本发明专利技术的名称为应用金属氧化物半导体工艺的共振隧穿器件，其中的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介电层。在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层。在第一器件与相邻器件之间的掺杂多晶硅层上形成一凹陷结区。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·多伊尔，S·达塔，J·布拉斯克，J·卡瓦利罗斯，A·马朱姆达，M·拉多萨夫耶维克，R·仇，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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