本发明专利技术公开涉及液晶显示技术，尤其涉及一种广视角液晶显示器件及其制作工艺。该广视角液晶显示器件，包括上基板和下基板，所述上基板和所述下基板之间封装有液晶，其特征在于，所述上基板与液晶的接触面之间和/或所述下基板与液晶的接触面之间设置有一离子阻挡层。该广视角液晶显示器件制作工艺在其广视角TFT-LCD制作工艺中，在投入液晶盒单元之前，在下基板与液晶的接触面和/或上基板与液晶的接触面之间制作一离子阻挡层。本发明专利技术在基板与液晶之间增加离子阻挡层，可减少盒内离子渗透入液晶中，减少液晶中离子的数量，降低LCD出现残影的风险。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示器件，尤其涉及一种广视角液晶显示器件及其制作エ艺，可以有效地降低液晶显示器件出现残影的风险。
技术介绍
目前,液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD),为平面超薄的显示设备,它由一定数量的彩色或黒白像素组成，放置于光源或者反射面前方，其主要原理是以电流刺激液晶分子产生点、线、面配合背部灯管构成画面。广视角液晶显示器(如薄膜晶体管显示器,Thin film transistor liquid crystal display,简称TFT-LCD)即从多角度都能清晰地看到显示图像，这种广视角液晶显示器产品市场需求广阔，已成为掌上电脑、智能手机等电子产品的主流配件。目前，客户对广视角液晶显示器产品的性价比要求越来越高，市场竞争也越来越激烈，因而性价比更有优势的产品必将受到市场的欢迎，而对于生产厂家来说， 高良品率、高性能、低成本无疑会提高产品竞争カ和核心竞争力。在使用液晶显示器的时候，可能会发现画面切换之时，前ー个画面不会立刻消失，而是慢慢不见的现象，称这种现象叫做液晶显示器“残影”现象。液晶显示器件的高低温(常温)残影现象，特别是高温残影现象，一直是困扰IXD制造行业的难点问题。因为，盒内离子渗透到液晶内，在长时间通电后，离子会在盒内形成一个附加的弱电场；所以，在切换到灰阶画面后，该弱电场会对液晶分子施加作用，从而导致目视时可见前ー个固定点亮时的画面，即残影现象。残影的出现，导致视觉效果变差，较大地影响了产品的性能。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种广视角液晶显示器件及其制作エ艺，可以降低残影发生的风险。为解决以上技术问题，本专利技术提供的技术方案是，一种广视角液晶显示器件，包括上基板和下基板，所述上基板和所述下基板之间封装有液晶，所述上基板与液晶的接触面之间和/或所述下基板与液晶的接触面之间设置有一离子阻挡层。较优地，所述离子阻挡层为OC材料离子阻挡层，所述OC材料离子阻挡层厚度为I.Oum-3. Oum0较优地，所述离子阻挡层为PI材料离子阻挡层，所述PI材料离子阻挡层厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。较优地，所述离子阻挡层为SiO2材料离子阻挡层，所述Si02材料离子阻挡层厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。在此基础上，本专利技术相应提供一种广视角液晶显示器件制作エ艺，在其广视角TFT-LCD制作エ艺中，在投入液晶盒单元之前，在下基板与液晶的接触面和/或上基板与液晶的接触面之间制作一离子阻挡层。较优地，采用OC材料制作离子阻挡层，其厚度为I. Oum-3. Oum。较优地，采用OC材料制作离子阻挡层的具体步骤为通过旋涂或线涂0C，然后依次进行光刻胶的涂胶、显影、刻蚀和剥离，再在单个面板的对应位置形成OC图案。较优地，采用PI材料制作离子阻挡层，其厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。较优地，采用PI材料制作离子阻挡层的具体步骤为通过移印方式涂布PI，然后进行预固化和主固化，再在单个面板的对应位置形成PI。较优地，采用SiO2材料制作离子阻挡层，其厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。较优地，采用SiO2材料制作离子阻挡层的具体步骤为通过移印方式涂布SiO2，然 后进行预固化和主固化，再在单个面板的对应位置形成SiO2图案与现有技术相比，本专利技术在基板与液晶之间增加了一层离子阻挡层，可以减少盒内离子渗透入液晶中，从而減少液晶中离子的数量，由此大大降低LCD出现残影的风险，提高了产品的性能，具有较好的市场前景。附图说明图I是本专利技术广视角液晶显示器件较优实施例的结构示意图；图2是本专利技术广视角液晶显示器件制作エ艺较优实施例的流程图。图I 图2中，有关附图标记如下I、偏光片;2、ITO层；3、玻璃基板;4、RGB层;5、0/C层;6、PI层;7、BM层；8、离子阻挡层；9、支撑物；10、液晶；11、环氧框；12、离子阻挡层；13、PI层；14、驱动IC ；15 ;玻璃基板；16、偏光片。