衬底支承体制造技术

本发明专利技术涉及一种用于对待处理的衬底或晶片进行容纳并且输送进入或穿过处理设备的衬底支承体。借助本发明专利技术要建立一种衬底支承体，其可以尽可能通用地使用或者说对于具体任务可简单轻松地匹配，并且节约材料。这通过如下方式达到：在由纵向支承体和横向支承体（2、3）构成的框架（1）内，彼此格栅式地交叉地布置有多个纵向接片和横向接片（4、5），从而形成基本格栅用以直接或间接容纳衬底。不仅纵向支承体和横向支承体（2、3）而且纵向接片和横向接片（4、5）都形状配合地彼此连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于对待处理的衬底或晶片进行容纳的并且输送进入或穿过处理设备的衬底支承体。
技术介绍
为了将由玻璃、硅或其他材料构成的衬底或晶片输送进入或穿过处理设备，在半导体工业或光伏工业中使用衬底支承体，该衬底支承体也称为运载器或载体(Boot)或等离子体载体(Plasmaboot)。这种衬底支承体或运载器尤其是当衬底或晶片是特别易损的或特 别薄的且大面积的，以致于直接输送输送衬底或晶片(也就是在没有借助辅助装置的情况下)由于有损坏的危险而不可能时是必要的。衬底支承体或运载器通常由板构成，所述板设置有额外的用于容纳、固定或安放衬底或晶片的机构。所以，WO 02/20871 Al展示了一种晶片支承体/运载器，该晶片支承体/运载器由板构成、配备有多个并排的留空部，用于水平地容纳每个衬底，其中留空部仅具有比衬底略微大的尺寸。在留空部中有三个支脚，在所述支脚上安放衬底。通过所述三点式安放达到尽可能高的电接触安全性，如这对于等离子体处理，例如PECVD (等离子体增强化学气相沉积法)处理，必要的那样。板本身由于耐受性和由于必要的导电性而由石墨构成。在此情况下的方形衬底在平面中的固定通过如下方式来进行所述衬底至少部分陷入留空部中，并且因此在X方向和I方向上固定。留空部被铣削到实心板中并且允许自动地装载衬底或晶片。然而，这种实心等离子体载体的制造由于所需的机械加工而相当高消耗。类似的构造也由WO 02/056338 A2获知。在此，为了平面地水平地输送衬底也使用带有尽可能配合地加工的凹陷部的衬底支承体，该衬底支承体同样相当厚重。带有定位于其上的衬底的衬底支承体在棍子上输送通过处理设备的物料通道(Massetunnel),在物料通道中布置有HF/VHF (高频/甚高频)电极。当然也可以使用其他材料用于衬底支承体，如(碳纤维增强碳复合材料)CFC/CFK(碳纤维增强的塑料)或(碳纤维)CF/陶瓷基质，即所谓的高温基质，或者也使用金属。使用完整的原料板导致巨大的材料使用，并且也导致加工消耗以及比较多的废物。此外，坚固的衬底支承体不能灵活使用，也就是说衬底支承体大多只能使用于特定的处理。这意味着，必须储备许多衬底支承体。因此期望衬底支承体能够尽可能可通用地使用或对于具体任务能够简单地轻易地匹配。
技术实现思路
现在，本专利技术基于如下任务，即，建立一种节约材料的衬底支承体，借助该衬底支承体可以避免现有技术的缺点。本专利技术所基于的任务通过如下方式来解决在由纵向支承体和横向支承体构建的框架内彼此格栅式地交叉地布置有多个纵向接片和横向接片并且所述纵向接片和横向接片彼此连接，从而构建基本格栅来直接或间接容纳衬底。这样设计的衬底支承体的特征在于特别轻质的结构，并且能完全独立地组装，并且能够与任意使用条件匹配。由此，借助根据本专利技术的衬底支承体可以以少的消耗将任意衬底输送通过处理设备，这是因为相应的匹配可以借助专用的适配器来简单进行。在本专利技术的第一设计方案中，不仅纵向支承体和横向支承体而且纵向接片和横向接片形状配合地彼此连接。由此，一方面达到高形状稳定性而另一方面保证了衬底支承体的简单组装和拆分。纵向支承体和横向支承体以及纵向接片和横向接片彼此间形状配合的连接可以简单地通过孔/塞连接和/或嵌接来实现，其中塞具有非圆形的或带角的外部轮廓，并且孔具有形状一致的内部轮廓。 在本专利技术的另一改进方案中，外部纵向支承体分别由上条带和下条带构成，所述上条带和下条带牢固地但可松开地彼此连接，这通过旋紧特别简单地实现。此外，横向接片形状配合地借助如下方式固定在上条带和下条带之间以及在纵向支承体上，即为此布置借助孔/塞连接的形状配合的固定。在本专利技术的另一设计方案中，纵向接片和横向接片配备有一件式的或多件式的容纳设备来安放和固定衬底。