一种高亮度LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高亮度LED芯片，基底在同一块基底上，设有至少两个独立的LED芯片单元,采用本技术方案的有益效果是：采用在同一基底上一体生成至少两个LED芯片单元，使得LED芯片单元之间的间隙达到最小化，省略了多个LED芯片单元拼装的工序，降低了光的发散角。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED芯片，特别是涉及一种高亮度LED芯片。
技术介绍
目前，LED芯片在照明或其他光源领域得到飞速的发展和应用，但是目前LED芯片的每一个最终产品，均只包含一个LED芯片单元，在应用中，当需要更大的功率或更大的发光面时，需要将数个LED芯片单元尽可能靠近的拼装在一起，封装工艺复杂，光的发散角较大，难以满足某些高要求的场所的需求。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术的目的是提供一种多个LED芯片一体成型的大发光面的高亮度LED芯片。为达到上述目的，本技术的技术方案是一种高亮度LED芯片，在同一块基底上，设有至少两个相对独立的LED芯片单元。优选的，所述基底包括蓝宝石基底、硅基底、碳化硅基底、铜基底、或铜钨合金基。优选的，所述芯片单元的数量为1+N，其中N为大于零的整数。优选的，所述基底为长方形、正方形、圆形或多边形。优选的，所述每个LED芯片单元的阳极和阴极至少一种相互电绝缘。优选的，所述每个LED芯片单元均并联在一起或分组并联。采用本技术方案的有益效果是采用在同一基底上一体生成至少两个LED芯片单元，使得LED芯片单元之间的间隙达到最小化，省略了多个LED芯片单元拼装的工序，降低了光的发散角。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中图I为本技术一种高亮度LED芯片实施例I的结构示意图。图2为本技术一种高亮度LED芯片实施例2的结构示意图。图3为本技术一种高亮度LED芯片实施例3的结构示意图。图中标号说明1、基底，2、LED芯片单兀。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。实施例1，一种高亮度LED芯片，如图I所示，在同一块基底I上，设有两个相对独立的LED芯片单元2。所述基底I为蓝宝石基底，也可根据需要选择硅基底、碳化硅基底、铜基底、或铜钨合金基底，或其它基底。所谓基底，可以是LED外延片生长后没有进行剥离而保留在外延片上的部分，主要是蓝宝石、硅或碳化硅等；也可以是，在外延片经过加工并剥离衬底后重新粘接到的另一种材料上形成的基底，如硅基底、铜基底、铜钨合金或其它的材料基底。 实施例2，如图2所示，所述基底I为正方形，该基底I上设置有4个LED芯片单元2。实施例3，如图3所示，所述基底为正方形，该基底I上设置有16个LED芯片单元2。上述LED芯片单元2为正方形。上述实施例中，所述芯片单元的数量为1+N，其中N为大于零的整数，即大于I的整数。所述基底为长方形、正方形、圆形或多边形。所述每个LED芯片单元的阳极和阴极至少一种相互电绝缘，即在电气上相互独立，因此可以方便的实现独立控制每个LED芯片单元的点亮或熄灭。或者，所述每个LED芯片单元均并联在一起或分组并联，这样可以同步控制整个LED芯片单元或分组控制每组并联的LED芯片单元，这样引线少，并联的电极可以加大电流容量。上述高亮度LED芯片，将每个LED芯片单元切割下来后，依然可以作为独立的LED芯片使用。采用本技术方案的有益效果是采用在同一基底上一体生成至少两个LED芯片单元，使得LED芯片单元之间的间隙达到最小化，省略了多个LED芯片单元拼装的工序，降低了光的散射角。以上所述的仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。权利要求1.一种高亮度LED芯片，其特征在于，在同一块基底上，设有至少两个相对独立的LED芯片单元。2.根据权利要求I所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述基底包括蓝宝石基底、硅基底、碳化硅基底、铜基底、或铜钨合金基底。3.根据权利要求I所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述芯片单元的数量为1+N，其中N为大于零的整数。4.根据权利要求I到3任一所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述基底为长方形、正方形、圆形或多边形。5.根据权利要求4所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述每个LED芯片单元的阳极和阴极至少一种相互电绝缘。6.根据权利要求4所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述每个LED芯片单元均并联在一起或分组并联。专利摘要本技术公开了一种高亮度LED芯片，基底在同一块基底上，设有至少两个独立的LED芯片单元,采用本技术方案的有益效果是采用在同一基底上一体生成至少两个LED芯片单元，使得LED芯片单元之间的间隙达到最小化，省略了多个LED芯片单元拼装的工序，降低了光的发散角。文档编号H01L27/15GK202373584SQ20112052085公开日2012年8月8日 申请日期2011年12月14日 优先权日2011年12月14日专利技术者熊大曦 申请人:苏州科医世凯半导体技术有限责任公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊大曦，
申请(专利权)人：苏州科医世凯半导体技术有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：