具体实施例方式本专利技术较优实施例的基本构思是，在广视角液晶显示器(如TFT-LCD)的制作流程增加离子阻挡层，以减少盒内离子渗透入液晶中，从而減少液晶中离子的量，大大降低LCD出现残影的风险。为了使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进ー步的详细说明。參见图1，表示本专利技术广视角液晶显示器件较优实施例的结构示意图。该广视角液晶显示器件从上至下看，主要包括偏光片I、ITO层2、玻璃基板3、RGB层4、0/C层5、PI层6、BM层7、离子阻挡层8、Photo spacer (支撑物)9、液晶10、环氧框11、离子阻挡层12、PI层13、驱动IC 14、玻璃基板15及偏光片16等部件，其中部件I 8位于CF侧(彩色滤光片侧)，即上基板(CF板)ー侧；部件12 16位于TFT侧(薄膜晶体管侧)，即下基板一侧(ARRAY板，阵列板)。如图I所示，所述部件I 16中的主要部件功能为PI层6、13主要起到液晶定向功能；环氧框11 (或其它封装胶)密封功能；BM层(挡光层)7主要其防止漏光功能；CF/TFT偏光片I、16主要产生偏光功能；CF/TFT玻璃基板3、15作用为提供附着平台；RGB层4产生颜色；ΙΤ0层2防止静电；Photo spacer 9起到支撑盒厚作用；液晶10控制光线；0/C层5増加平坦性；离子阻挡层8、12可为0C、PI和SiO2，目的是阻挡离子进入液晶层5内。较优地，该OC材料离子阻挡层厚度为I. Oum-3. Oum ；PI材料或SiO2离子阻挡层材料厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。该实施例中，在上、下基板与液晶之间增加了一层离子阻挡层，由此可以减少盒内离子渗透入液晶中，从而減少液晶中离子的数量，由此大大降低LCD出现残影的风险，提高了产品的性能，具有较好的市场前景。以上对本专利技术广视角液晶显示器件的结构进行了详尽的说明。在此基础上，本专利技术实施例相应提供一种广视角液晶显示器件制作エ艺，可以有效降低LCD出现残影的风险，以下具体描述。參见图2，表示本专利技术广视角液晶显示器件制作エ艺较优实施例的流程图，该制作エ艺主要沿用传统的广视角TFT-LCD的制作流程。在该广视角TFT-LCD的制作流程中在投入CELL (液晶盒单元)前，在下基板(ARRAY板)和/或上基板(CF板)上先制作ー层离子阻挡层(步骤S201);然后，投入液晶盒单元，完成后续广视角TFT-LCD制作流程(步骤 该广视角液晶显示器件制作エ艺中，离子阻挡层的具体制作过程应遵照以下要求(I)エ艺步骤OC主要是通过Spin (旋涂)或Slit (线涂)涂布0C，然后依次进行光刻胶的涂胶、显影、刻蚀和剥离，在单个PANEL (面板)的对应位置形成OC图案；PI和SiO2则是通过移印方式进行涂布，然后进行预固化和主固化，在单个PANEL的对应位置形成PI和SiO2图案。(2)エ艺參数0C膜厚一般要求在I. Oum-3. Oum的范围内；PI和SiO2的膜厚一般要求在500A-1500A的范围内，位置要求覆盖整个AA区(基板与液晶的接触面)。本实施例中，在基板与液晶之间增加了一层离子阻挡本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种广视角液晶显示器件，包括上基板和下基板，所述上基板和所述下基板之间封装有液晶，其特征在于，所述上基板与液晶的接触面之间和/或所述下基板与液晶的接触面之间设置有一离子阻挡层。2.如权利要求I所述的广视角液晶显示器件，其特征在于，所述离子阻挡层为OC材料离子阻挡层，所述OC材料离子阻挡层厚度为I. Oum-3. Oum。3.如权利要求I所述的广视角液晶显示器件，其特征在于，所述离子阻挡层为PI材料离子阻挡层，所述PI材料离子阻挡层厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。4.如权利要求I所述的广视角液晶显示器件，其特征在于，所述离子阻挡层为SiO2材料离子阻挡层，所述Si02材料离子阻挡层厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。5.—种广视角液晶显示器件制作エ艺，其特征在于，在其广视角TFT-IXD制作エ艺中，在投入液晶盒单元之前，在下基板与液晶的接触面和/或上基板与液晶的接触面之间制作离子阻挡层。6.如权利要求5所述的广视角液晶显示器件制作エ艺，其特征在于，采用OC材料制作...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭晓彬，于春崎，胡君文，谢凡，何基强，李建华，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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