半导体发光芯片制造方法技术

一种半导体发光芯片的制造方法，包括步骤：提供具有磊晶层的基板，该磊晶层包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层；将磊晶层浸入电解质溶液当中，通入电流使电解质溶液蚀刻磊晶层表面而形成孔洞；及在磊晶层上制作电极。该方法制成的半导体发光芯片可破坏发光层的光线在磊晶层表面的反射，从而提升整体的出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光芯片制造方法，特别是指一种。
技术介绍
发光二极管作为一种新兴的光源，目前已广泛应用于多种场合之中，并大有取代传统光源的趋势。发光二极管中最重要的元件为发光芯片，其决定了发光二极管的各种出光参数， 如强度、颜色等。现有的发光芯片通常是由依次生长在基板的N型半导体层、发光层及P型半导体层所组成。通过外界电流的激发，发光芯片的N型半导体层的电子与P型半导体层的空穴在发光层复合而向外辐射出光线。然而，由于发光层辐射出的光线当中有相当部分会被发光芯片与外界环境的交界面所反射回发光芯片内，导致发光芯片的发光效率降低，影响发光二极管的发光强度
技术实现思路
因此，有必要提供一种发光效率较高的半导体发光芯片的制造方法。一种半导体发光芯片的制造方法，包括步骤提供具有磊晶层的基板，该磊晶层包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层；将磊晶层浸入电解质溶液当中，通入电流使电解质溶液蚀刻磊晶层表面而形成孔洞 '及在磊晶层上制作电极。由于使用该方法制造出来的发光芯片的表面被粗化，因此可破坏光线在发光芯片内部的反射，从而增大光线出射的机率，进而提升发光芯片的发光效率。下面参照附图，结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。附图说明图I为本专利技术的第一个步骤。图2为本专利技术的第二个步骤。图3为本专利技术的第三个步骤。图4为本专利技术的第四个步骤。图5从另一视角示出了本方法的第四个步骤。图6示出了经过第四个步骤处理之后的半导体发光芯片。图7为本专利技术的第五个步骤。图8示出了制造完成的半导体发光芯片。主要元件符号说明权利要求1.一种，包括步骤 提供具有磊晶层的基板，该磊晶层包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层； 将磊晶层浸入电解质溶液当中，通入电流使电解质溶液蚀刻磊晶层表面而形成孔洞；及 在磊晶层上制作电极。2.如权利要求I所述的，其特征在于电解质溶液包括草酸。3.如权利要求2所述的，其特征在于磊晶层包括氮化镓材料。4.如权利要求I所述的，其特征在于在将磊晶层浸入电解质溶液之前包括在磊晶层的第二半导体层顶面形成槽道的步骤，第一半导体层暴露在槽道内。5.如权利要求4所述的，其特征在于还包括在形成槽道之后在暴露出来的第一半导体层表面形成保护层的步骤。6.如权利要求5所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于该保护层由二氧化娃制成。7.如权利要求5所述的，其特征在于在蚀刻完磊晶层之后还包括去除保护层的步骤，电极制作在暴露出来的第一半导体层表面。8.如权利要求I至7任一项所述的，其特征在于磊晶层是通过夹具夹持浸入电解质溶液当中的，夹具包括抵接第二半导体层顶面的第一夹持部及抵接基板底面的第二夹持部。9.如权利要求8所述的，其特征在于第一夹持部为正电极。10.如权利要求I至7任一项所述的，其特征在于形成的孔洞的直径介于10_9m至10_7m之间。全文摘要一种半导体发光芯片的制造方法，包括步骤提供具有磊晶层的基板，该磊晶层包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层；将磊晶层浸入电解质溶液当中，通入电流使电解质溶液蚀刻磊晶层表面而形成孔洞；及在磊晶层上制作电极。该方法制成的半导体发光芯片可破坏发光层的光线在磊晶层表面的反射，从而提升整体的出光效率。文档编号H01L33/00GK102623579SQ20111002811公开日2012年8月1日 申请日期2011年1月28日 优先权日2011年1月28日专利技术者凃博闵, 林雅雯, 黄世晟 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：凃博闵，黄世晟，林雅雯，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：