三棱柱结构的LED晶体制造技术

本实用新型专利技术涉及一种LED晶体，具体的说是一种三棱柱结构的LED晶体，包括基材，所述基材包括一个第一表面和一个第二表面，还包括位于基材第一表面的棱镜晶体组，其特征在于：所述棱镜晶体组的每个晶体单元呈大小等同的等腰三棱柱结构，且每个晶体单元之间具有相同的水平宽度，并与基材的第一表面之间具有相同的垂直高度；每个晶体单元的顶部通过圆弧过渡。本实用新型专利技术同现有技术相比，在同等电流强度下，增加了LED晶体的发光亮度，并且节约了能源。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种LED晶体，具体的说是ー种三棱柱结构的LED晶体。
技术介绍
目前国内使用的LED晶体大多是利用光学全反射与折射效果，对平面散射光进行一定程度的聚合，其亮度效果一般，而且没有对全反射的光进行回收利用，能源消耗大。
技术实现思路
本技术为了克服现有技术的不足，提供了一种在同个晶体単元上实现水平与垂直方向上的聚光从而使亮度増加，并且在同等的电流强度下能够节约50%的能源的LED晶体。为了实现上述目的，本技术设计了一种三棱柱结构的LED晶体，包括基材，所述基材包括ー个第一表面和ー个第二表面，还包括位于基材第一表面的棱镜晶体组，其特征在于所述棱镜晶体组的每个晶体单元呈大小等同的等腰三棱柱结构，且每个晶体単元之间具有相同的水平宽度，并与基材的第一表面之间具有相同的垂直高度；每个晶体単元的顶部通过圆弧过渡。所述的棱镜晶体组中，每个晶体単元具有相同的水平宽度，其间距为20μπι至60 μ m0所述的棱镜晶体组中，每个晶体单元与基材的第一表面的垂直高度为15μπι至30 μ m0所述的棱镜晶体组中，每个晶体单元的顶部的圆弧半径为4 μ m至8 μ m。本技术同现有技术相比，在同等电流强度下，増加了 LED晶体的发光亮度，并且节约了能源。附图说明图I为本技术的结构示意图。图2为本技术的主视图。參见图I和图2，I为基材；2为第一表面；3为第二表面；4为晶体単元；5为圆弧；6为斜面。具体实施方式以下结合附图对本技术作进ー步描述。如图I和图2所不,本技术包括基材I,该基材I包括ー个第一表面2和ー个第ニ表面3，该基材I的第一表面2作为该基材I的光线射出侧，第二表面3作为该基材I的光线射入侧。棱镜晶体组的每个晶体単元4呈大小等同的等腰三棱柱结构，且每个晶体单元4之间具有相同的水平宽度，其间距为20 μ m至60 μ m，并与基材的第一表面之间具有相同的垂直高度为15 μ m至30 μ m ;姆个晶体单元的顶部通过圆弧5过渡,其圆弧半径为4 μ m至8μπι。每个晶体单元4的两个斜面6中至少有ー个为弯曲延伸曲面，可形成规则的波浪状弯曲以产生曲率变化，进而可以在ニ维方向产生光线折射，以便产生良好的聚光作用，达到增强亮度和节能的作用 。权利要求1.一种三棱柱结构的LED晶体,包括基材,所述基材包括一个第一表面和一个第二表面，还包括位于基材第一表面的棱镜晶体组，其特征在于所述棱镜晶体组的每个晶体单元呈大小等同的等腰三棱柱结构，且每个晶体单元之间具有相同的水平宽度，并与基材的第一表面之间具有相同的垂直高度；每个晶体单元的顶部通过圆弧过渡。2.根据权利要求I所述的三棱柱结构的LED晶体，其特征在于所述的棱镜晶体组中，每个晶体单元具有相同的水平宽度，其间距为20 ii m至60 ii m。3.根据权利要求I所述的三棱柱结构的LED晶体，其特征在于所述的棱镜晶体组中，每个晶体单元与基材的第一表面的垂直高度为15 ii m至30 ii m。4.根据权利要求I所述的三棱柱结构的LED晶体，其特征在于所述的棱镜晶体组中，每个晶体单元的顶部的圆弧半径为4 ii m至8 ii m。专利摘要本技术涉及一种LED晶体，具体的说是一种三棱柱结构的LED晶体，包括基材，所述基材包括一个第一表面和一个第二表面，还包括位于基材第一表面的棱镜晶体组，其特征在于所述棱镜晶体组的每个晶体单元呈大小等同的等腰三棱柱结构，且每个晶体单元之间具有相同的水平宽度，并与基材的第一表面之间具有相同的垂直高度；每个晶体单元的顶部通过圆弧过渡。本技术同现有技术相比，在同等电流强度下，增加了LED晶体的发光亮度，并且节约了能源。文档编号G02B5/04GK202404272SQ20122000193公开日2012年8月29日 申请日期2012年1月5日 优先权日2012年1月5日专利技术者李永奇, 潘群辉, 赵文刚, 高超 申请人:上海赢奔晶体科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高超，赵文刚，李永奇，潘群辉，
申请(专利权)人：上海赢奔晶体科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：