一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚，由坩埚外壳及位于其内的坩埚体组合构成，在两者之间夹置有隔水套；在坩埚体上套有螺旋槽水套，该螺旋槽水套紧夹置于坩埚体和隔水套之间。其冷却效率高，寿命长，易于更换和使用，是实现低成本、高品质的冶金物理法制备太阳能级多晶硅的有效设备。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种坩埚，特别是涉及ー种电子束提纯制取太阳能级多晶硅铸锭用的坩埚。
技术介绍
在信息产业和光伏产业迅猛发展的背景下，太阳能级多晶硅供应严重短缺，这极大的限制了我国光伏产业进一歩的发展。相较于改良西门子法等化学方法，采用冶金法制备太阳能级多晶硅具有成本低、环境友好等诸多优点，而利用电子束熔炼炉进行提纯是冶金法生产多晶硅的重要方法。铸锭坩埚是电子束熔炼炉熔铸金属的重要部件，其工作条件恶劣，在工作中要承受2000°C多度的高温，要有足够的散热能力，保证坩埚不被烧坏，同时要有足够的机械强度，不易破裂与粘埚。另现有铸锭坩埚一般是由坩埚外壳、坩埚体和中间夹置的隔水套一体构成的整体部件，如有哪部份的部件损坏，大多时候是一起报废，单修也及其不便。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚。为实现上述目的，本技术采取以下设计方案—种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚，由坩埚外壳及位于其内的坩埚体组合构成，在两者之间夹置有隔水套；在坩埚体上套有螺旋槽水套，该螺旋槽水套紧夹置于坩埚体和隔水套之间。所述电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚中，所述隔水套及螺旋槽水套均位于铸锭坩埚的上部分。所述电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚中，所述螺旋槽水套冷却水的入水ロ设在螺旋槽水套下腔位置。所述的电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚中，所述的坩埚体为紫铜材质体；所述的螺旋槽水套为铜质体。所述的坩埚外壳、隔水套、螺旋槽水套和坩埚体各为独立的部件。本技术的优点是本电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚在工作中能经受2000°C多度的高温，有足够的机械强度，不易破裂和粘埚，冷却效率高，寿命长，易于更换和使用。坩埚的结构简洁合理，易损件少，且水套形状简单，易于加工制造。附图说明 图I为本技术电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚结构示意图。 以下结合附图及具体实施例对本技术做进ー步详细说明。具体实施方式參阅图I所示，本技术电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚主要包括坩埚外壳I、坩埚体2 (紫铜制)、隔水套3及螺旋槽水套4。所述坩埚外壳I、坩埚体2和隔水套3都是基于现有技术上加以实现，此处不赘述。本技术的创新点在于在坩埚体和隔水套之间增设有ー组螺旋槽水套，该组(可以是ー个，可以是多个并进盘设)螺旋槽水套紧套在坩埚体上。该螺旋槽水套铜质制作，铜质螺旋水套与坩埚体内表面接触，且螺旋水套位于坩埚内的上部为佳，将坩埚内部分为了上、下两部分，入水ロ设在螺旋水套的下腔处，冷却水由下腔进入螺旋水套中，螺旋水套相当于坩埚体的散热翅片，加大了坩埚体与冷却水的接触散热面积 ，使坩埚体可以把熔化金属的热量迅速传给冷却水，提高了坩埚的散热能力，使坩埚在工作中不被烧坏。另所述的坩埚外売、隔水套、螺旋槽水套和坩埚体各为独立的部件，相互组装而成，方便维修和更换。同时，只有坩埚体因与熔化物料接触是易损件，螺旋槽和隔水套是非易损件。因此坩埚的结构简洁合理，易损件少，且水套形状简单，易于加工制造。经过实际使用，证明坩埚冷却效率高，寿命长，易于更换和使用，是实现低成本、高品质的冶金物理法制备太阳能级多晶硅的有效设备。上述各实施例可在不脱离本技术的范围下加以若干变化，故以上的说明所包含及附图中所示的结构应视为例示性，而非用以限制本技术申请专利的保护范围。权利要求1.一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚，由坩埚外壳及位于其内的坩埚体组合构成，在两者之间夹置有隔水套；其特征在于在坩埚体上套有螺旋槽水套组，该螺旋槽水套组紧夹置于坩埚体和隔水套之间。2.根据权利要求I所述的电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚，其特征在于所述隔水套及螺旋槽水套均位于铸锭坩埚的上部分。3.根据权利要求I所述的电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚，其特征在于所述螺旋槽水套冷却水的入水ロ设在螺旋槽水套下腔位置。4.根据权利要求I所述的电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚，其特征在于所述的坩埚体为紫铜材质体；所述的螺旋槽水套为铜质体。5.根据权利要求I所述的电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚，其特征在于所述的坩埚外 壳、隔水套、螺旋槽水套和坩埚体各为独立的部件。专利摘要本技术公开了一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚，由坩埚外壳及位于其内的坩埚体组合构成，在两者之间夹置有隔水套；在坩埚体上套有螺旋槽水套，该螺旋槽水套紧夹置于坩埚体和隔水套之间。其冷却效率高，寿命长，易于更换和使用，是实现低成本、高品质的冶金物理法制备太阳能级多晶硅的有效设备。文档编号C01B33/037GK202400854SQ201120566740公开日2012年8月29日 申请日期2011年12月30日 优先权日2011年12月30日专利技术者刘应宽, 刘振远, 尹中荣, 李全旺, 盛之林 申请人:北京有色金属研究总院本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李全旺，尹中荣，刘应宽，盛之林，刘振远，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，
类型：实用新型
国别省市：