的要求，采用双沟道、电泳法的GPP芯片，本芯片划片时完全避开玻璃，不会因为机械应力问题导致GPP芯片玻璃破损。2、现有设计中的组装工艺是通过多层覆铜PCB板实现设计，而本装置中通过陶基覆铜板把连接线路做在陶瓷基底上，减少工艺的复杂度切整个电路板的生产成本底，可靠性高。3、陶基覆铜板铜布线通过刻线划分为不导通6个区域的陶基覆铜板铜布线，有效防止电路短路，提高产品的稳定性，降低产品的工艺难度并降低生产成本。4、采用加厚型铜板做为散热底板及安装基板，能够在有效导出内部因热功耗发出的热的同时，增强器件与散热器的有效连接。附图说明本技术将通过例子并参照附图的方式说明，其中图I是本技术结构图。图中标记ACl :第一交流输入端1，AC2 :第二交流输入端2，AC3 :第三交流输入端3，DCl:直流输出正端，DC2 :直流输出负端，Tl :跳线S :散热底板XINl :第一芯片1，XIN2:第二芯片2， XIN3 :第三芯片3XIN4:第四芯片4，XIN5:第五芯片5， XIN6 :第六芯片6，LI :第一连接条1， L2 :第二连接条2， L3 :第三连接条3，L4:第四连接条4， L5:第五连接条5， L6第六连接条6，Ml :第一钥片1，M2 :第二钥片2， M3 :第三钥片3，M4:第四钥片4,M5 :第五钥片5,M6 :第六钥片6,BI :第一陶基覆铜板铜布线区域，B2 :第二陶基覆铜板铜布线区域，B3 :第三陶基覆铜板铜布线区域，B4 :第四陶基覆铜板铜布线区域，B5 :第五陶基覆铜板铜布线区域，B6 :第六陶基覆铜板铜布线区域。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术包括第一芯片XIN1、第二芯片XIN2、第三芯片XIN3、第四芯片XIN4、第五芯片XIN5、第六芯片XIN6、第一连接条LI、第二连接条L2、第三连接条L3、第四连接条L4、第五连接条L5、第六连接条L6、第一钥片Ml、第二钥片M2、第三钥片M3、第四钥片M4、第五钥片M5、第六钥片M6、第一交流输入端ACl、第二交流输入端AC2、第三交流输入端AC3、直流输出正端DCl、直流输出负端DC2、跳线Tl、陶基覆铜板铜布线、刻线K，所述陶基覆铜板铜布线包括第一陶基覆铜板铜布线区域BI、第二陶基覆铜板铜布线区域B2、第三陶基覆铜板铜布线区域B3、第四陶基覆铜板铜布线区域B4、第五陶基覆铜板铜布线区域B5、第六陶基覆铜板铜布线区域B6，所述第一交流输入端ACl通过第一陶基覆铜板铜布线区域BI、跳线Tl、第二陶基覆铜板铜布线区域B2与第六芯片XIN6负极连接，所述第六芯片XIN6正极通过第六钥片M6、第六连接条L6、第六陶基覆铜板铜布线区域B6与直流输出DC2负端连接，所述第一交流输入端ACl通过第一陶基覆铜板铜布线区域BI、跳线Tl、第二陶基覆铜板铜B2布线区域、第三连接条L3、第三钥片M3与第三芯片XIN3正极连接，第三芯片XIN3负极通过第三陶基覆铜板铜布线区域B3与直流输出正端DCl连接；所述第二交流输入端AC2通过第四陶基覆铜板铜布线区域B4与第四芯片XIN4负极连接，第四芯片XIN4正极通过第四钥片M4、第四连接条L4、第六陶基覆铜板铜布线区域B6与直流输出负端DC2连接，所述第二交流输入端AC2通过第四陶基覆铜板铜布线区域B4、第一连接条LI、第一钥片Ml与第一芯片XINl正极连接，第一芯片XINl负极通过第三陶基覆铜板铜布线区域B3与直流输出正端DCl连接；所述第三交流输入端AC3通过第五陶基覆铜板铜布线区域B5与第五芯片XIN5负极连接，第五芯片XIN5正极通过第五钥片M5、第五连接条L5、第六陶基覆铜板铜布线区域B6与直流输出负端DC2连接，所述第三交流输入端AC3通过第五陶基覆铜板铜布线区域B5、第二连接条L2、第二钥片M2与第二芯片XIN2正极连接，第二芯片XIN2负极通过第三陶基覆铜板铜布线区域B3与直流输出正端DCl连接。