半导体装置制造方法及图纸

技术编号:7705434 阅读:155 留言:0更新日期:2012-08-25 04:32
一种半导体装置(例如,倒装芯片),包括通过中间层与漏极连接点分开的基底层。穿过中间层的沟槽型馈通元件被用于在操作装置时将漏极接触点与基底层进行电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
依据本教导内容的实施例通常属于半导体装置
技术介绍
“倒装芯片(flip chip)”是一种半导体装置,其包括在芯片表面中的一个表面上排列焊料球(solderball)的图案。在制作过程中,焊料球在芯片的上表面上形成。然后通过倒装芯片使得上表面面向下,并且使焊料球与例如电路板上对应的焊盘对齐,可易于将芯片安装到电路板上。在非倒装芯片半导体装置中,栅极和源极接触点在芯片的一个表面(例如上表面)上,同时,漏极接触点在芯片的相反的表面(例如,下表面)上。在倒装芯片中,栅极、源极,和漏极接触点在芯片的同一表面上。为了形成在常规倒装芯片中源极和漏极之间的电路,在漏极120和基底层130之间的外延层150上形成了 “扩散沉降槽(diffusion sinker)”或 “深沉降槽”110,如图I所示。在操作中,电流将以已知的方式从源极140流向并穿过基底,并然后到达漏极。沉降槽是使用绝缘扩散处理形成的,在该处理中,使掺杂剂材料扩散穿过外延层,直到沉降槽与基底接触。但是,随着沉降槽向下(在y方向上)扩散,其还沿着该结构的表面(在X方向上)扩散,并进入电阻性较高的外延层。因此,沉降槽的表面区域相对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.10.30 US 12/610,1481.一种半导体装置,包括 导电性基底层; 漏极接触点,其中,所述基底层通过中间层与所述漏极接触点分开;以及 多个导电性沟槽型馈通元件,所述导电性沟槽型馈通元件被耦接到所述漏极接触点,并穿过所述中间层,其中,所述馈通元件可被操作以用于将所述漏极接触点与所述基底层电连接。2.如权利要求I所述的半导体装置,进一步包括多个源极接触点,其部分地延伸到、但不是完全穿过所述中间层,其中,所述源极接触点和所述馈通元件包括相同的填充材料。3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,所述填充材料包括钨。4.如权利要求2所述的半导体装置,其中,所述馈通元件进一步包括保形涂层,其将所述填充材料与所述中间层分开。5.如权利要求4所述的半导体装置,其中,所述保形涂层包括从以下组中选出的材料,所述组包括钛和氮化钛。6.如权利要求4所述的半导体装置,其中,所述保形涂层包括的钛的厚度大约600埃,并且氮化钛的厚度大约200埃。7.如权利要求I所述的半导体装置,其中,所述装置包括倒装芯片,所述倒装芯片具有在其表面上形成的多个焊料球,其中,所述漏极接触点被耦接到所述焊料球中的至少一个上。8.如权利要求I所述的半导体装置,其中,所述馈通元件被排列在所述装置的漏极区中,其中,所述馈通元件向所述装置的源极区聚集。9.如权利要求I所述的半导体装置,其中,所述馈通元件在其最浅点的深度为大致为8.7微米、所述馈通元件的宽度为大致为O. 9微米,且所述馈通元件的节距大致为I. 7微米。10.一种倒装芯片半导体装置,包括 多个焊料球,包括被耦接到所述装置的第一表面上的漏极接触点的焊料球; 在所述装置的第二表面上的金属层,所述第二表面与所述第一表面相反; 基底层,与所述金属层相邻,其中,所述基底层通过中间层与所述漏极接...

【专利技术属性】
技术研发人员:D帕塔纳雅克K奥阳M卡瑟姆K特里尔R卡特拉罗KI陈C崔Q陈KH鲁伊R许R王
申请(专利权)人:维西埃硅化物公司
类型:发明
国别省市:

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