晶片级发光装置封装件及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶片级发光装置封装件及其制造方法，该晶片级发光装置封装件可以包括将发光结构结合到封装基底的聚合物层，聚合物层和封装基底可以包括多个通孔。此外，制造该晶片级发光装置封装件的方法可以包括在发光结构上形成聚合物层、通过施加热和压力将封装基底结合在聚合物层上以及在聚合物层和封装基底中形成多个通孔。

【技术实现步骤摘要】
晶片级发光装置封装件及其制造方法
本公开涉及晶片级发光装置封装件及其制造方法。
技术介绍
近来，电子部件被小型化和轻型化，在发光二极管(LED)领域也是一样。使电子部件小型化和轻型化的技术之一为晶片级封装件。在传统的半导体芯片封装件技术中，以单独的单芯片单元执行用于形成封装件的后续工艺。然而，在晶片级封装件技术中，在晶片上形成多个半导体芯片之后，执行用于封装半导体芯片的一系列组装工艺，然后，通过切割晶片来制造最终产品。因此，近来已积极地进行关于以晶片级封装件制造LED的方法的研究。
技术实现思路
所提供的是晶片级发光装置封装件及其制造方法。在下面的描述中，附加方面将被部分地阐述，部分通过描述将是明显的，或者可以通过提出的实施例的实践而获知。根据本专利技术的一方面，提供了一种晶片级发光装置封装件，该晶片级发光装置封装件包括：发光结构；多个电极焊盘，形成在发光结构的发光表面的相对表面上；聚合物层，形成在发光结构的所述相对表面上以覆盖电极焊盘和发光结构，并且包括形成在聚合物层的与电极焊盘对应的区域中的多个第一通孔；封装基底，形成在聚合物层上并包括在封装基底的与第一通孔对应的区域中的多个第二通孔；以及多个电极，形成在第一通孔和第二通孔中并电连接到电极焊盘。第一通孔可以形成在与电极焊盘对应的位置处并可以暴露电极焊盘的部分。第二通孔可以连接到第一通孔并可以暴露电极焊盘的部分。所述晶片级发光装置封装件还可以包括在第一通孔的内壁与电极之间以及在第二通孔的内壁与电极之间的绝缘层。聚合物层可以由光敏聚合物材料形成。电极可以形成在第一通孔和第二通孔的内壁上并可以电连接到电极焊盘。可以通过用导电材料填充第一通孔和第二通孔来形成电极，并且电极可以电连接到电极焊盘。发光结构还可以包括波纹结构。所述晶片级发光装置封装件还可以包括在发光结构上的磷光体层和光学透镜中的至少一个。绝缘层可以由光敏有机材料形成。发光结构可以包括：n型半导体层；有源层，形成在n型半导体层上；以及p型半导体层，形成在有源层上，其中，电极焊盘包括：n型电极焊盘，在n型半导体层上并与有源层和p型半导体层分隔开；以及p型电极焊盘，在p型半导体层上。发光结构可以包括：n型半导体层；有源层，形成在n型半导体层上；以及p型半导体层，形成在有源层上，其中，电极焊盘包括：n型电极焊盘，在n型半导体层上并与有源层和p型半导体层分隔开；以及p型电极焊盘，在p型半导体层上，并且n型半导体层通过填充在形成于n型半导体层的部分、p型半导体层和有源层中的至少一个通孔中的第一导体连接到n型电极焊盘，并且p型半导体层通过形成在p型电极焊盘的下表面上的第二导体连接到p型电极焊盘。根据本专利技术的另一方面，提供了一种制造晶片级发光装置封装件的方法，所述方法包括下述步骤：在基底上形成发光结构；在发光结构的发光表面的相对表面上形成多个电极焊盘；在发光结构的表面上形成聚合物层以覆盖电极焊盘和发光结构；在聚合物层中与电极焊盘对应的区域中形成多个第一通孔；将封装基底结合到聚合物层上；在封装基底中与第一通孔对应的区域中形成多个第二通孔；在第一通孔和第二通孔的内壁上形成连接到电极焊盘的电极；从发光结构除去基底；以及将发光结构和封装基底分成多个发光装置封装件。形成第一通孔的步骤可以包括通过第一通孔暴露电极焊盘的部分。形成第二通孔的步骤可以包括将第二通孔连接到第一通孔并通过第一通孔和第二通孔暴露电极焊盘的部分。所述方法还可以包括在第一通孔的内壁与电极之间以及第二通孔的内壁与电极之间形成绝缘层。可以由光敏聚合物材料形成聚合物层。可以通过使用从由激光钻孔、干蚀刻和湿蚀刻组成的组中选择的工艺来形成第二通孔。可以通过使用激光剥离方法和抛光方法中的一种方法来执行除去基底的步骤。所述方法还可以包括通过使用蚀刻方法和光刻方法中的一种方法在发光结构上形成波纹结构。所述方法还可以包括在将发光结构和封装基底分成多个发光装置封装件之前在发光结构上形成磷光体层的步骤。所述方法还可以包括在将发光结构和封装基底分成多个发光装置封装件之前在发光结构上形成光学透镜的步骤。可以由光敏有机材料形成绝缘层。形成绝缘层的步骤可以包括：用绝缘材料覆盖第一通孔、第二通孔和电极焊盘；以及通过将形成在电极焊盘上的绝缘材料除去来暴露电极焊盘的部分。可以在晶片级执行形成发光结构的步骤、形成多个电极焊盘的步骤、形成多个第一通孔的步骤、结合封装基底的步骤、形成多个第二通孔的步骤、形成电极的步骤、除去基底的步骤以及将发光结构和封装基底分成多个发光装置封装件的步骤中的至少一个步骤。可以在晶片级执行形成磷光体层的步骤。可以在晶片级执行成型光学透镜的步骤。附图说明通过下面结合附图对实施例进行的描述，这些和/或其他方面将变得明显和更容易理解，附图中：图1是根据本专利技术实施例的晶片级发光装置封装件的示意性剖视图；图2是根据本专利技术实施例的变化形式的晶片级发光装置封装件(的变化形式)的示意性剖视图；图3是根据本专利技术实施例的变化形式的晶片级发光装置封装件(的变化形式)的示意性剖视图；图4是根据本专利技术实施例的变化形式的晶片级发光装置封装件(的变化形式)的示意性剖视图；图5是根据本专利技术实施例的变化形式的晶片级发光装置封装件(的变化形式)的示意性剖视图；图6是根据本专利技术实施例的变化形式的晶片级发光装置封装件(的变化形式)的示意性剖视图；以及图7A至图7K是根据本专利技术实施例的晶片级发光装置封装件的制造方法的示意性剖视图。