半导体器件及制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。形成横向扩散金属氧化物半导体晶体管形成区域中的栅电极、元件隔离膜和漏极区域以及静电放电保护元件形成区域中的栅电极、元件隔离膜和阳极区域，以满足A1≥A2并且B1＜B2的关系，其中，横向扩散金属氧化物半导体晶体管形成区域的栅电极和元件隔离膜的重叠长度为A1，栅电极和漏极区域之间的距离为B1，并且静电放电保护元件形成区域的栅电极和元件隔离膜的重叠长度为A2，栅电极和阳极区域之间的距离为B2。

【技术实现步骤摘要】

本文讨论的实施例涉及一种包括横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管和静电放电(ESD)保护元件的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。
技术介绍
迄今为止，化合物半导体元件已经主要用于处理高频带(微波频带)的信号。然而，在最近几年，已经使用形成在半导体基底中的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管来取代这些化合物半导体元件。LDMOS晶体管的优势在于与化合物半导体元件相比，可以以更低的成本制造LDMOS晶体管。此外，LDMOS晶体管的优势还在于可以相对容易地提高其击穿电压。均在内部包括LDMOS晶体管的半导体器件(集成电路)广泛用于移动电话、无线LAN设备、车载电子设备等中。此外，存在许多在芯片中包括静电放电(ESD)保护元件的半导体器件，其中ESD保护元件用于防止器件的静电击穿。还开发了实现较高放电性能的晶闸管类型的ESD，其具有与LDMOS晶体管几乎相同的结构。专利文献1 :US 专利 No. 5903032专利文献2 US 专利 No. 6144070专利文献3 :日本特开No. 2001-320047专利文献4 日文特开No. 2002-9406
技术实现思路
实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：浅野正义，三谷纯一，
申请(专利权)人：富士通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：