多整流桥并联的均流控制电路结构制造技术

一种多整流桥并联的均流控制电路结构，用于对相互并联的可控硅整流桥之间进行均流控制，其特征是：包括延时控制模块，用于对所控制的可控硅进行触发导通的移相延时控制；和振荡模块，用于产生和输出对应可控硅的触发脉冲信号；所述延时控制模块的输出端与所述振荡模块的启动控制端连接，所述延时控制模块设有相互并联的多路通过开关连接的阻容模块，用于组合设置多种延时选择。本实用新型专利技术不但能使得两套或多套整流桥并联均流，而且能使所有并联的桥臂之间均流，可以针对每个可控硅的控制角进行不同的延时处理，完全不受可控硅元件的导通特性的影响，在生产调试和现场调试中均可以很方便地进行调整，均流系数达到了0.9以上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
多整流桥并联的均流控制电路结构
本技术涉及发电机励磁控制系统，具体说是一种多整流桥并联的均流控制电路结构。
技术介绍
目前同步电机励磁多采用可控硅静止励磁，在励磁系统需要输出较大电流时按照规定至少是两套可控硅整流桥并联运行，以保证在退出一路整流桥情况下另一路整流桥仍能满足发电机的各种运行工况。在水轮发电机或部分汽轮发电机自并励励磁系统中的励磁电流很大(几百至几千安)的情况下，多套整流桥之间的均流问题显得比较突出。按照国家标准两套整流桥并联运行要求均流系数要求在0.85以上，目前流行的主要解决方案是:1、选择可控硅元件的导通特性，使其尽可能一致.2、利用线路电阻、断路器电阻、接触器电阻使其均流。3、在整流桥串联电抗器的方法均流。4、改变某一套整流桥控制角的方法均流。上述方案的实施有以下缺点:第I方案最为简单，由于可控硅元件导通时的电参数存在很大的分散性，即使励磁设备厂家在生产时精心挑选了导通特性尽可能一致的可控硅元件，但是设备运行中由于损坏而更换的可控硅元件特性不可能与厂家生产时的相一致，所以均流系数大为下降，满足不了国家标准的要求。第2、第3方案存在较大的盲目性和较大的耗能问题，尤其是第3方案不但增加了设备，还加大了耗能。第4方案虽然效果较为理想，但是调节器必须采用微处理器才能实现，但是存在最大的问题是只能使正向或负向电流均流，而不能使所有并联的桥臂之间均流。若电流传感器设定在整流桥输出正向则只能均流正向电流，负向则不能均流。同时微机的调节器还存在后触发整流桥所引起的第二次换流且持续时间过长的问题。还有若整流桥之间控制角差异较大，在换相之间有可能出现一个整流桥承担全部电流的情况。由模拟电路构成的调节器很难达到要求。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是解决上述现有技术中的问题，提供一种多整流桥并联的均流控制电路结构。所述多整流桥并联的均流控制电路结构，用于对相互并联的可控硅整流桥之间进行均流控制，其特征是:包括延时控制模块，用于对所控制的可控硅进行触发导通的移相延时控制；和振荡模块，用于产生和输出对应可控娃的触发脉冲信号；所述延时控制模块的输出端与所述振荡模块的启动控制端连接，所述延时控制模块设有相互并联的多路通过开关连接的阻容模块，用于组合设置多种延时选择。作为实施例,所述阻容模块是电容元件或电阻元件。作为优化方案，所述均流控制电路在所述振荡模块的输出连接有放大模块和杂波吸收模块，所述杂波吸收模块的一对输出端分别连接该均流控制电路所控制的可控硅的阴极和控制极。作为进一步的优化方案，所述放大模块输出一路信号到状态指示模块，用于显示脉冲状态。作为优化方案，所述延时控制模块的输入端连接有隔离模块，用于与控制端信号隔离。本技术可以针对整流桥中每一相可控硅的触发脉冲进行延时调整，不但能使得两套或多套整流桥并联均流，而且能使所有并联的桥臂之间均流，可以针对每个可控硅的控制角进行不同的延时处理，完全不受可控硅元件的导通特性的影响，在生产调试和现场调试中均可以很方便地进行调整，均流系数达到了 0.9以上，这样不仅保证了整流桥与整流桥之间的均流，更主要的是保证了同一个整流桥臂之间的均流。基本上克服了
技术介绍
