一种组合式磁控溅射靶材制造技术

技术编号:7710661 阅读:183 留言:0更新日期:2012-08-25 08:08
本实用新型专利技术公开一种提高利用率的可拆卸的组合式靶材,广泛应用于薄膜太阳能电池低温沉积导电膜层,属于太阳能磁控溅射设备技术领域。其特征在于将靶材划分多个溅射区域,在溅射区域的两头端部,其溅射轨道沟槽最深,中间直道靶材溅射轨道沟槽部分的靶材件是拼接靶材组合件。本实用新型专利技术有效提高了靶材的利用率,结构简单,安装更换方便。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术公开ー种提高利用率的可拆卸的组合式靶材结构,广泛应用于薄膜太阳能电池低温沉积导电膜层,属于太阳能磁控溅射设备

技术介绍
硅基薄膜太阳能电池应用物理气相沉积PVD (PHYSICAL VAPOR DEPOSITION)技木,即磁控溅射镀膜技术,在基片上沉积硅基薄膜太阳能电池的背电极金属氧化物AZO导电薄膜层。常规的磁控溅射镀膜技木,通过在靶材背面放置磁极提供磁场,通过对靶材施加负高压,以靶材作为阴极,基片作为阳极,在靶材与基片之间形成电场。磁控溅射镀膜是利用磁场与电场交互作用,使电子在靶面上螺旋状运行,并不断撞击氩气产生离子,所产生的离子在电场作用下撞向靶面溅射出靶材,沉积在基片上获得所需的导电薄膜层。在使用矩形平面靶材做磁控溅射镀膜时,由于磁场产生的磁力线在靶面分布不均,在磁力线集中的地方,等离子体最強,对应的靶面上由于溅射形成“V”型沟道,此处靶材消耗最快、整个靶不能再使用,成了易损件,出现的问题靶材利用率不高。尤其受阴极端头效应影响,在阴极端头表面离子体的均匀性受等离子体电子跑道转弯处影响,在靶面对角线端部区域,等离子体强靶材消耗多,而在靶材直道区域,靶材消耗较少,这就形成了靶材端部区域和直道区域溅射沟道深度不均匀现象。特别对较昂贵的溅射金属靶材,利用率直接影响到产品成本上升。因此,提高靶材利用率成为需要解决的课题,目前解决办法主要有三种形式ー是采用旋转靶技木,旋转靶能在离子轰击靶材时均匀消的消耗靶材。问题是旋转靶材制造复杂,设备成本较高,并不是所有多材料都能制成旋转靶,使应用受限;ニ是采用移动靶或移动磁场技术,如中国专利申请号201110033285. 3《ー种高利用率的平面磁控溅射靶》公开了通过移动机构带动靶材移动,使溅射位置跟着变化,拉宽了靶溅射区域,但无法解决靶端头效应,靶材溅射沟道深度不均匀的问题;三是将靶材表面制成异形,在溅射损耗大的区域位置制成凸台,如中国专利申请号201020552221. 7《一种长寿命溅射靶材》公开的是一个整体结构的靶材,不能拆卸,,使用时需要不同的模具制造,仍然给靶材和靶的利用率留出待改进的空间。
技术实现思路
本技术针对现有技术存在的问题,提供ー种适用性强,利用率高,可以拆卸和组合的靶材结构,以实现靶材利用的最大化,结构简单、成本低、适用性好。本技术的原理是对靶材溅射消耗的轨道位置和对不同的溅射深度区域一一分区,采用不同厚度的靶材,然后将其组合形成一个完整的靶材,且更换时只需更换消耗尽的靶材即可,实现靶材的最大利用率。本技术根据以上原理提出的技术解决方案是,可拆卸组合式靶材结构,包括两头端部靶材和中间直道靶材、金属板衬垫和背板,其特征在于靶的两头端部还包括溅射轨道沟槽最深的区域,中间直道靶材区域还有溅射轨道沟槽部分,靶的两头端部靶材和中间直道靶材相互衔接的面是个斜面,靶的两头端部靶材斜面压在中间直道靶材的斜面,通过螺栓固定在背板上。所述的靶的两头端部,其靶材厚度大于或等于中间直道区域其靶材厚度。中间直道区域,其靶材至少是ー块可以拆卸的靶材或由多块拼接而成。靶的两头端区域,其靶材厚度大于中间直道区域的靶材厚度。直道靶材的其直道靶材的背部垫装金属板衬垫,使其直道靶材的表面与两头端部靶材的表面平齐。或由中间区域的直道靶材所对应中的间区域的背板与中间直道靶材的接触面增高,使中间直道靶材表面与两头端部靶材的表面平齐。靶材的背板上还设有冷却装置。本技术靶材结构可以任意拆卸和组合,其靶材结构适合磁控溅射平面固定靶或平面移动靶。实施本技术所产生的有益效果由于对靶材进行了分区組合,因此只需更换消耗掉的靶材。杜绝了仅因靶材部分消耗殆尽就做整体靶材报废的浪费处理。节约并提高了靶材的利用率,同时对中间区域采用条块拼接还可进一步提高靶材的利用率,结构简単,安装更换方便。以下结合附图和实施例进ー步说明本技术的内容。图I、是已有技术矩形平面靶材磁控溅射靶材沟道剖面消耗示意图。