本实用新型专利技术公开了一种辊轮溅射污染低的真空磁控溅射镀膜装置，设有溅射室、过渡室，其特征在于：所述溅射室、过渡室的腔体底板设有传送辊轮，所述溅射室在其与过渡室衔接的出口的腔体底板上设置有挡板，所述挡板位于传送滚轴的一侧。本实用新型专利技术通过挡板阻挡溅射粒子通过玻璃传送的间隙溅射到传送辊轴外圈上，降低了溅射粒子对辊轴外圈的污染，大大减少了玻璃在传送过程中因辊轴被溅射而发生划伤及位置偏移的情况，保证了生产的延续性，提高了产品的良品率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种玻璃镀膜设备，具体是一种辊轮溅射污染低的真空磁控溅射镀膜装置。
技术介绍
目前市场上用于大面积玻璃镀膜的磁控溅射设备大部分都采用双端式，有三室的、有五室的，通常锁室同缓冲室之间通过狭缝阀进行分离，而溅射室(溅射区)和过渡室之间是不用隔离的，这样就导致溅射阴极溅射出的粒子通过玻璃传送间隙和传送辊轮下部的空隙溅射到旁边过渡室的传送辊轮上，造成辊轮“O”形圈(B卩外圈)的污染。玻璃到达过渡室时，辊轮会有加速的过程，从而会导致玻璃因“O”形圈被溅射而被划伤或是发生位置偏移的情况，而导致产品报废。
技术实现思路
本技术的技术目的是解决现有技术中存在的问题，提供一种辊轴溅射污染低的玻璃镀膜设备。本技术的技术方案是一种辊轮溅射污染低的真空磁控溅射镀膜装置，设有溅射室、过渡室，其特征在于所述溅射室、过渡室的腔体底板设有传送辊轮，所述溅射室在其与过渡室衔接的出口的腔体底板上设置有挡板，所述挡板位于传送滚轴的一侧。进一步的技术方案还包括所述溅射室在其入口的腔体底板上也设有挡板。所述挡板的顶端高度低于所述传送辊轮上表面3mm。所述挡板与所述传送辊轮相平行。本技术通过使用挡板阻挡溅射阴极的多余粒子从玻璃之间的传送间隙溅射到传送辊轮上，这样可以降低辊轮被污染的几率，延长辊轮“O”形圈的使用寿命，减少玻璃发生划伤及位置偏移的情况发生，从而节约了生产成本，保证了生产的延续性，提高产品的良品率。附图说明图I是本技术的主视结构示意图；图2是本技术的俯视结构示意图。具体实施方式为了阐明本技术的技术方案及技术目的，以下结合附图及具体实施方式对本技术做进一步的介绍。如图所示，一种辊轮溅射污染低的真空磁控溅射镀膜装置，设有溅射室I和过渡室2，所述溅射室I的上部设有旋转阴极12，溅射室I和过渡室2的腔体底板上均设有传送辊轴4，用于传送玻璃。所述溅射室I在其入口及出口处的腔体底板上加装有挡板3，特别是在溅射室I的出口处(即溅射室I与缓冲室2之间的区域)，加装了一块同传送辊轮4平行的2mm厚金属挡板，其顶部的高度低于传送辊轮4上表面3mm，下部焊接在腔体底板上，保证该挡板在不接触玻璃的情况下，最大效果地阻挡溅射室I的多余溅射粒子进入过渡室2，从而减少了过渡室辊轮被污染的几率，延长辊轴“O”形圈的使用寿命，减少玻璃的划伤及位置偏移情况的发生。以上已以较佳实施例公开了本技术，然其并非用以限制本技术，凡采用等同替换或者等效变换方式所获得的技术方案，均落在本技术的保护范围之内。权利要求1 一种辊轮溅射污染低的真空磁控溅射镀膜装置，设有溅射室、过渡室，其特征在于 所述溅射室、过渡室的腔体底板设有传送辊轮，所述溅射室在其与过渡室衔接的出口的腔体底板上设置有挡板，所述挡板位于传送滚轴的一侧。2.根据权利要求I所述的一种辊轮溅射污染低的真空磁控溅射镀膜装置，其特征在于所述溅射室在其入口的腔体底板上也设有挡板。3.根据权利要求I或2所述的一种辊轮溅射污染低的真空磁控溅射镀膜装置，其特征在于所述挡板的顶端高度低于所述传送辊轮上表面3mm。4.根据权利要求3所述的一种辊轮溅射污染低的真空磁控溅射镀膜装置，其特征在于所述挡板与所述传送滚轴相平行。专利摘要本技术公开了一种辊轮溅射污染低的真空磁控溅射镀膜装置，设有溅射室、过渡室，其特征在于所述溅射室、过渡室的腔体底板设有传送辊轮，所述溅射室在其与过渡室衔接的出口的腔体底板上设置有挡板，所述挡板位于传送滚轴的一侧。本技术通过挡板阻挡溅射粒子通过玻璃传送的间隙溅射到传送辊轴外圈上，降低了溅射粒子对辊轴外圈的污染，大大减少了玻璃在传送过程中因辊轴被溅射而发生划伤及位置偏移的情况，保证了生产的延续性，提高了产品的良品率。文档编号C23C14/35GK202347089SQ20112046812公开日2012年7月25日 申请日期2011年11月23日 优先权日2011年11月23日专利技术者林嘉宏 申请人:林嘉宏本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林嘉宏，
申请(专利权)人：林嘉宏，
类型：实用新型
国别省市：
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