发光二极管元件及其制造方法技术

一种发光二极管元件及其制造方法，所述发光二极管元件包含：一个发光二极管晶元，其具有一个包含P型电极区域与N型电极区域的半导体基体、至少两个配置在所述半导体基体的电极安装表面且分别与所述电极区域电气连接的电极、一个形成于所述电极安装表面上且具有两个曝露对应的电极的穿孔的透光绝缘层、一个形成于所述透光绝缘层的位于P型电极区域的透光绝缘层部分上的金属反射层、一个形成于所述金属反射层上且延伸到所述电极安装表面的保护绝缘层、具有两个各通达对应的电极的导体形成孔的导体形成绝缘层、及形成在所述导体形成孔内使得可与对应的电极电气连接的导体单元；及一个形成在所述发光二极管晶元的与所述电极安装表面相对的表面上的覆盖层，所述覆盖层延伸至所述发光二极管晶元的外侧表面而且由能够透光且掺杂有荧光粉的材料形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
从1996年日亚化学量产白光LED开始，全球LED业者纷纷将研发的重点转移至白光LED。至目前为止，市面上的白光LED的结构多与日亚化学提供的白光LED的结构雷同。 然而，该白光LED的结构存在有若干缺点，该缺点已在本案共同申请人的中国台湾专利技术专利第097146076号申请案中说明，于此恕不再赘述。本案提供一种完全与日亚化学的白光LED的结构不同且能够克服其缺点的白光 LED结构。
技术实现思路
根据本专利技术的一特征，一种发光二极管元件被提供，该发光二极管元件的特征在于包含一个发光二极管晶元，其具有一个包含P型电极区域与N型电极区域的半导体基体、至少两个配置在该半导体基体的电极安装表面且分别与该电极区域电气连接的电极、 一个形成于该电极安装表面上且具有两个曝露对应的电极的穿孔的透光绝缘层、一个形成于该透光绝缘层的位于P型电极区域的透光绝缘层部分上的金属反射层、一个形成于该金属反射层上且延伸到该电极安装表面的保护绝缘层、具有两个各通达对应的电极的导体形成孔的导体形成绝缘层、及形成在该导体形成孔内使得可与对应的电极电气连接的导体单元；及一个形成在该发光二极管晶元的与该电极安装表面相对的表面上的覆盖层，该覆盖层延伸至该发光二极管晶元的外侧表面而且由能够透光且掺杂有荧光粉的材料形成。根据本专利技术的另一特征，一种发光二极管元件被提供，该发光二极管元件的特征在于包含一个发光二极管晶元，其具有一个包含P型电极区域与N型电极区域的半导体基体、至少两个配置在该半导体基体的电极安装表面且分别与该电极区域电气连接的电极、 一个形成于该电极安装表面上且具有两个曝露对应的电极的穿孔的透光绝缘层、一个形成于该透光绝缘层上的金属反射层、一个形成于该金属反射层的位于N型电极区域上的反射层部分上且具有用于曝露该N型电极区域的电极的曝露孔的保护绝缘层、具有两个各通达对应的电极的导体形成孔的导体形成绝缘层、及形成在该导体形成孔内使得可与对应的电极电气连接的导体单元；及一个形成在该发光二极管晶元的与该电极安装表面相对的表面上的覆盖层，该覆盖层延伸至该发光二极管晶元的外侧表面而且由能够透光且掺杂有荧光粉的材料形成。根据本专利技术的又另一特征，一种发光二极管元件被提供，该发光二极管元件的特征在于包含一个发光二极管晶元，其具有一个包含P型电极区域与N型电极区域的半导体基体、至少两个配置在该半导体基体的电极安装表面且分别与该电极区域电气连接的电极、一个形成于该电极安装表面上且具有两个曝露对应的电极的穿孔的透光绝缘层、一个形成于该透光绝缘层上且具有两个各通达对应的电极的导体形成孔的导体形成绝缘层、形成在该导体形成孔内使得可与对应的电极电气连接的导体单元、形成在该导体形成绝缘层上且具有两个各曝露对应的导体单元的一部分的曝露孔的钝化层、及两个各经由该钝化层的曝露孔来与对应的导体单元电气连接的锡球；及一个形成在该发光二极管晶元的与该电极安装表面相对的表面上的覆盖层，该覆盖层延伸至该发光二极管晶元的外侧表面而且由能够透光且掺杂有荧光粉的材料形成。