本申请公开了一种跨导放大器、电阻、电感以及滤波器，本申请的跨导放大器采用两组源简并差分放大器构成，其中一组放大器由第七PMOS管、第八PMOS管、第五PMOS管以及第六PMOS管组成，一组放大器由第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管以及第十二PMOS管组成，两组放大器的输出端交叉连接，从而可以利用电流相减的方式消除三次项谐波，从而实现跨导放大器的低功耗高线性度。进而由所述跨导放大器模拟得到的电阻、电感、以及由所述电阻和/或电感构成的电路也可以实现低功耗高线性度。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路领域，尤其涉及一种跨导放大器、电阻、电感以及滤波器。
技术介绍
随着通信技木，尤其是移动通信技术和计算技术的飞速发展，作为现代接收机尤其是零中频接受机中的ー个关键模块，跨导-电容(Gm-C)有源滤波器能在混频器之后进行信号的滤波处理，为后级的可变增益放大器提供杂散频谱较少的信号，既能有效地在可变增益放大器(VGA, Variable Gain Amplifier)、模拟/数字转换器(ADC,Analog-to-DigitalConverter)之前初步处理信号，又能防止后级的可变增益放大器由于带外信号过大而饱和。 在移动数字视频广播系统中，位于接收机中频部分的Gm-C滤波器，需要处理较大的输入信号，要求滤波器在功耗很低的情况下保证较高的线性度。
技术实现思路
有鉴于此，本申请要解决的技术问题是，提供一种跨导放大器、电阻、电感以及滤波器，能够使得滤波器在功耗很低的情况下保证较高的线性度。为此，本申请实施例采用如下技术方案一种跨导放大器，包括第一NMOS管的栅极连接跨导放大器的调谐电压输入端；第一NMOS管的源极接地，漏极连接第二 PMOS管的漏极；第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管的栅极、源极分别对应连接；且，第二PMOS管的栅极与第二PMOS管的漏极连接；第二PMOS管的源极连接跨导放大器的电源电压输入端；第三PMOS管的漏极分别连接第五PMOS管的漏极、第六PMOS管的源极以及第七PMOS管的源极； 第四PMOS管的漏极分别连接第五PMOS管的源极、第六PMOS管的漏极以及第八PMOS管的源极；第十三PMOS管的漏极分别连接第九PMOS管的源极、第i^一 PMOS管的源极以及第十二 PMOS管的漏极；第十四PMOS管的漏极分别连接第十PMOS管的源极、第十一 PMOS管的漏极以及第十二 PMOS管的源极；第六PMOS管的栅极、第八PMOS管的栅极、第九PMOS管的栅极以及第i^一 PMOS管的栅极均与跨导放大器的负相输入端连接；第五PMOS管的栅极、第七PMOS管的栅极、第十PMOS管的栅极以及第十二 PMOS管的栅极均与跨导放大器的正相输入端连接；第十五NMOS管的栅极与第十六NMOS管的栅极连接，且连接跨导放大器的共模反馈电压端；第十五NMOS管的源极以及第十六NMOS管的源极接地；第七PMOS管的漏极、第九PMOS管的漏极以及第十五NMOS管的漏极均与跨导放大器的负相输出端连接；第八PMOS管的漏极、第十PMOS管的漏极以及第十六NMOS管的漏极均与跨导放大器的正相输出端连接。还包括第十七PMOS管的源极以及第十八PMOS管的源极连接跨导放大器的电源电压输入端；第十七PMOS管的栅极与第十八PMOS管的栅极连接偏置电压端；第十七PMOS管的漏极分别连接第十九PMOS管的源极以及第二十PMOS管的源极；第十八PMOS管的漏极分别连接第二十一 PMOS管的源极以及第二十ニ PMOS管的源极； 第十九PMOS管的栅极连接跨导放大器的正相输出端，漏极连接第二十四NMOS管的漏极以及第二十ニ PMOS管的漏极；第二十PMOS管的栅极与第二十一 PMOS管的栅极连接參考电压端，漏极分别连接第二i^一 PMOS管的漏极以及第二十三NMOS的漏极；第二十二 PMOS管的栅极连接跨导放大器的负相输出端；第二十三NMOS管的栅极与漏极连接共模反馈电压端；第二十三NMOS管的源极接地；第二十四NMOS管的栅极与漏极连接，源极接地。ー种电阻，包括权利要求I所述的跨导放大器，其中，跨导放大器的负相输出端与跨导放大器的共模反馈电压端连接；跨导放大器的正相输出端与跨导放大器的负相输入端连接，该连接的连接点作为电阻的第一端；跨导放大器的负相输入端作为电阻的第二端。ー种电阻，包括权利要求2所述的跨导放大器，其中，跨导放大器的正相输入端与跨导放大器的负相输出端连接，该连接的连接点作为所述电阻的第一端；跨导放大器的负相输入端与跨导放大器的正相输出端连接，该连接的连接点作为所述电阻的第二端。ー种电阻，包括两个权利要求I所述的跨导放大器，分别为第一跨导放大器和第ニ跨导放大器，其中，第一跨导放大器的负相输出端与第一跨导放大器的共模反馈电压端连接；第二跨导放大器的负相输出端与第二跨导放大器的共模反馈电压端连接；第一跨导放大器的正相输出端作为电阻的第一端，第一跨导放大器的正相输入端作为电阻的第二端；第一跨导放大器的正相输出端、第二跨导放大器的正相输入端以及第ニ跨导放大器的正相输出端相互连接；第二跨导放大器的负相输入端、第二跨导放大器的正相输出端、第一跨导放大器的正相输入端、第一跨导放大器的负相输入端相互连接。