图2、是本技术实施例I靶材的剖面示意图。图3、是图2中A向视图。图4、是本技术实施例2靶材的剖视示意图。图5、是图4中B向视图.见附图说明图1,其中I表明常规靶材表面消耗殆尽的示意图,L1、L2分别表示靶材两头区域端部和直道区域溅射沟槽,Dl表示靶材端部区域溅射沟槽消耗深度较深,D2表示直道区域溅射沟槽消耗深度较浅且均匀。图2 — 5靶材两端部靶材I 0 I,中间区域为直道靶材102,背板2,靶材金属板衬垫3,固定靶材I与技术背板的衬底3的螺栓4。具体实施方式实施例I本实施例用于固定平面靶在固定磁场溅射薄膜太阳能电池的背电极AZO膜。首先对原有采用整块靶材的耗尽靶材I进行测量,图I所示为一般使用情况下矩形平面靶材磁控溅射靶材沟道剖面消耗示意图,其中端部区域溅射沟槽消耗深度较深,记为D1,直道区域溅射沟槽消耗深度较浅且均匀,记为D2,两个端部消耗较深处区域长度分别记为LI,直道区域长度记为L2,直道区域靶材溅射沟道宽度记为W,溅射沟道内边缘间距记为W1,溅射沟道外边缘与靶边缘的间距记为W2,取ー块尺寸为1600L*400W*10H (mm)的矩形AZO靶材做參考,经过连续多次靶周期的测量,其中Dl=6 9mm,D2= 5. 5 6. 5mm,Ll=120mm ;ff=110 mm, Wl=50mm, W2=80mm,原有祀材结构,端头效应造成了祀材两个端部区域内溅射沟槽多消耗了 3. 5mm的深度,且靶材直道区域存在很大面积未參与溅射。经过测量后,采用本实施例,将组合式靶材作成如下结构(I)直道靶材102厚度IOmm不变,上表面长度1300mm,两个端部靶材101厚度13. 5mm,上表面长度150臟,端部靶材101与直道靶材102制作成15度角拼接,通过螺栓4固定在背板2上。(2)直道靶材102分为5 ±夹,成条形平行相间排列,靶材宽度从左到右依次为45mm、120mm、70mm、120mm、45mm,其中120mm为溅射沟道宽度,为直道靶材102有效利用部分,在使用耗尽后可做更换,而两侧45mm及中间70mm宽度的三块直道靶材102实际不參与消耗,因此可重复使用。(3)靶材的背板上设有冷却装置,该冷却装置主要由循环冷却水管构成,因此背板又称为水冷背板。靶材I与水冷背板2接合时,直道靶材102与水冷背板2中间填加高度为3. 5mm对应形状的金属板衬垫3,直道靶材102在金属板衬垫3上固定,拼接好的直道靶材102表面为ー平面,为保证靶材水冷效果,金属板衬垫3的材料要求表面平整光滑,使金属板衬垫3与水冷背板2接触良好,并要求导热性能良好,能及时并充分利用水冷带走靶材I的热量。由本实施例获得组合式靶材后,当靶材I耗尽后測量,直道靶材102消耗由原来的5. 5 6. 5mm可提高利用到7. 5 8. 5mm,且在更换靶材时,只需更换端部靶材101和直道靶材102的溅射区域,使用本方法可以将矩形平面靶材的利用率提高15% 20%。实施例2见图4,本实施例用于使用移动磁场技术溅射薄膜太阳能电池的背电极Ag膜。如实施例I,首先对原有采用整靶的耗尽靶材I进行测量,取ー块尺寸为1600L*400W*10H(mm)的矩形Ag靶材做參考,经过连续多次靶周期的测量,其中Dl本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种组合式磁控溅射靶材,由两头端部靶材和中间直道靶材、金属板衬垫和背板构成,其特征在于将靶材划分多个溅射区域,在溅射区域的两头端部,其溅射轨道沟槽最深,中间直道靶材溅射轨道沟槽部分的靶材件是拼接靶材组合件,且两头端部靶材厚度大于或等于中间直道靶材厚度。2.根据权利要求I所述的一种组合式磁控溅射靶材,其特征在于所说的两头端部靶材和中间直道靶材相互衔接的面是个斜面。3.根据权利要求2所述的一种组合式磁控溅射靶材,其特征在于所说的两头端部靶材斜面压在中间直道靶材的斜面,通过螺栓固定在背板上。4.根据权利要求2所述的一种组合式磁控溅射靶材,其特征在于所述靶材的背板上设有冷却装置。5.根据权利要求I所述的一种组合式磁控溅射靶材,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:翟宇宁李毅宋光耀刘志斌龙鹏
申请(专利权)人:深圳市创益科技发展有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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