半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术揭露了一种半导体装置，该半导体装置包括形成于半导体衬底上方的阱电阻区域，和形成于所述阱电阻区域内的相互保持距离的两个接触区域，在所述阱电阻区域内的相互保持距离的两个接触区域之间的部分表面区域，还形成有与所述阱电阻区域相反导电性的扩散区域。本实用新型专利技术中的半导体装置具有以下优点：一方面，采用反相掺杂的方式改变了阱电阻的横截面积，实现了在阱电阻占有同等宽度和长度的芯片面积下更加大的电阻值；另一方面，采用反相掺杂的方式不需要修改现有工艺流程，与标准工艺兼容。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

半导体装置
本技术涉及电子电路领域，特别涉及一种半导体装置。
技术介绍
集成电路中经常会用到阱电阻，阱电阻通常具有比N+扩散区域电阻或者P+扩散区域电阻更加大的电阻值。请参考图1，其示出了现有技术中的一种阱电阻100的结构示意图。该阱电阻100包括形成于P型衬底110上方的具有第一深度h的N阱电阻区域120，和形成于该阱电阻区 域120内的相互保持距离的两个接触区域130，该接触区域130通常包括N+扩散区域132和与所述N+扩散区域欧姆接触的金属触点134。由于在实际应用中，特别是低功耗应用中，比如静态电流低至3微安以下的电路，通常都需要很大的电阻值来限制各个支路的电流，为此现有技术中一些情况下需要增加阱电阻的电阻值。应当知道的是，对于集成电路工艺，一般对于每一种电阻都有特定的方块电阻值。请继续参考图2，其示出了一种阱电阻方块结构200的结构示意图，当电流方向为从左至右时，也即图示I方向时，或者电流方向为从右至左时。对于该阱电阻方块结构200，其长度为L，横截面积S应该为宽度W和深度h之积，即S = W. h。根据电阻公式可知该阱电阻方块结构200的电阻值R为R =⑴ S hW U AWJ其中P为电阻率。在集成电路中，为了方便计算，通常(I)定义为方块电阻RSq。而L/W被定义为方块数。从俯视图的角度，每个阱电阻都可以被看成以W为边长的多个小方块组成。目前绝大多数集成电路制造工艺都是平面工艺，所以深度h在每个特定工艺中是固定的，电路设计人员无法改变它。而对于特定工艺中特定类型的电阻，其掺杂浓度和制造材料也都是固定的，电路设计人员也无法改变，即P是固定的。所以方块电阻Rsq也是固定的。所以现有技术中，如果需要设计具有很大电阻值的阱电阻时，只能通过减小宽度W和增加长度L来实现。在实现本技术的过程中，本技术人发现现有技术至少存在如下问题 第一，由于在各种特定工艺中，对于每种电子器件都有最小尺寸或者最小间距等工艺限制，所以在需要设计具有很大电阻值的阱电阻时，如果减小宽度W到工艺限制精度时，就只能通过增加长度L来继续增加电阻值，这样将导致阱电阻占据较大的芯片面积。因此，有必要提出一种新的技术方案来解决上述问题。
技术实现思路
本部分的目的在于概述本技术的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和专利技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和专利技术名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本技术的范围本技术的一个目的在于提供一种半导体装置，其包括有占用较小芯片面积的阱电阻器件。为了达到本技术的目的，根据本技术的一个方面，本技术提供一种半导体装置，其包括形成于半导体衬底上方的阱电阻区域，和形成于所述阱电阻区域内的相互保持距离的两个接触区域，其还包括在所述阱电阻区域内的相互保持距离的两个接触区域之间的部分表面区域，还形成有与所述阱电阻区域相反导电性的扩散区域。进一步地，所述阱电阻区域为具有第一长度和第一宽度的矩形区域，所述扩散区域为具有第二长度和第二宽度的矩形区域，所述阱电阻区域与所述扩散区域的长度方向的中心线互相重合，所述第一长度大于第二长度且第一宽度小于第二宽度。进一步地，所述阱电阻区域为具有第一长度和第一宽度的矩形区域，所述扩散区域为具有第三长度和第三宽度的矩形区域，所述阱电阻区域与所述扩散区域的长度方向的中心线互相重合，所述第一长度大于第三长度且第一宽度大于第三宽度。进一步地，所述阱电阻区域为具有第一长度和第一宽度的矩形区域，所述扩散区域为具有第四长度和第四宽度的矩形区域，所述阱电阻区域与所述扩散区域部分重合且长度方向的中心线不重合，所述第一长度大于第四长度。进一步地，所述阱电阻区域为N阱区域，所述扩散区域为P+扩散区域。