—种电感，包括两个如权利要求I所述的跨导放大器，分别为第一跨导放大器和第二跨导放大器，其中，第一跨导放大器的负相输出端与第一跨导放大器的共模反馈电压端连接；第二跨导放大器的负相输出端与第二跨导放大器的共模反馈电压端连接；电感的第一端通过第一电容接地,且分别与第一跨导放大器的正相输出端、第二跨导放大器的正相输入端连接；电感的第二端分别与第一跨导放大器的正相输入端、第二跨导放大器的正相输出端连接；第一跨导放大器的负 相输入端接地，第二跨导放大器的负相输入端接地。一种滤波器，包括权利要求I至2任一项所述的跨导放大器，和/或，权利要求3至5任ー项所述的电阻，和/或，权利要求6所述的电感。还包括锁相环调谐器，其中，压控振荡器的输出端连接鉴频鉴相器的第一输入端，鉴频鉴相器的第二输入端接收參考频率信号；鉴频鉴相器的输出端通过电荷泵连接环路滤波器的输入端，环路滤波器的输出端分别连接压控振荡器的输入端以及滤波器中的调谐电压输入端。对于上述技术方案的技术效果分析如下本申请的跨导放大器采用两组源简并差分放大器构成，其中ー组放大器由第七PMOS管、第八PMOS管、第五PMOS管以及第六PMOS管组成，ー组放大器由第九PMOS管、第十PMOS管、第十一 PMOS管以及第十二 PMOS管组成，两组放大器的输出端交叉连接，从而可以利用电流相减的方式消除三次项谐波，从而实现跨导放大器的低功耗高线性度，进而能够使得使用所述跨导放大器的滤波器在功耗很低的情况下保证较高的线性度。附图说明图I为本申请跨导放大器第一实施例示意图；图2为本申请共模反馈电路结构示意图；图3为本申请跨导放大器第二实施例示意图；图4为本申请电阻第一实施例示意图；图5为本申请电阻第二实施例示意图；图6为本申请电感的第一实施例示意图；图7为本申请电阻第三实施例示意图；图8为本申请ー种7阶椭圆滤波器结构示意图；图9为本申请滤波器第一实施例示意图；图10为本申请滤波器第二实施例示意图。具体实施例方式以下，结合附图详细说明本申请跨导放大器、电阻、电感以及滤波器的实现。图I是本申请跨导放大器结构示意图，如图I所述，该跨导放大器包括第一 NMOS管Ml的栅极连接跨导放大器的调谐电压输入端VTUNE ;第一 NMOS管Ml的源极接地，漏极连接第二 PMOS管M2的漏极；第ニ PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第十三PMOS管Ml3、第十四PMOS管M14的栅极、源极分别对应连接；且，第二 PMOS管M2的栅极与第二 P本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种跨导放大器，其特征在于，包括 第一 NMOS管的栅极连接跨导放大器的调谐电压输入端；第一 NMOS管的源极接地，漏极连接第二 PMOS管的漏极； 第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管的栅极、源极分别对应连接；且，第二PMOS管的栅极与第二PMOS管的漏极连接；第二PMOS管的源极连接跨导放大器的电源电压输入端； 第三PMOS管的漏极分别连接第五PMOS管的漏极、第六PMOS管的源极以及第七PMOS管的源极； 第四PMOS管的漏极分别连接第五PMOS管的源极、第六PMOS管的漏极以及第八PMOS管的源极； 第十三PMOS管的漏极分别连接第九PMOS管的源极、第十一 PMOS管的源极以及第十二PMOS管的漏极； 第十四PMOS管的漏极分别连接第十PMOS管的源极、第十一 PMOS管的漏极以及第十二PMOS管的源极； 第六PMOS管的栅极、第八PMOS管的栅极、第九PMOS管的栅极以及第十一 PMOS管的栅极均与跨导放大器的负相输入端连接； 第五PMOS管的栅极、第七PMOS管的栅极、第十PMOS管的栅极以及第十二 PMOS管的栅极均与跨导放大器的正相输入端连接； 第十五NMOS管的栅极与第十六NMOS管的栅极连接，且连接跨导放大器的共模反馈电压端 ，第十五NMOS管的源极以及第十六NMOS管的源极接地； 第七PMOS管的漏极、第九PMOS管的漏极以及第十五NMOS管的漏极均与跨导放大器的负相输出端连接； 第八PMOS管的漏极、第十PMOS管的漏极以及第十六NMOS管的漏极均与跨导放大器的正相输出端连接。2.根据权利要求I所述的跨导放大器，其特征在于，还包括 第十七PMOS管的源极以及第十八PMOS管的源极连接跨导放大器的电源电压输入端；第十七PMOS管的栅极与第十八PMOS管的栅极连接偏置电压端； 第十七PMOS管的漏极分别连接第十九PMOS管的源极以及第二十PMOS管的源极；第十八PMOS管的漏极分别连接第二十一 PMOS管的源极以及第二十ニ PMOS管的源极； 第十九PMOS管的栅极连接跨导放大器的正相输出端，漏极连接第二十四NMOS管的漏极以及第二十ニ PMOS管的漏极； 第二十PMOS管的栅极与第二十一 PMOS管的栅极连接參考电压端，漏极分别连接第ニi^一 PMOS管的漏极以及第二十三NMOS的漏极； 第二十二 PMOS管的栅极连接跨导放大器的负相输出端； 第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：程序，郭桂良，阎跃鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。