本发明专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及其工作方法，涉及液晶显示领域，能够实现不同的显示模式，同时减少液晶显示面板的厚度、成本和能耗。本发明专利技术实施例提供的阵列基板，包括基板；所述基板上设置有栅线、垂直于所述栅线设有数据线及多个像素区域，每个所述像素区域包括主像素区域和次像素区域，每个像素区域分别设置有主、次像素薄膜晶体管，所述主、次像素区域分别设置有主、次像素电极；为每个所述像素区域提供数据信号的所述数据线包括主像素数据线和次像素数据线；所述主像素薄膜晶体管的漏极与所述主像素电极相连，源极与所述主像素数据线相连，栅极与所述栅线相连。本发明专利技术可用于液晶显示领域。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种。
技术介绍
近年来，液晶显示技术发展十分迅速，而单一视角模式的显示器已经不能满足使用者的需求，液晶显示器需要拥有自身在宽窄视角模式之间转换的能力。当用户需要共享信息时，使用宽视角模式；当用户想要保护显示信息时，则使用窄视角模式。或者在2D显示时采用宽视角模式，保证显示效果，而在3D显示时采用窄视角模式，减少窜扰几率。目前，视角可控显示器是一种可以随时自动实现宽窄视角模式转换的新型液晶显示器。现有技术 中，大部分视角可控显示器是利用添加视角控制器件来控制视角变化的。在实现上述宽窄视角可切换显示器的过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题利用添加视角控制器件来控制视角的变化的方法增加了显示器的厚度，同时也增加了成本及能量消耗。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及制作方法、液晶显示面板及其工作方法，能够使液晶显示面板实现不同的宽、窄视角显示模式，同时有效减少液晶显示面板的厚度、成本和能耗。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案—种阵列基板,包括基板，所述基板上设置有栅线、垂直于所述栅线设有数据线，所述基板上设置有多个像素区域，每个所述像素区域包括主像素区域和次像素区域，所述主像素区域中设置有主像素电极，所述次像素区域中设置有次像素电极；每个所述像素区域中设置有主像素薄膜晶体管和次像素薄膜晶体管；为每个所述像素区域提供数据信号的数据线包括主像素数据线和次像素数据线.所述主像素薄膜晶体管的漏极与所述主像素电极相连，源极与所述主像素数据线相连，栅极与所述栅线相连；所述次像素薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极相连，源极与所述次像素数据线相连，栅极与所述栅线相连。一种液晶显示面板，包括本专利技术实施例提供的阵列基板和与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板，所述阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶。一种阵列基板的制作方法，包括提供一基板；在所述基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺，形成栅线、主像素薄膜晶体管的栅极和次像素薄膜晶体管的栅极；在形成有栅线、主像素薄膜晶体管的栅极和次像素薄膜晶体管的栅极的基板上，沉积绝缘薄膜；在形成有栅线、主像素薄膜晶体管的栅极、次像素薄膜晶体管的栅极和绝缘薄膜的基板上，沉积金属薄膜，通过构图工艺，形成数据线、所述主像素薄膜晶体管的源极、漏极和所述次像素薄膜晶体管的源极、漏极；在形成有绝缘薄膜、栅线、数据线、主像素薄膜晶体管的栅极、源极、漏极和次像素薄膜晶体管的栅极、源极、漏极的基板上，沉积透明导电薄膜，通过构图工艺，形成主像素电极和次像素电极。一种液晶显示面板的工作方法，包括进行宽视角模式显示时，通过主像素数据线和次像素数据线分别提供的数据信号，控制主像素区域和次像素区域的液晶偏转或变形，以使主像素区域和次像素区域同时透光；进行窄视角模式显示时，通过主像素数据线和次像素数据线分别提供的数据信号，控制主像素区域和次像素区域的液晶偏转或变形，以使主像素区域透光，而次像素区域不透光。本专利技术实施例提供的液晶显示面板及其工作方法、阵列基板及其制作方法，在阵列基板上的每个像素区域设置有主像素区域和次像素区域，并通过主、次像素薄膜晶体管分别控制主、次像素区域的液晶偏转，使主、次像素区域都透光时，为宽视角显示模式，使主像素区域透光而次像素区域不透光时，为窄视角显示模式。与现有技术中的添加视角控制器件相比，在阵列基板上设置主、次像素薄膜晶体管分别控制主、次像素区域的液晶偏转，实现不同的显示模式，减少了液晶显示面板的厚度、成本和能耗。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图Ia为本专利技术实施例提供的一种液晶显示面板的一个像素区域的平面图；图Ib为本专利技术实施例提供的一种液晶显示面板的多个像素区域的平面图；图2a为本专利技术实施例提供的一种液晶显示面板在宽视角模式下的剖视图；图2b为本专利技术实施例提供的一种液晶显示面板在窄视角模式下的剖视图；图3a为本专利技术实施例提供的另一种液晶显示面板在宽视角模式下的剖视图；图3b为本专利技术实施例提供的另一种液晶显示面板在窄视角模式下的剖视图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法流程图；图5为本专利技术实施例提供的液晶面板的工作方法流程图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完、整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种阵列基板11，如图la、图lb、图2a和图2b所示，包括阵列基板11包括基板21，基板21上设置有栅线22、数据线23、多个像素区域24，数据线23垂直于栅线22，每个像素区域24包括两部分，主像素区域241和次像素区域242，为每个像素区域24提供数据信号的数据线23包括两部分，主像素数据线231和次像素数据线232 ；需要说明的是，阵列基板11是由多个图Ia或图Ib所示的像素区域构成的。