光电耦合器电流传输比测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术是一种光电耦合器电流传输比测试装置，它包括电源供电电路，其特点是：还包括光耦测试电路，所述的光耦测试电路具有光耦IC1，光耦IC1的1脚、电流表A1、可变电阻R1、开关S1与电源供电电路的电源VCC连接，光耦IC1的4脚、电流表A2、可变电阻R2与电源VCC连接，光耦IC1的2、3脚并接发光二极管D7、D8与地连接。通过调节可变电阻R1、R2的阻值，使光耦IC1工作在线性放大区，两个电流表A1和A2显示的值就是输入和输出电路，电流传输比CTR就等于电流表A2表的值比电流表A1表的值。能够方便、快捷的测试出光耦的电流传输比CTR，直观的理解光耦电器特性。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于测试领域，是一种光电耦合器电流传输比测试装置。
技术介绍
光电耦合器(以下简称光耦)作为电路隔离器件已经得到了广泛的应用，但如何充分利用光耦隔离、传输的特点是本领域技术人员一直研究而尚未完善的课题。光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降Vf、正向电流If、输出电流Ic、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)·和集电极-发射极饱和压降 Vce(sat)。电流传输比是光耦的重要参数，通常用直流电流传输比来表示，但光耦的电流传输比范围很大，通常在设计、检测和替换时尚不知道光耦电流传输比的具体值，很容易损坏器件，或实现不了应有的功能。那么，快速、准确、方便的测试出光耦的电流传输比是十分重要的。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种能够方便快捷的测试出光耦的电流传输比CTR，直观的理解光耦电器特性的光电耦合器电流传输比测试装置。解决其技术问题所采取的技术方案是，一种光电耦合器电流传输比测试装置，它包括电源供电电路，其特征是还包括光耦测试电路，所述的光耦测试电路具有光耦IC1，光耦ICl的1脚、电流表Al、 可变电阻R1、开关Sl与电源供电电路的电源VCC连接，光耦ICl的4脚、电流表A2、可变电阻R2与电源VCC连接，光耦ICl的2、3脚并接发光二极管D7、D8与地连接。本技术的光电耦合器电流传输比测试装置，通过调节可变电阻Rl、R2的阻值，使光耦ICl工作在线性放大区，两个电流表Al和A2显示的值就是输入和输出电路，电流传输比CTR就等于电流表A2表的值比电流表Al表的值。能够方便、快捷的测试出光耦的电流传输比CTR，直观的理解光耦电器特性。附图说明图1为光电耦合器电流传输比测试装置的电源供电电路原理图。图2为光电耦合器电流传输比测试装置的光耦测试电路原理图。具体实施方式参照图1和图2，本实用的一种光电耦合器电流传输比测试装置包括电源供电电路和光耦测试电路，所述的光耦测试电路具有光耦IC1，光耦ICl的1脚、电流表Al、可变电阻R1、开关Sl与电源供电电路的电源VCC连接，光耦ICl的4脚、电流表A2、可变电阻R2 与电源VCC连接，光耦ICl的2、3脚并接发光二极管D7、D8与地连接。参照图1，电源电路的接线端子J1、J2连接220V电压，变压器Tl前端用热敏电阻 R3和压敏电阻R30做过压过流保护，经变压器Tl后，得到15V交流电，之后采用四个整流二极管D1、D2、D3、D4组成的整流桥，将交流变成直流，稳压芯片U3其型号78L05可以输出稳定的5V电源，电容C1、C2、C3、C4起到滤波的作用，这样可以输出为光耦ICl测试电路提供 5V稳压电源。 参照图2，光耦测试电路由电源VCC供电电路提供5V电压，闭合开关Si,调节可变电阻Rl、R2的阻值，使光耦ICl工作在线性放大区，两个电流表Al和A2显示的值就是输入和输出电路，电流传输比CTR就等于电流表A2表的值比电流表Al表的值。这时，发光二极管D7，D8都被点亮，光耦ICl正向电流If增大或减小，光耦ICl输出电流Ie也随着增大或减小，即光耦ICl电流传输比CTR=Ie/IF。调节可变电阻Rl时，保证光耦ICl正向电流If满足其电器特性，正向电流If最小保证二极管导通，最大不应超过其规定的极限值， 调节可变电阻R2时，应注意可变电阻R2的阻值。在可变电阻R2阻值最大时，不应使输出电流Ic=VCC/R2<IfXCTO,如果输出电流Ic<IFXCTR时，光耦ICl饱和导通，没有工作在放大区，这时的电流传输比CTR会失真；在可变电阻R2阻值最小时，不应使输出电流Ic=VCC/ R2>IfXCTR,如果输出电流IC>IFX CTR时，光耦ICl工作在截止状态，也没有工作在放大区， 这时的电流传输比CTR也会失真。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种光电耦合器电流传输比测试装置，它包括电源供电电路，其特征是还包括光耦测试电路，所述的光耦测试电路具有光耦(IC1)，光耦(ICl)的1脚、电流表(Al)、可变电阻(R1)、开...

【专利技术属性】
技术研发人员：武新旗，王乙童，朱有，阎劲光，魏卓，王晋宇，蒋彬，孙毅成，
申请(专利权)人：深圳市江机实业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：