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本发明提供能够无需扩大具有IGBT或功率MOSFET等的功率器件的半导体装置的耐压保持区域而有效进行耐压保持并且无需进行功率器件的高电阻化而充分提高短路耐量的半导体装置。所述半导体装置的特征在于具备：形成在具有半导体层的半导体衬底上的功率器...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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