这种容纳设备可以依赖于衬底的尺寸和形状完全任意地设计。为了容纳设备的轻松的可固定性，该容纳设备通过销钉、夹子或螺栓固定在纵向接片和横向接片上。此外，容纳设备可以经由插接上的或旋紧的(由陶瓷、石墨或金属构成的)解联件固定在衬底支承体上，以便引起容纳设备与衬底支承体的热学和/电学的解除连接。在本专利技术的另一改进方案中，衬底支承体的单件配备有PyC (热解碳)涂层、SiC-CVD (化学气相沉积)涂层或陶瓷等离子体喷射涂层和/或依赖于使用领域由CFC (碳纤维增强碳复合材料)、CFK (碳纤维增强的塑料)或Iso石墨(合成石墨)或由其他合适材料构成。该涂层用于避免生成微粒以及用于电绝缘。以下以实施例详细地阐述本专利技术。附图说明在相关的附图中示出图I示出了根据本专利技术的衬底支承体的概要示图；图2示出了图I中的细节X。具体实施例方式根据本专利技术的衬底支承体由框架I构成,该框架由纵向支承体和横向支承体2、3限定边界，并且在所述框架中彼此格栅式交叉地布置有多个纵向接片和横向接片4、5。外部纵向支承体分别由上条带和下条带6、7构成,所述上条带和下条带彼此连接。在上条带与下条带6、7之间借助孔/塞连接8形状配合地不仅固定有横向支承体3而且固定有横向接片5。所需的稳定性通过如下方式达到，即，所述塞具有至少非圆形的或带角的外部轮廓，并且所述孔具有形状一致的内部轮廓。由此有利的是仅将上条带与下条带彼此旋紧，以便建立衬底支承体的所需的稳定性。此外，纵向支承体和横向支承体12、3以及横向接片和横向支承体4、5形状配合地通过孔/塞连接8和/或嵌接9以相应方式彼此连接。由此，一方面达到高形状稳定性，并且另一方面保证了衬底支承体的简单组装和拆分。在纵向接片和横向接片4、5上可以布置一件式的或多件式的容纳设备来支承和固定任意衬底或晶片。这种容纳设备可以依赖于衬底的尺寸和形状完全任意地设计。在图2中，横梁10示例性地固定在横向接片5上。 容纳设备可以借助销钉、夹子或螺栓简单地固定在纵向接片和横向接片4、5上。额外地，容纳设备可以经由在其间插接的或旋紧的(由陶瓷、石墨或金属构成的)解联件固定在衬底支承体或纵向支承体上，其中解联件。衬底支承体的单件可以由CFC (碳纤维增强碳复合材料)、CFK (碳纤维增强的塑料)或Iso石墨制造并且为了避免生成微粒而配备有PyC (热解碳)涂层、SiC-CVD (化学气相沉积)涂层或配备有陶瓷等离子体喷射涂层。这样地设计的衬底支承体的特征在于特别轻质的结构，并且该衬底支承体可以完全独立地与任意使用条件匹配。借助于根据本专利技术的用于将由玻璃、硅或其他材料构成的衬底或晶片输送进入或穿过处理设备的衬底支承体，在半导体工业或光伏工业中，使用衬底支承体，该衬底支承体也标称为运载器或载体或等离子体载体。这种衬底支承体或输送工具尤其是当衬底或晶片特别易损或者是特别薄的且大面积的时是必要的。附图标记表I 框架2 纵向支承体3 横向支承体4 纵向接片5 横向接片6 上条带7 下条带8 孔/塞连接9 嵌接10 横梁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.11 DE 102009057790.41.用于对待处理的衬底或晶片进行容纳并且输送到处理设备中或输送通过处理设备的衬底支承体，其特征在于，在由纵向支承体和横向支承体(2、3 )构成的框架(I)内多个纵向接片和横向接片(4、5)彼此格栅式交叉地布置并且相互连接，从而形成基本格栅用于直接或间接容纳衬底。2.根据权利要求I所述的衬底支承体，其特征在于，不仅所述纵向支承体和横向支承体(2、3)，而且所述纵向接片和横向接片(4、5)都形状配合地相互连接。3.根据权利要求2所述的衬底支承体，其特征在干，形状配合的连接通过孔/塞连接(8)和/或嵌接(9)来进行，其中，塞具有至少非圆形的或带角的外部轮廓，并且孔具有形状一致的内部轮廓。4.根据权利要求I和2所述的衬底支承体，其特征在于，外部的所述纵向支承体(2)分别由上条带和下条带(6、7)构成,所述上条带和所述下条带牢固地但能松开地相互连...

【专利技术属性】
技术研发人员：托尔斯滕·科恩迈尔，
申请(专利权)人：KGT石墨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：