基于SOI的后栅型积累模式Si-NWFET制备方法技术

技术编号：7682937 阅读：210 留言：0更新日期：2012-08-16 06:34

本发明专利技术公开了一种基于SOI的后栅型积累模式Si-NWFET制备方法，通过刻蚀SOI衬底上形成的硅层和锗硅层，形成鳍形有源区；在鳍形有源区内形成硅纳米线；接着，在SOI衬底沟道区沉积无定形碳；在栅极沟槽中形成栅极；进行金半合金工艺，去除无定形碳；同时进行沟道隔离介质与层间隔离介质的沉积，形成NMOSFET；接着形成PMOSFET；最后进行合金以及金属互连工艺。本发明专利技术基于SOI的后栅型积累模式Si-NWFET制备方法实现了NMOSFET与PMOSFET结构分离，从而能够独立工艺调试，有效减小PMOSFET的接触孔电阻以提高PMOSFET性能，提高载流子迁移率。