根据本专利技术的再一特征，一种发光二极管元件的制造方法被提供，该方法的特征在于包含提供数个发光二极管晶元，每个发光二极管晶元具有一个包含P型电极区域与N 型电极区域的半导体基体、至少两个配置在该半导体基体的电极安装表面且分别与该电极区域电气连接的电极、一个形成于该电极安装表面上且具有两个曝露对应的电极的穿孔的透光绝缘层、一个形成于该透光绝缘层上且具有两个各通达对应的电极的导体形成孔的导体形成绝缘层、及形成在该导体形成孔内使得可与对应的电极电气连接的导体单元；把该发光二极管晶元以矩阵形式排列在一个支承体的支承表面上；形成一个透光且掺杂有荧光粉的覆盖层在该支承体的支承表面上以致于所有的发光二极管晶元被覆盖；移除该支承体以致于该导体单元露出使得可与外部电路电气连接；及藉由切割处理得到包含至少一个发光二极管芯片的发光二极管元件。根据本专利技术的又一特征，一种发光二极管元件的制造方法被提供，该方法的特征在于包含提供数个发光二极管晶元，每个发光二极管晶元具有一个包含P型电极区域与N 型电极区域的半导体基体、至少两个配置在该半导体基体的电极安装表面且分别与该电极区域电气连接的电极、一个形成于该电极安装表面上且具有两个曝露对应的电极的穿孔的透光绝缘层、一个形成于该透光绝缘层上的金属反射层、一个形成于该金属反射层的位于 N型电极区域上的反射层部分上且具有用于曝露该N型电极区域的电极的曝露孔的保护绝缘层、具有两个各通达对应的电极的导体形成孔的导体形成绝缘层、及形成在该导体形成孔内使得可与对应的电极电气连接的导体单元；把该发光二极管晶元以矩阵形式排列在一个支承体的支承表面上；形成一个透光且掺杂有荧光粉的覆盖层在该支承体的支承表面上以致于所有的发光二极管晶元被覆盖；移除该支承体以致于该导体单元露出使得可与外部电路电气连接；及藉由切割处理得到包含至少一个发光二极管芯片的发光二极管元件。根据本专利技术的又一特征，一种发光二极管元件的制造方法被提供，该方法的特征在于包含提供数个发光二极管晶元，每个发光二极管晶元具有一个包含P型电极区域与N 型电极区域的半导体基体、至少两个配置在该半导体基体的电极安装表面且分别与该电极区域电气连接的电极、一个形成于该电极安装表面上且具有两个曝露对应的电极的穿孔的透光绝缘层、一个形成于该透光绝缘层上且具有两个各通达对应的电极的导体形成孔的导体形成绝缘层、形成在该导体形成孔内使得可与对应的电极电气连接的导体单元、形成在该导体形成绝缘层上且具有两个各曝露对应的导体单元的一部分的曝露孔的钝化层、及两个各经由该钝化层的曝露孔来与对应的导体单元电气连接的锡球，通达与P型电极区域电气连接的电极的导体形成孔也曝露透光绝缘层的位于P型电极区域上的透光绝缘层部分以致于形成于该导体形成孔的导体单元能够作用如金属反射层；把该发光二极管晶元以矩阵形式排列在一个支承体的支承表面上；形成一个透光且掺杂有荧光粉的覆盖层在该支承体的支承表面上以致于所有的发光二极管晶元被覆盖；移除该支承体以致于该导体单元露出使得可与外部电路电气连接；及藉由切割处理得到包含至少一个发光二极管芯片的发光二极管元件。附图说明图I至图5是用于说明本专利技术的第一优选实施例的发光二极管元件的制造方法的示意图；图6为一个显示本专利技术的第一实施例的发光二极管元件的制造方法的变化的示意部分立体图；图7为一个显示本专利技术的第二优选实施例的发光二极管元件的示意剖视图；图8为一个显示本专利技术的第三优选实施例的发光二极管元件的示意剖视图；图9为一个显示本专利技术的第三优选实施例的发光二极管元件的发光二极管芯片的示意剖视图；图10为一个显示本专利技术的第四优选实施例的发光二极管元件的示意剖视图；图11为一个显示本专利技术的第五优选实施例的发光二极管元件的示意剖视图；图12为一个显不本专利技术的第五优选实施例的发光二极管兀件的发光二极管芯片的示意剖视图；图13至图18为显示本专利技术的导体单元的例子的示意平面图。具体实施例方式在后面的本专利技术的优选实施例的详细说明中，相同或类似的元件由相同的标号标示，而且它们的详细描述将会被省略。此外，为了清楚揭示本专利技术的特征，于附图中的元件并非按实际比例描绘。图I至图5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王琮淇，沈育浓，
申请(专利权)人：王琮淇，沈育浓，
类型：发明
国别省市：