每个像素区域24设置有主像素薄膜晶体管32和次像素薄膜晶体管42，主像素薄膜晶体管32包括漏极321、源极322、栅极323，次像素薄膜晶体管42包括漏极421、源极 422、栅极 423 ；主像素区域241设置有主像素电极31，主像素薄膜晶体管32的漏极321与主像素电极31相连、源极322与主像素数据线231相连、主像素薄膜晶体管32的栅极323与栅线22相连；次像素区域242设置有次像素电极41，次像素薄膜晶体管42的漏极421与次像素电极41相连，源极422与次像素数据线232相连，次像素薄膜晶体管42的栅极423与栅线22相连。需要说明的是，主、次像素电极由透明导电材料制成，如铟锡氧化物(Indium TinOxide,简称 ITO)。具体的，在本专利技术实施例中，每个像素区域24的长宽比为3:1，主像素区域和次像素区域的面积比为4:1到1:1。相应的，彩膜基板12上设置与阵列基板21上的薄膜晶体管、数据线、栅线对应位置和大小的黑矩阵，与阵列基板21上主、次像素区域对应位置和大小的彩膜。本专利技术实施例中，如图la、lb、2a和2b所示，主像素电极31采用水平电场模式中的FFS (Fringe Field Swithing,边缘场转换)模式,呈条状分布。主像素电极31下方设置有公共电极51，公共电极与主像素电极间设置有绝缘层34。主像素电极31和公共电极51之间形成的水平电场，控制主像素区域液晶的偏转。次像素电极41采用斜向电场模式，呈条状分布。相应的，在彩膜基板12上可设置有与次像素电极41的对应公共电极51，公共电极51与次像素电极41之间形成斜向电场，控制次像素区域的液晶的偏转。当然本专利技术实施例对彩膜基板12上的公共电极的具体设置不作限定。当进行宽视角显示模式时，如图2a所示，主像素数据线为主像素区域提供数据信号，在公共电极51和主像素电极31之间产生强烈的水平方向的电场，控制主像素区域的液本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括基板，所述基板上设置有栅线、垂直于所述栅线设有数据线，所述基板上设置有多个像素区域，其特征在于， 每个所述像素区域包括主像素区域和次像素区域，所述主像素区域中设置有主像素电极，所述次像素区域中设置有次像素电极； 每个所述像素区域中设置有主像素薄膜晶体管和次像素薄膜晶体管； 为每个所述像素区域提供数据信号的数据线包括主像素数据线和次像素数据线；所述主像素薄膜晶体管的漏极与所述主像素电极相连，源极与所述主像素数据线相连，栅极与所述栅线相连； 所述次像素薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极相连，源极与所述次像素数据线相连，栅极与所述栅线相连。2.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述主像素电极为水平电场式像素电极，呈条状分布。3.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述次像素电极为斜向电场式像素电极，呈条状分布。4.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述次像素电极为垂直电场式像素电极，呈片状分布； 所述垂直电场式像素电极上设置有突起物。5.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述次像素电极为水平电场式像素电极，呈条状分布。6.根据权利要求I至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板靠近液晶的表面上设置有液晶取向层，所述液晶取向层包括与所述主像素区域对应的主像素区域液晶取向层和与所述次像素区域对应的次像素区域液晶取向层。7.一种液晶显示面板，包括权利要求I至6任一项所述的阵列基板和与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板，所述阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶。8.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于， 当所述次像素电极为斜向电场式像素电极，呈条状分布时， 所述彩膜基板上设置有与所述斜向电场式像素电极对应的公共电极。9.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于， 当所述次像素电极为垂直电场式像素电极，呈片状分布；所述垂直电场式像素电极上设置有突起物时， 所述彩膜基板上设置有与所述垂直电场式像素电极对应的公共电极； 所述公共电极上设置有突起物。10.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，所述彩膜基板靠近液晶的表面上设置有液晶取向层，所述液晶取向层包括与所述主像素区域对应的主像素区域液晶取向层和与所述次像素区域对应的次像素区域液晶取向层。11.根据权利要求7至10任一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶为蓝相液晶。12.—种权利要求I至6任一项所述的阵列基板的制作方...
【专利技术属性】
技术研发人员：谷新，柳在健，张培林，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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