一种跨导放大器、电阻、电感以及滤波器制造技术

本申请公开了一种跨导放大器、电阻、电感以及滤波器，本申请跨导放大器采用两组子跨导放大器构成，其中一组子跨导放大器由第一PMOS管M1至第四PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九NMOS管至第十二NMOS管、第十五NMOS管至第十八NMOS管组成，第二组子跨导放大器由第七NMOS管、第八NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十九NMOS管、第二十NMOS管组成，两组放大器的输出端交叉连接，从而可以利用电流相减的方式消除第一子跨导放大器的三次项谐波，从而实现本申请所述跨导放大器的低功耗高线性度。进而由所述跨导放大器模拟得到的电阻、电感、以及由所述电阻和/或电感构成的电路也可以实现低功耗高线性度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电路领域，尤其涉及一种跨导放大器、电阻、电感以及滤波器。
技术介绍
随着通信技木，尤其是移动通信技术和计算技术的飞速发展，作为现代接收机尤其是零中频接受机中的ー个关键模块，跨导-电容(Gm-C)有源滤波器能在混频器之后进行信号的滤波处理，为后级的可变增益放大器提供杂散频谱较少的信号，既能有效地在可变增益放大器(VGA, Variable Gain Amplifier)、模拟/数字转换器(ADC,Analog-to-DigitalConverter)之前初步处理信号，又能防止后级的可变增益放大器由于带外信号过大而饱和。在移动数字视频广播系统中，位于接收机中频部分的Gm-C滤波器，需要处理较大的输入信号，要求滤波器在功耗很低的情况下保证较高的线性度。
技术实现思路
有鉴于此，本申请要解决的技术问题是，提供一种跨导放大器、电阻、电感以及滤波器，能够使得滤波器在功耗很低的情况下保证较高的线性度。为此，本申请实施例采用如下技术方案一种跨导放大器，包括第一 PMOS管的栅极以及第ニ PMOS管的栅极连接跨导放大器的正相偏置电压端；第三PMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极连接，且连接跨导放大器的共模反馈电压端；第一 PMOS管的源极、第二 PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极、第九NMOS管的漏极以及第十NMOS管的漏极连接跨导放大器的电源电压端；第一 PMOS管的漏极分别连接第九NMOS管的栅极和第i^一匪OS管的漏极；第三PMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极连接跨导放大器的负相输出端；第四PMOS管的漏极和第六NMOS管的漏极连接跨导放大器的正相输出端；第二 PMOS管的漏极分别连接第十NMOS管的栅极以及第十二 NMOS管的漏极；第五NMOS管的源极、第十NMOS管的源极、第十六NMOS管的栅极、第十八NMOS管的漏极和栅极连接；第六NMOS管的源极、第九NMOS管的源极、第十五NMOS管的栅极、第十七NMOS管的栅极和漏极连接；第^ NMOS管的源极连接第十五NMOS管的漏极；第十二 NMOS管的源极连接第十六NMOS管的漏极；第十五NMOS管的源极、第十六NMOS管的源极、第十七NMOS管的源极以及第十八NMOS管的源极连接；第十一 NMOS管的栅极以及第五NMOS管的栅极均连接跨导放大器的正相输入端；第六NMOS管的栅极以及第十二 NMOS管的栅极均连接跨导放大器的负相输入端。还包括第七NMOS管的漏极以及第八NMOS管的漏极与第一PMOS管的源极连接；第七NMOS管的栅极连接跨导放大器的正相输入端；第八NMOS管的栅极连接跨导放大器的负相输入端；第七NMOS管的源极分别连接第十三NMOS管的栅极以及第十九匪OS管的漏扱；第八NMOS管的源极分别连接第十四NMOS管的栅极以及第二十NMOS管的漏极；第十九NMOS管的栅极以及第二十NMOS管的栅极均连接跨导放大器的负相偏置电压端；第十三NMOS管的漏极连接第五NMOS管的漏极；第十四NMOS管的漏极连接第六NMOS管的漏极；第十三NMOS管的源极、第十四NMOS管的源极、第十九NMOS管的源极以及第二十NMOS管的源极均连接第十五NMOS管的源极。还包括 第二十一 PMOS管的源极以及第二十ニ PMOS管的源极连接跨导放大器的电源电压输入端；第二^ PMOS管的栅极与第二十二 PMOS管的栅极连接；第二十一 PMOS管的漏极连接跨导放大器的共模反馈电压端，且，通过第一电阻以及第一电容连接第二十一 PMOS管的栅极，且，分别连接第二十三NMOS管的漏极以及第二十四NMOS管的漏极；第二十二 PMOS管的漏极连接第二十二 PMOS管的栅极、第二十五NMOS管的漏极以及第二十六NMOS管的漏极；第二十三NMOS管的栅极连接跨导放大器的正相输出端，第二十四NMOS管的栅极和第二十五NMOS管的栅极连接參考电压端；第二十六NMOS管的栅极连接跨导放大器的负相输出端；第二十三NMOS管的源极、第二十四NMOS管的源极、第二十七NMOS管的漏极连接；第二十五NMOS管的源极、第二十六NMOS管的源极、第二十八NMOS管的漏极连接；第二十七NMOS管的栅极和第二十八NMOS管的栅极连接负相偏置电压端；第二十七NMOS管的源极以及第二十八NMOS管的源极接地。