进一步地，所述接触区域包括N+扩散区域和与所述N+扩散区域欧姆接触的金属触点。进一步地，所述阱电阻区域为P阱区域，所述扩散区域为N+扩散区域。与现有技术相比，本技术中的半导体装置具有以下优点第一，采用反相掺杂的方式改变了阱电阻的横截面积，实现了在阱电阻占有同等宽度和长度的芯片面积下更加大的电阻值；第二，采用反相掺杂的方式不需要修改现有工艺流程，与标准工艺兼容。附图说明结合参考附图及接下来的详细描述，本技术将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中图I为现有技术中的一种阱电阻的结构示意图；图2为现有技术中的一种阱电阻方块结构的结构示意图；图3为本技术中的一种半导体装置制造方法在一个实施例中的方法流程图；图4为本技术中的一种半导体装置在一个实施例中的结构示意图图5A为本技术中的一种半导体装置在一个实施例中的俯视示意图；图5B为图5A所示的半导体装置在A-A切线方向的剖面图；图5C为图5A所示的半导体装置在B-B切线方向的剖面图；图6A为本技术中的一种半导体装置在另一个实施例中的俯视示意图；图6B为图6A所示的半导体装置在A-A切线方向的剖面图；图6C为图6A所示的半导体装置在B-B切线方向的剖面图；图7A为本技术中的一种半导体装置在再一个实施例中的俯视示意图；图7B为图7A所示的半导体装置在A-A切线方向的剖面图；和图7C为图7A所示的半导体装置在B-B切线方向的剖面图。具体实施方式本技术的详细描述主要通过程序、步骤、逻辑块、过程或其他象征性的描述来直接或间接地模拟本技术技术方案的运作。为透彻的理解本技术，在接下来的描述中陈述了很多特定细节。而在没有这些特定细节时，本技术则可能仍可实现。所属领域内的技术人员使用此处的这些描述和陈述向所属领域内的其他技术人员有效的介绍他们的工作本质。换句话说，为避免混淆本技术的目的，由于熟知的方法、程序、成分和电路已经很容易理解，因此它们并未被详细描述。此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本技术至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。此外，表示一个或多个实施例的方法、流程图或功能框图中的模块顺序并非固定的指代任何特定顺序，也不构成对本技术的限制。本技术实施例中提供的半导体装置的一个重点为在阱电阻区域内的相互保持距离的两个接触区域之间的部分表面区域，还形成有与所述阱电阻区域相反导电性的扩散区域。换句话说，通过反相掺杂的方式在阱电阻上形成扩散层，以即减小阱电阻方块电阻值中的横截面积的方式来增加阱电阻的电阻值。 请参考图3，其示出了本技术中的半导体装置制造方法在一个实施例300中的方法流程图。所述半导体装置制造方法300包括步骤320，在半导体衬底上方形成具有第一深度的N阱电阻区域；以N阱电阻为例，首先在P型衬底上方形成具有第一深度h的N阱电阻区域。步骤340，在阱电阻区域内形成相互保持距离的两个接触区域；然后在N阱电阻区域内形成相互保持距离的两个接触区域，此时的半导体装置结构可以部分参考图I所示。步骤360，在阱电阻区域内的相互保持距离的两个接触区域之间的部分表面区域上，通过反相掺杂形成与所述阱电阻区域相反导电性的具有第二深度的扩散区域，其中第一深度大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括形成于半导体衬底上方的阱电阻区域，和形成于所述阱电阻区域内的相互保持距离的两个接触区域，其特征在于 在所述阱电阻区域内的相互保持距离的两个接触区域之间的部分表面区域，还形成有与所述阱电阻区域相反导电性的扩散区域。2.根据权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述阱电阻区域为具有第一长度和第一宽度的矩形区域，所述扩散区域为具有第二长度和第二宽度的矩形区域，所述阱电阻区域与所述扩散区域的长度方向的中心线互相重合，所述第一长度大于第二长度且第一宽度小于第二宽度。3.根据权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述阱电阻区域为具有第一长度 和第一宽度的矩形区域，所述扩散区域为具有第三长度和第三宽度的矩形区域，所述阱电阻区域与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王钊，
申请(专利权)人：无锡中星微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：