一种MOSFET功放管的成型结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOSFET功放管的成型结构，包括功放管和若干条功放管引脚，所述功放管引脚均同时与功放管连接。该功放管的成型结构形式简单，安装方便，能够进行批量生产，实现引脚面位置与安装面之间的高度依据实际结构布局成型成特定值，且此结构形式能消除引脚成型的应力，满足安装要求。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种功放管的成型结构，尤其是涉及一种MOSFET功放管的成型结构。
技术介绍
MOSFET是指金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M0SFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的M0SFET，通常又称为NM0SFET与PM0SFET，其他简称尚包括NMOSFET、PM0SFET 坐寸οMOSFET功放管应用于医疗功放系统，实现功率的放大；M0SFET功放管引脚为长条状，引脚面位置与安装面之间的高度依生产厂家设计为定值；但在某医疗功放系统中，由于结构和布局限制，特别是引脚面位置与安装面之间的高度与生产厂家设计的值不一致时，无法满足安装要求。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供一种MOSFET功放管的成型结构，该功放管的成型结构形式简单，安装方便，能够进行批量生产，实现引脚面位置与安装面之间的高度依据实际结构布局成型成特定值，且此结构形式能消除引脚成型的应力，满足安装要求。本技术的目的通过下述技术方案实现一种MOSFET功放管的成型结构，包括功放管和若干条功放管引脚，所述功放管引脚均同时与功放管连接。所述功放管引脚包括依次连接的功放管引脚一、功放管引脚二以及功放管引脚三，所述功放管引脚一与功放管连接。所述功放管引脚二呈U型结构，且开口向下，功放管引脚二的两端分别与功放管引脚一和功放管引脚三连接。所述功放管引脚三的中心线与功放管的底面平行。所述功放管引脚的数量为三条，且均匀分布在功放管的同一个侧壁上。综上所述，本技术的有益效果是该功放管的成型结构形式简单，安装方便，能够进行批量生产，实现引脚面位置与安装面之间的高度依据实际结构布局成型成特定值，且此结构形式能消除引脚成型的应力，满足安装要求。附图说明图I是本技术的结构示意图；图2是功放管引脚的结构图。附图中标记及相应的零部件名称1 一功放管；2—功放管引脚；3—功放管引脚一 ；4一功放管引脚二 ；5—功放管引脚三。具体实施方式下面结合实施例及附图，对本技术作进一步的详细说明，但本技术的实施方式不仅限于此。实施例如图I、图2所示的一种MOSFET功放管的成型结构，包括功放管I和若干条功放管引脚2，所述功放管引脚2均同时与功放管I连接。功放管引脚2实现引脚面位置与安装面之间的高度依据实际结构布局成型成特定值，且此结构形式能消除引脚成型的应力，满足 安装要求。所述功放管引脚2包括依次连接的功放管引脚一 3、功放管引脚二 4以及功放管引脚三5，所述功放管引脚一 3与功放管I连接。功放管引脚一 3设置在功放管I的一个侧壁上，均与功放管I连接，保证安装的美观与简便。MOSFET功放管是指金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管。所述功放管引脚二 4呈U型结构，且开口向下，功放管引脚二 4的两端分别与功放管引脚一 3和功放管引脚三5连接。功放管引脚一 3、功放管引脚二 4、功放管引脚三5依次之间的角度根据实际实用过程设计，最终保证安装的方便。所述功放管引脚三5的中心线与功放管I的底面平行。功放管引脚三5与功放管I的底面平行，就是与安装面平行，使得功放管引脚2安装的简便性与美观。功放管引脚三5的底部与功放管I底部的高度一致，使得安装更加精度。所述功放管引脚2的数量为三条，且均匀分布在功放管I的同一个侧壁上。具体的功放管引脚2的数量根据实际的情况进行设定，保证医疗功放系统中实现功率放大的最好效果。采取上述方式，就能较好地实现本技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET功放管的成型结构，其特征在于包括功放管(I)和若干条功放管引脚(2)，所述功放管引脚(2)均同时与功放管(I)连接。2.如权利要求I所述的一种MOSFET功放管的成型结构，其特征在于所述功放管引脚(2)包括依次连接的功放管引脚一(3)、功放管引脚二(4)以及功放管引脚三(5)，所述功放管引脚一(3)与功放管(I)连接。3.如权利要求2所述的一种MOSFET功放管的成型结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨明宏，
申请(专利权)人：成都芯通科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：