粉末料装料投炉铸锭提纯方法技术

本发明专利技术提供了一种粉末料装料投炉铸锭提纯方法，包括以下步骤：将粉末料压制成圆柱体粉棒；使用硅片铺在坩埚底部和侧壁；将粉棒和粉末料逐层摆放，所述粉棒竖直排列；去除硅料及坩埚上的粉尘；将硅料投炉，取消设备返充气程序，缓速抽真空后铸锭运行。有益效果：本发明专利技术可以不使用废弃层回收料，并能大量使用粉末料装料铸锭提纯；采用本方法提纯粉末料可以不受废弃层回收料库存的限制。

【技术实现步骤摘要】

该专利技术涉及ー种多晶硅铸锭
，具体是ー种将粉料超过90%的硅料装料提纯的方法。
技术介绍
粉末料为流化床法生产硅原料的附属产品，将其用于铸锭提纯时，其易被抽真 空抽出或被返充气吹出，因此铸锭时通常使用大量废弃层回收料覆盖在粉料上面，目前铸锭提纯粉料用量一般不超过50%。所以使用粉末料提纯需要较多的废弃层回收料，并没有真正实现粉末料提纯，且提纯受到废弃层回收料库存的限制。
技术实现思路
本专利技术的目的是，提供一种可以不使用废弃层回收料，井能大量使用粉末料装料铸锭提纯的方法。采用本方法提纯粉末料可以不受废弃层回收料库存的限制。技术方案ー种，包括以下步骤a)将粉末料压制成圆柱体粉棒，b)使用硅片铺在坩埚底部和侧壁；c)将粉棒和粉末料逐层摆放，所述粉棒竖直排列；去除硅料及坩埚上的粉尘；d)将硅料投炉，取消设备返充气程序，缓速抽真空后铸锭运行。最上面一层竖直摆放的粉棒下面铺放ー层硅片；硅片厚度为6-8片。所述坩埚底部和侧壁摆放2-3片完整的硅片。所述硅片片厚100um-300um，尺寸为长156±0. 5mm，宽156 + 0. Smnin所述竖直排列的粉棒层的排列方式为横纵各13排,共169根粉棒。最上面ー层竖直摆放的粉棒上面再横卧摆放ー层粉棒。所述横卧摆放的粉棒层的排列方式为横纵分别为12排和8排，共96根粉棒。所述粉棒的外形尺寸为高85±3臟，底部直径63±2mm。所述硅片上铺放10-15kg粉末料，使其表面平整。有益效果本专利技术可以不使用废弃层回收料，井能大量使用粉末料装料铸锭提纯；采用本方法提纯粉末料可以不受废弃层回收料库存的限制。具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本专利技术的优选实施例进行详细的描述。a.将粉末料压制成高85±3mm，底部直径63±2mm的圆柱体，称为粉棒。b.在坩埚底部铺完整的硅片，厚度为2-3片，在坩埚侧壁每侧竖直摆放完整硅片，厚度为2-3片。c.在硅片上铺放10_15kg粉末料，使其表面平整。d.在粉末料上按13*13竖直摆放169根粉棒。e.在粉棒上铺放10_15kg粉末料，使其表面平整。f.在坩埚侧壁竖直摆放完整硅片，厚度为2-3片。g.在粉末料上按13*13竖直摆放169根粉棒。h.在粉棒上铺放10_15kg粉末料，使其表面平整。i.在坩埚侧壁竖直摆放完整硅片，厚度为2-3片。j.在粉末料上按13*13竖直摆放169根粉棒。k.在粉棒上铺放10_15kg粉末料，使其表面平整。 I.在粉末料表面铺完整的硅片，厚度为6-8片，在坩埚侧壁竖直摆放完整硅片，厚度为2-3片，。m.在硅片上按13*13竖直摆放169根粉棒。η.在最上层按12*8横卧摆放96根粉棒。ο.除去硅料及坩埚表面粉尘，将硅料投入铸锭炉中，若运行程序中有返充气过程将其取消掉，压カ下降速率控制为O. 07±0· 005mbar/s，抽气至炉内压カ小于O. 04mbar即可运行铸锭程序。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于，包括以下步骤 a)将粉末料压制成圆柱体粉棒； b)使用硅片铺在坩埚底部和侧壁； c)将粉棒和粉末料逐层摆放，所述粉棒竖直排列； d)去除硅料及坩埚上的粉尘； e)将硅料投炉，取消设备返充气程序，缓速抽真空后铸锭运行。2.根据权利要求I所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于最上面一层竖直摆放的粉棒下面铺放一层娃片。3.根据权利要求2所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于所述最上面一层竖直摆放的粉棒下面铺放一层娃片厚度为6-8片。4.根据权利要求I所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于最上面一层竖直摆放的粉棒上面再横卧摆放一层粉棒。5.根据权利要求I所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于所述粉棒的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴庆，王禄宝，徐勇，袁志钟，
申请(专利权)人：江苏美科硅能源有限公司，
类型：发明
国别省市：