ー种电阻，包括权利要求I或2所述的跨导放大器，其中，跨导放大器的负相输出端与跨导放大器的共模反馈电压端连接；跨导放大器的正相输出端与跨导放大器的负相输入端连接，该连接的连接点作为电阻的第一端；跨导放大器的负相输入端作为电阻的第二端。ー种电阻，包括权利要求3所述的跨导放大器，其中，跨导放大器的正相输入端与跨导放大器的负相输出端连接，该连接的连接点作为所述电阻的第一端；跨导放大器的负相输入端与跨导放大器的正相输出端连接，该连接的连接点作为所述电阻的第二端。ー种电阻，包括两个权利要求I或2所述的跨导放大器，分别为第一跨导放大器和第二跨导放大器，其中，第一跨导放大器的负相输出端与第一跨导放大器的共模反馈电压端连接；第二跨导放大器的负相输出端与第二跨导放大器的共模反馈电压端连接；第一跨导放大器的正相输出端作为电阻的第一端，第一跨导放大器的正相输入端作为电阻的第二端；第一跨导放大器的正相输出端、第二跨导放大器的正相输入端以及第ニ跨导放大器的正相输出端相互连接；第二跨导放大器的负相输入端、第二跨导放大器的正相输出端、第一跨导放大器的正相输入端、第一跨导放大器的负相输入端相互连接。—种电感，包括两个权利要求I或2所述的跨导放大器，分别为第一跨导放大器和第二跨导放大器，其中，第一跨导放大器的负相输出端与第一跨导放大器的共模反馈电压端连接；第二跨导放大器的负相输出端与第二跨导放大器的共模反馈电压端连接；电感的第一端通过第二电容接地，且分别与第一跨导放大器的正相输出端、第二跨导放大器的正相输入端连接；电感的第二端分别与第一跨导放大器的正相输入端、第二跨导放大器的正相输出端连接； 第一跨导放大器的负相输入端接地，第二跨导放大器的负相输入端接地。一种滤波器，包括所述跨导放大器，和/或，所述电阻，和/或，所述电感。对于上述技术方案的技术效果分析如下本申请的跨导放大器采用两组子跨导放大器构成，其中ー组子跨导放大器由第一PMOS管Ml、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九NMOS管至第十二 NMOS管、第十五NMOS管至第十八NMOS管组成，第二组子跨导放大器由第七NMOS管、第八NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十九NMOS管、第二十NMOS管组成，两组放大器的输出端交叉连接，第二组子跨导放大器为第一组子跨导放大器的主跨导对管第五NMOS管和第六NMOS管提供ー个符号相反的三阶谐波项，从而可以利用电流相减的方式消除第一子跨导放大器的三次项谐波，从而实现本申请所述跨导放大器的低功耗高线性度；进而包含所述跨导放大器的滤波器也能够在功耗低的情况下获得较高的线性度。附图说明图I为本申请跨导放大器第一实施例示意图；图2为本申请跨导放大器第二实施例示意图；图3为本申请共模反馈电路结构示意图；图4为本申请电阻第一实施例示意图；图5为本申请电阻第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种跨导放大器，其特征在于，包括：第一PMOS管的栅极以及第二PMOS管的栅极连接跨导放大器的正相偏置电压端；第三PMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极连接，且连接跨导放大器的共模反馈电压端；第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极、第九NMOS管的漏极以及第十NMOS管的漏极连接跨导放大器的电源电压端；第一PMOS管的漏极分别连接第九NMOS管的栅极和第十一NMOS管的漏极；第三PMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极连接跨导放大器的负相输出端；第四PMOS管的漏极和第六NMOS管的漏极连接跨导放大器的正相输出端；第二PMOS管的漏极分别连接第十NMOS管的栅极以及第十二NMOS管的漏极；第五NMOS管的源极、第十NMOS管的源极、第十六NMOS管的栅极、第十八NMOS管的漏极和栅极连接；第六NMOS管的源极、第九NMOS管的源极、第十五NMOS管的栅极、第十七NMOS管的栅极和漏极连接；第十一NMOS管的源极连接第十五NMOS管的漏极；第十二NMOS管的源极连接第十六NMOS管的漏极；第十五NMOS管的源极、第十六NMOS管的源极、第十七NMOS管的源极以及第十八NMOS管的源极连接；第十一NMOS管的栅极以及第五NMOS管的栅极均连接跨导放大器的正相输入端；第六NMOS管的栅极以及第十二NMOS管的栅极均连接跨导放大器的负相输入端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程序，郭桂良，阎跃鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：