中所述四种均流方案的缺点。。对于励磁调节器来说在现场无需更改软件，给用户以及调试人员调试带来了极大的方便。【附图说明】图1是本技术电路结构示意图及实施例，图2是一套带均流控制的三相整流桥电路。图中:I一延时控制模块，2—振荡模块，3—隔离模块，4一放大模块，5—杂波吸收模块，6—状态指示模块，7—均流控制模块。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术进一步说明:如图2所示是一套可控硅整流桥的均流控制电路框图，实际应用中会有两套或多套相互并联的可控硅整流桥，通过由本技术方案的拘留控制模块7完成均流控制，每一个可控硅均有一组均流控制电路。如图1为一种均流控制电路的实施例，所述多整流桥并联的均流控制电路结构，用于对相互并联的可控硅整流桥之间进行均流控制，包括延时控制模块1，用于对所控制的可控硅进行触发导通的移相延时控制；和振荡模块2，用于产生和输出对应可控硅的触发脉冲信号；所述延时控制模块I的输出端与所述振荡模块2的启动控制端连接，所述延时控制模块I设有相互并联的多路通过开关连接的阻容模块，用于组合设置多种延时选择。作为实施例,所述阻容模块是电容元件或电阻元件。作为优化方案，所述均流控制电路在所述振荡模块2的输出连接有放大模块4和杂波吸收模块5，所述杂波吸收模块5的一对输出端分别连接该均流控制电路所控制的可控硅的阴极和控制极。作为进一步的优化方案，所述放大模块4输出一路信号到状态指示模块6，用于显示脉冲状态。作为优化方案，所述延时控制模块I的输入端连接有隔离模块3，用于与控制端信号隔离。如图1中实施例所示，控制端通过光耦隔离电路的隔离模块3，将控制端的过零信号传入，信号通过隔离模块3还起到了整形和放大的作用，有效信号经过延时控制模块I后，首先经过由不同的开关进行参数选择的阻容网络，使得输出的信号需要经过预定的延时时间后才可以达到启动延时控制t旲块I的输出所连接的振汤t旲块2，启动起振。如图1实施例，延时控制模块I使用了四组相互并联的高品质精密电容分别通过电子开关的选择接入电路，形成了 16种不同的选择方案，以针对不同情况下的均流要求接入不同的延时参数组合，从而使振荡模块2在不同的延时时间后起振,输出触发脉冲信号。振荡模块2的输出端通过耦合电容C9，将触发信号输出给放大模块4，放大模块4将触发信号进行功率和电压幅值的放大，并输出两路信号，一路经过杂波吸收模块5连接到所控制的可控硅的阴极和控制极，另一路给状态指示模块6通过LED指示灯进行脉冲信号的同步显示。本技术可以针对每个可控硅的控制角进行不同的延时处理，完全不受可控硅元件的导通特性的影响，在生产调试和现场调试中均可以很方便地进行调整，均流系数达到了 0.9以上，这样不仅保证了整流桥与整流桥之间的均流，更主要的是保证了同一个整流桥臂之间的均流。基本上克服了
技术介绍
中所述的四种均流方案的缺点。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多整流桥并联的均流控制电路结构，用于对相互并联的可控硅整流桥之间进行均流控制，其特征是：包括延时控制模块（1），用于对所控制的可控硅进行触发导通的移相延时控制；和振荡模块（2），用于产生和输出对应可控硅的触发脉冲信号；所述延时控制模块（1）的输出端与所述振荡模块（2）的启动控制端连接，所述延时控制模块（1）设有相互并联的多路通过开关连接的阻容模块，用于组合设置多种延时选择。

【技术特征摘要】
1.一种多整流桥并联的均流控制电路结构，用于对相互并联的可控硅整流桥之间进行均流控制，其特征是: 包括延时控制模块(I )，用于对所控制的可控硅进行触发导通的移相延时控制； 和振荡模块(2 ),用于产生和输出对应可控娃的触发脉冲信号； 所述延时控制t旲块(I)的输出与所述振汤t旲块(2)的启动控制连接，所述延时控制模块(I)设有相互并联的多路通过开关连接的阻容模块，用于组合设置多种延时选择。2.根据权利要求1所述的多整流桥并联的均流控制电路结构，其特征是:所述阻容模块是电容元件或电阻元件。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：高雄清，赵月啟，宋宴明，胡海燕，肖凯，陈迅，王爱丽，
申请(专利权)人：武汉陆水科技开发有限公司，
类型：实用新型
国别省市：