一种曝光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及显示技术中曝光工艺领域，特别是涉及一种实现多灰阶的曝光装置。该曝光装置包括：曝光区域控制单元，用于界定曝光区域和非曝光区域；光量调控单元，位于曝光区域控制单元的上方，用于调控通过所述曝光区域控制单元照射到曝光区域的光透过量。本实用新型专利技术提供的曝光装置，采用曝光单元和光量调控单元共同作用，可有效实现同一膜层多灰阶不同厚度的定点精确控制，并且结构简单，操作方便，可最大程度地节省曝光工艺所需的生产成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示技术中曝光工艺领域，特别是涉及一种实现多灰阶曝光装置。
技术介绍
通常，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)主要结构是由阵列基板、彩膜基板、偏振片、背光源和液晶等部分组成。为了实现对基板上各结构层的膜厚控制，多采用半曝光(halftone)的曝光方式。该半曝光的曝光方式为在掩膜版上制作半透光膜，通过控制半曝光设计区域的光透过量，来调整半曝光区域的膜层厚度，达到同一膜层不同厚度的目的。但该种曝光方法制作成本非常昂贵，且掩膜版的灰阶数量非常有限，且每个掩膜版自身的灰阶数量已被预设好，不能任意调节，其利用率相对十分有限。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题本技术要解决的技术问题是提供一种曝光装置，以克服现有的曝光操作中实现同一膜层不同厚度的半曝光工艺加工成本昂贵且其实现的灰阶数量有限并且其灰阶度不能调节等缺陷。( 二 )技术方案为了解决上述技术问题，本技术提供一种曝光装置，包括曝光区域控制单元，用于界定曝光区域和非曝光区域；光量调控单元，位于所述曝光区域控制单元的上方，用于调控通过所述曝光区域控制单元照射到所述曝光区域的光透过量。进一步地，所述光量调控单元包括玻璃基板和TFT阵列基板，所述玻璃基板和TFT阵列基板之间设有隔垫物，所述玻璃基板和TFT阵列基板封装成盒，所述盒内注有液晶。进一步地，所述曝光单元为掩膜版。进一步地，玻璃基板上形成有公共电极层，所述TFT阵列基板上形成有像素电极层。进一步地，所述TFT阵列基板上形成有公共电极层和像素电极层。进一步地，所述玻璃基板的远离液晶的一侧设有透明导电层。进一步地，所述光量调控单元的像素开口大于曝光单元的像素开口。(三)有益效果上述技术方案具有如下优点本技术提供的曝光装置，采用曝光区域控制单元和光量调控单元共同作用，可有效实现同一膜层多灰阶多厚度的精确控制，并且结构简单，操作方便，可最大程度地节省曝光工艺所需的生产成本。附图说明图I为本技术实施例一实现多灰阶曝光装置中光量调控单元结构示意图；图2为本技术实施例二实现多灰阶曝光装置中光量调控单元结构示意图；图3为本技术实施例实现多灰阶曝光装置曝光原理示意图。附图标记I :玻璃基板；2 =TFT阵列基板；3 :液晶；4 :隔垫物；5 :掩膜版；6 :待曝光基板；7 结构层图案；11 :透明导电层；12 :黑矩阵。具体实施方式以下结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。实施例I如图I所示，本实施例曝光装置包括曝光区域控制单元和光量调控单元，光量调控单元包括玻璃基板I和TFT阵列基板2，玻璃基板I和TFT阵列基板2之间设有隔垫物4，玻璃基板I和TFT阵列基板2封装成盒，盒内注有液晶3。在实际曝光工艺过程中，该光量调控单元置于曝光区域控制单元上方进行曝光作业。其中，该曝光区域控制单元为普通的掩膜版5 (mask)，用于界定待曝光物体的曝光区域和非曝光区域；其曝光区域为镂空结构，光线可以透光，而非曝光区域为不透光结构。该TFT阵列基板2采用现有技术中通用的阵列基板即可，其具体结构层可包括栅极、栅极绝缘层、数据层、源电极和漏电极及其他通用的结构层。该光量调控单元的像素开口可根据不同的mask而定，但需保证其应大于该掩膜版的像素开口，进而可确保完成对实际尺寸产品的曝光作业。参考图3，在曝光工艺中，将光量调控单元置于曝光区域控制单元的上方。通过电压逐行扫描，控制TFT开启或关闭，进而控制光量调控单元中液晶3的旋转角度，达到调节像素区域的光透过量，进而实现每个像素单元的256个灰阶调控。利用上述光量调控单元调节光透过量的方式与液晶显示器类似，此处不再赘述。从上述光量调控单元透出的光线经掩膜版5上的透光区域后，照射到待曝光基板6，并使待曝光基板6上的曝光区域的光刻胶曝光。由于光量调控单元的不同区域对应的光透过率可以不同，因此，实际照射到待曝光基板6的不同曝光区域的光照量也可以不同。以负性光刻胶为例，在同一次掩模曝光的工艺过程中，如果光量调控单元上某一区域的光透过量较多，其通过掩膜版5的透光区域照射到待曝光基板6的光随之较多，则曝光显影后留在待曝光基板6上的光刻胶会较厚；如果光量调控单元上某一区域的光透过量较少，其通过掩膜版5的透光区域照射到待曝光基板6的光随之较少，则曝光显影后留在待曝光基板6上的光刻胶会较薄。通过上述工艺过程，最终可以在待曝光基板6上形成不同膜层厚度的结构层图案7。实施例2如图2所示，本实施例与实施例I存在的区别在于，该玻璃基板I设有黑矩阵12，该黑矩阵12可有效遮挡住TFT阵列基板2中数据线和栅极线，以有效防止该两处位置发生漏光现象，影响光的透过率。该玻璃基板I的远离液晶的一侧设有透明导电层11，该透明导电层11可以由ITO(氧化铟锡)材料制成，该透明导电层11不需要额外加电，用来起到防、静电的作用。另外，针对TFT阵列基板的不同类型，可以在玻璃基板I和TFT阵列基板2之间形成水平电场或垂直电场来驱动液晶旋转。一般而言，可以参照液晶显示装置的TN(扭曲向列)模式，玻璃基板I上形成有公共电极层(ΙΤ0层)，TFT阵列基板上形成有像素电极层。像素电极和公共电极制作在液晶的两侧形成垂直电场，用以驱动液晶旋转。也可以参照液晶显示装置的IPS(平面内开关)或FFS(边缘场开关)模式，在TFT阵列基板上形成有公共电极层和像素电极层。像素电极和公共电极制作在液晶的同一侧的结构形成水平电场，用以驱动液晶旋转。本技术提供的实现多灰阶曝光装置，采用曝光区域控制单元和光量调控单元共同作用，可有效实现同一膜层多灰阶多厚度的精确控制，并且结构简单，操作方便，可最大程度地节省曝光工艺所需的生产成本。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技 术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光装置，适用于掩膜曝光工艺，其特征在于，包括 曝光区域控制单元，用于界定曝光区域和非曝光区域； 光量调控单元，位于所述曝光区域控制单元的上方，用于调控通过所述曝光区域控制单元照射到所述曝光区域的光透过量。2.如权利要求I所述的曝光装置，其特征在于，所述光量调控单元包括玻璃基板和TFT阵列基板，所述玻璃基板和TFT阵列基板之间设有隔垫物，所述玻璃基板和TFT阵列基板封装成盒，所述盒内注有液晶。3.如权利要求I所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光单元为掩膜版。4.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王耸，万冀豫，吴洪江，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：