具体实施方式现在，将参照附图更充分地描述根据本专利技术的晶片级发光装置封装件及制造该晶片级发光装置封装件的方法。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度，并且相同的附图标记代表相同的元件。图1是根据本专利技术实施例的晶片级发光装置封装件100的示意性剖视图。参照图1，晶片级发光装置封装件100可以包括：发光结构10；电极焊盘20，形成在发光结构10的发光表面的相对表面上；聚合物层30，形成在发光结构10的所述相对表面上以覆盖电极焊盘20和发光结构10，聚合物层30包括形成在聚合物层30的与电极焊盘20对应的区域中的第一通孔40；封装基底50，形成在聚合物层30上，并包括在封装基底50的与第一通孔40对应的区域中的第二通孔60；以及电极70，形成在第一通孔40和第二通孔60中并电连接到电极焊盘20。虽然未示出，但晶片级发光装置封装件100可以包括各种类型的发光结构。发光结构10可以包括由例如GaN、InN或AlN的III-V族半导体化合物形成的氮化物半导体二极管。发光结构10可以是III-V族半导体化合物的堆叠结构。此外，发光结构10可以包括n型半导体层、p型半导体层以及形成在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层。多个电极焊盘20可以形成在发光结构10的发光表面的相对表面上。也就是说，发光结构10的所述相对表面可以面对发光结构10的发射光的表面。电极焊盘20可以分别包括n型电极焊盘和p型电极焊盘。聚合物层30可以形成在发光结构10的相对表面上。聚合物层30可以覆盖发光结构10的相对表面的未形成电极焊盘20的区域和电极焊盘20的部分。聚合物层30将发光结构10和封装基底50结合。聚合物层30可以由不导电聚合物材料形成，并且在这种情况下，导电晶片和不导电晶片均可用作封装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.01.13 KR 10-2011-00035531.一种晶片级发光装置封装件，所述晶片级发光装置封装件包括：发光结构；多个电极焊盘，形成在发光结构的发光表面的相对表面上；聚合物层，形成在发光结构的所述相对表面上以覆盖电极焊盘和发光结构，并且包括形成在聚合物层的与电极焊盘对应的区域中的多个第一通孔；封装基底，形成在聚合物层上并包括在封装基底的与第一通孔对应的区域中的多个第二通孔；以及多个电极，形成在第一通孔和第二通孔中并电连接到电极焊盘。2.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件，其中，第一通孔形成在与电极焊盘对应的位置处并暴露电极焊盘的部分。3.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件，其中，第二通孔连接到第一通孔并暴露电极焊盘的部分。4.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件，所述晶片级发光装置封装件还包括在第一通孔的内壁与电极之间以及在第二通孔的内壁与电极之间的绝缘层。5.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件，其中，聚合物层由光敏聚合物材料形成。6.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件，其中，电极形成在第一通孔和第二通孔的内壁上并电连接到电极焊盘。7.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件，其中，通过用导电材料填充第一通孔和第二通孔而形成电极，并且电极电连接到电极焊盘。8.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件，其中，发光结构还包括波纹结构。9.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件，所述晶片级发光装置封装件还包括在发光结构上的磷光体层和光学透镜中的至少一个。10.如权利要求4所述的晶片级发光装置封装件，其中，绝缘层由光敏有机材料形成。11.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件，其中，发光结构包括：n型半导体层；有源层，形成在n型半导体层上；以及p型半导体层，形成在有源层上，其中，电极焊盘包括：n型电极焊盘，在n型半导体层上并与有源层和p型半导体层分隔开；以及p型电极焊盘，在p型半导体层上。12.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件，其中，发光结构包括：n型半导体层；有源层，形成在n型半导体层上；以及p型半导体层，形成在有源层上，其中，电极焊盘包括：n型电极焊盘，在n型半导体层上并与有源层和p型半导体层分隔开；以及p型电极焊盘，在p型半导体层上，并且n型半导体层通过填充在形成于n型半导体层的部分、p型半导体层和有源层中的至少一个通孔中的第一导体连接到n型电极焊盘，并且p型半导体层通过形成在p型电极焊盘的下表面上的第二导体连接到p型电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄圣德，
申请(专利权)人：三星LED株式会社，
类型：发明
国别省市：