其中第一陶基覆铜板铜布线区域BI、第二陶基覆铜板铜布线区域B2、第三陶基覆铜板铜布线区域B3、第四陶基覆铜板铜布线区域B4、第五陶基覆铜板铜布线区域B5、第六陶基覆铜板铜布线区域B6是通过刻线K将陶基覆 铜板铜布线分割为6个不同区域的陶基覆铜板铜布线，这6个区域的陶基覆铜板铜布线相互不导通，使得电路短路，提高产品的稳定性，降低产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压大功率三相整流桥，其特征在于包括第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片、第一连接条、第二连接条、第三连接条、第四连接条、第五连接条、第六连接条、第一钼片、第二钼片、第三钼片、第四钼片、第五钼片、第六钼片、第一交流输入端、第二交流输入端、第三交流输入端、直流输出正端、直流输出负端、跳线、陶基覆铜板铜布线、刻线，所述陶基覆铜板铜布线包括第一陶基覆铜板铜布线区域、第二陶基覆铜板铜布线区域、第三陶基覆铜板铜布线区域、第四陶基覆铜板铜布线区域、第五陶基覆铜板铜布线区域、第六陶基覆铜板铜布线区域，所述第一交流输入端通过第一陶基覆铜板铜布线区域、跳线、第二陶基覆铜板铜布线区域与第六芯片负极连接，所述第六芯片正极通过第六钼片、第六连接条、第六陶基覆铜板铜布线区域与直流输出负端连接，所述第一交流输入端通过第一陶基覆铜板铜布线区域、跳线、第二陶基覆铜板铜布线区域、第三连接条、第三钼片与第三芯片正极连接，第三芯片负极通过第三陶基覆铜板铜布线区域与直流输出正端连接；所述第二交流输入端通过第四陶基覆铜板铜布线区域与第四芯片负极连接，第四芯片正极通过第四钼片、第四连接条、第六陶基覆铜板铜布线区域与直流输出负端连接，所述第二交流输入端通过第四陶基覆铜板铜布线区域、第一连接条、第一钼片与第一芯片正极连接，第一芯片负极通过第三陶基覆铜板铜布线区域与直流输出正端连接；所述第三交流输入端通过第五陶基覆铜板铜布线区域与第五芯片负极连接，第五芯片正极通过第五钼片、第五连接条、第六陶基覆铜板铜布线区域与直流输出负端连接，所述第三交流输入端通过第五陶基覆铜板铜布线区域、第二连接条、第二钼片与第二芯片正极连接，第二芯片负极通过第三陶基覆铜板铜布线区域与直流输出正端连接。...

【技术特征摘要】
1.一种高压大功率三相整流桥，其特征在于包括第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片、第一连接条、第二连接条、第三连接条、第四连接条、第五连接条、第六连接条、第一钥片、第二钥片、第三钥片、第四钥片、第五钥片、第六钥片、第一交流输入端、第二交流输入端、第三交流输入端、直流输出正端、直流输出负端、跳线、陶基覆铜板铜布线、刻线，所述陶基覆铜板铜布线包括第一陶基覆铜板铜布线区域、第二陶基覆铜板铜布线区域、第三陶基覆铜板铜布线区域、第四陶基覆铜板铜布线区域、第五陶基覆铜板铜布线区域、第六陶基覆铜板铜布线区域，所述第一交流输入端通过第一陶基覆铜板铜布线区域、跳线、第二陶基覆铜板铜布线区域与第六芯片负极连接，所述第六芯片正极通过第六钥片、第六连接条、第六陶基覆铜板铜布线区域与直流输出负端连接，所述第一交流输入端通过第一陶基覆铜板铜布线区域、跳线、第二陶基覆铜板铜布线区域、第三连接条、第三钥片与第三芯片正极连接，第三芯片负极通过第三陶基覆铜板铜布线区域与直流输出正端连接；所述第二交流输入端通过第四陶...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱志述，
申请(专利权)人：乐山无线电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：