【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有IGBT (绝缘栅双极型晶体管Insulated Gate BipolarTransistor)或功率MOSFET等功率器件的半导体装置，尤其涉及具备耐压保持或短路保护功能的半导体装置。
技术介绍
具有在主电极间施加高电压的功率器件的半导体装置，需要耐压保持和短路保护。即，具有功率器件的半导体装置要求具有高的耐压，且，即使主电极间短路的场合也具有在一定时间内不会令功率器件劣化的短路耐量。为了将功率器件高耐压化，一般使半导体装置具备称为保护环(guard ring)或场板(field plate)的结构。保护环指的是以包围形成功率器件的元件区域的方式形成为环形的PN结区域。保护环以同心圆状设置多个，从而构成耐压保持区域。又，利用保护环的众所周知的效果(作用)来进行在半导体装置的半导体层中的电场缓冲。场板指的是在功率器件的栅电极-漏电极间的衬底表面上隔着绝缘膜配置的电极。场板上往往被施加与功率器件的栅极电压相当的电压。利用场板的众所周知的效果(作用)来进行在半导体装置的半导体层中的电场缓冲。如上所述，为了耐压保持而采用保护环或场板。另一方面，为了提...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。