一种相变存储器的置位电路及其置位方法技术

本发明专利技术公开了一种相变存储器的置位电路，由可调电压脉冲源与第一开关电路的第一端相连；所述可变斜率电压脉冲源的输出端与NMOS管的栅极相连；所述第一开关电路的第二端和NMOS管的漏极与相变电阻的第一端相连；相变电阻的第二端与选通管的漏极相连；选通管的源极和NMOS管的源极分别接地；可调电压脉冲源在执行置位操作时，输出第一电压脉冲；所述第一开关电路在第一电压脉冲到来时闭合，在第一电压脉冲结束时断开；所述可变斜率电压脉冲源在第一电压脉冲结束时输出线性上升的第二电压脉冲给NMOS管；NMOS管在收到第二电压脉冲时导通。本发明专利技术还公开了应用上述置位电路的置位方法。本发明专利技术实现了对置位操作下降时间的控制，增加了置位操作的成功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及相变存储器，特别涉及。
技术介绍
相变存储器是利用相变材料能够在非晶体和晶体之间两种状态的转换，来存储数据。这种状态的转换主要由相变材料的熔化温度以及结晶温度来决定，可以通过施加不同的热量来实现多晶体和非晶体两种状态。一般情况，将材料从非晶体到多晶体的转化过程称作置位(SET)，从多晶体到非晶体的转化过程称作重置(RESET)。对于重置操作，只需要将温度提升到熔化温度以上然后迅速的冷却便能够达到非晶体的状态，相对来说比较简单。然而对于置位操作，则需要将温度提升到结晶温度以上，熔化温度以下，然后缓慢的冷却结晶。由于置位操作需要温度能够缓慢的下降以便于相变材料能够达到结晶的状态达到低电阻的电学特性，因此对于温度的下降时间有一定的要求。为了实现置位操作，传统的方法是利用电流镜产生中等的脉冲电流，然后通过寄生电容以及相变电阻组成RC网络来实现这种功能。如图I所示，该电路是对GST相变电阻16执行SET和RESET两种写入操作的电路， 包括一个基准电流源10、PMOS管电流镜对11，12和NMOS管电流镜对13，14、传输门15、 GST相变电阻16、选通管17和开关电路18，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑞哲，洪红维，董骁，黄崇礼，
申请(专利权)人：北京时代全芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：