高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路制造技术

高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路，包括器件管壳基座(1)、管脚(9)、上陶瓷基片(2)、下陶瓷基片(12)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、厚膜阻带(5)、厚膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)，上陶瓷基片(2)正面为常规的混合集成电路；背面集成微型热电致冷器(11)和N型半导体(7)及P型半导体(8)；N型半导体(7)、P型半导体(8)两端有引出连接线，填充有绝缘介质(10)；下陶瓷基片(12)背面通过金属膜置于器件管壳基座(1)之上；管脚(9)装在器件管壳基座(1)两端。本集成电路可以解决外界温度在125℃以上或-55℃以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路，具体来说，涉及高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路。
技术介绍
原有的混合电路集成技术中，是将厚膜基片直接装贴在管壳基座上，然后在厚膜 基片上装贴半导体芯片、片式元器件，再采用键合丝(金丝或硅铝丝)进行键合，完成整个电路连接，最后在特定的气氛中将管基和管帽进行密封而成。原技术中由于半导体元器件是温度敏感器件，通常情况下会产生如下影响(I)集成电路构成中的元器件的某些性能参数指标随工作温度的变化会发生较大的漂移，甚至超出规定的使用范围，导致器件不能在规定的温度范围内正常工作，特别是高精密器件。必要时，被迫更换新器件、或降级使用、或采用其他外部散热(或降温)措施进行温度控制。(2)随着温度的升高，器件的可靠性会下降，例如，温度每升高10°C，半导体器件的可靠性就要下降一倍；在工作环境温度较严酷的使用场合，器件的长期可靠性会大幅下降。(3)功率混合集成电路在正常使用情况下，会产生大量的热量，使器件内部工作温度迅速上升；除影响器件的可靠性外，如无可靠的泄热通道，器件将会迅速烧毁，给器件的正常使用带来严重的影响。(4)在一般的使用场合，根据半导体PN结结温的物理特性，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨成刚，苏贵东，
申请(专利权)人：贵州振华风光半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：