半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备薄膜晶体管的。
技术介绍
有源矩阵型的液晶显示装置和有机EL显示装置一般包括按每像素形成有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下，“TFT”)作为开关元件的基板(以下，“TFT基板”)；形成有对置电极和彩色滤光片等的对置基板；和设置在TFT基板与对置基板之间的液晶层等光调制层。在TFT基板形成有多个源极配线；多个栅极配线；分别配置在它们的交叉部的多个TFT;用于向液晶层等光调制层施加电压的像素电极；和辅助电容配线和辅助电容电极等。此外，在TFT基板的端部设置有用于将源极配线和栅极配线分别连接至驱动电路的输入端子的端子部。驱动电路既可以在TFT基板上形成，也可以在另外的基板(电路基板)上形成。TFT基板的结构公开在例如专利文献I中。以下，参照附图说明专利文献I中公开的TFT基板的结构。图12(a)是表示TFT基板的概略的示意的平面图，图12(b)是表示TFT基板的一个像素的放大平面图。此外，图13是图12所示的半导体装置的TFT和端子部的截面图。如图12(a)所示，TFT基板具有多个栅极配线2016和多个源极配线2017。由这些配线2016、20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：近间义雅，锦博彦，太田纯史，水野裕二已死亡，原猛，会田哲也，铃木正彦，竹井美智子，中川兴史，春本祥征，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：