本发明专利技术公开一种直接显示电流传输比的光耦测量装置，依次包括供电装置、恒流输出装置、被测光耦接口、采样电阻及数显表头，其中：所述采样电阻与所述数显表头并接；所述恒流输出装置设定为测试条件规定的光耦直流输入电流；所述采样电阻的阻值设定为一电压测量常数与所述直流输入电流的比值，该电压测量常数取值为10的整数次幂。本发明专利技术测量装置可直接显示光耦电流传输比测量结果，有效提高了测试效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光耦性能参数的测量和测试领域，特别涉及光耦电流传输比的测量和测试装置。该光耦测量装置可以直接显示电流传输比，因而可有效地提高光耦测试效率。
技术介绍
光耦合器(Opticalcoupler，英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是一种以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，并从输出端流出，从而实现“电-光-电”转换。这种以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于具有体积小、寿命长、无触点、抗干扰能力强、输出和输入之间绝缘、单向传输信号等优点，因而在各种行业上获得广泛的应用。例如，在开关电源中，利用线性光耦合器就可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变开关管的占空比，由此达到开关电源的精密稳压。光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR(Current Transfer Ratio)、输入级与输出级之间的绝缘电阻、输出端的光敏半导体集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。其中，电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比，如下式所示：CTR=ICIF×100%---(1)]]>随着工业的快速发展，在诸多的线性光耦合器应用中，线性光耦合器的电流传输比显得很重要。大部分企业在使用光耦时，都使用直流电源搭建的测试电路，具体电路参见图1。分别测出被测光耦的输入电流IA1与输出电流IA2，然后计算出被测光耦的电流传输比CTR，如下式：CTR=IA2IA1×100%---(2)]]>上述测试方法较为复杂，测试过程中需要记录A1表头和A2表头的数据，然后再进行计算；调节VR1也比较花时间，总体测试时间长，效率低。尤其是在测试不同的直流输入电流IF下的电流传输比CTR，即光耦的电流传输特性曲线图更是不方便。由于效率低，这种测试方法无法对电流传输比CTR要求高的产品进行光耦分档使用。
技术实现思路
有鉴如此，本专利技术的目的是提供一种直接显示电流传输比的光耦测量装置，可以有效提高光耦测试效率。为解决上述技术问题，本专利技术所提供的技术方案是：一种直接显示电流传输比的光耦测量装置，依次包括供电装置、恒流输出装置、被测光耦接口、采样电阻及数显表头，其-->中：所述采样电阻与所述数显表头并接；所述恒流输出装置设定为测试条件规定的光耦直流输入电流；所述采样电阻的阻值设定为一电压测量常数与所述直流输入电流的比值，该电压测量常数取值为10的整数次幂。较优地，所述数显表头设置为不显示小数点的默认状态，量程为20mV、200mV或2000mV；所述电压测量常数相应为1mV、10mV或100mV。较优地，包括自校准电路，连接于所述恒流输出装置与所述采样电阻之间。较优地，所述自校准电路为一开关或一继电器。较优地，所述供电装置为一直流稳压电源。较优地，所述恒流输出装置为一精密恒流源。较优地，所述直流稳压电源的正输出端连接所述精密恒流源的输入脚及被测光耦输入端发光二极管的阳极接线端口；所述直流稳压电源的负输出端连接所述精密恒流源的接地脚及被测光耦输出端光敏半导体管的发射极接线端口；所述精密恒流源的输出脚连接被测光耦输入端发光二极管的阴极接线端口；所述采样电阻的一端连接所述直流稳压电源的正输出端，另一端连接被测光耦输出端光敏半导体管的集电极接线端口；所述自校准电路的一端连接被测光耦输入端发光二极管的阴极接线端口，另一端连接被测光耦输出端光敏半导体管的集电极接线端口；所述数显表头的测量端口与所述采样电阻并接。较优地，所述直流稳压电源的正输出端连接所述精密恒流源的输入脚及被测光耦输出端光敏半导体管的集电极接线端口；所述直流稳压电源的负输出端连接所述精密恒流源的接地脚及被测光耦输入端发光二极管的阴极接线端口；所述精密恒流源的输出脚连接被测光耦输入端发光二极管的阳极接线端口；所述采样电阻的一端连接所述直流稳压电源的负输出端，另一端连接被测光耦输出端光敏半导体管的发射极接线端口；所述自校准电路的一端连接被测光耦输入端发光二极管的阳极接线端口，另一端连接被测光耦输出端光敏半导体管的发射极接线端口；所述数显表头的测量端口与所述采样电阻并接。较优地，所述采样电阻包括多个电阻，所述精密恒流源为一可调精密恒流源，通过一多点测量控制装置同步控制所述可调精密恒流源的输出电流取值及所述采样电阻的取值。较优地，所述多点测量控制装置为一双刀多掷开关或一组继电器。与现有技术相比，本专利技术采用常用器件和通用电压测量仪表，就可对光耦的电流传输比CTR 进行单点、多点测量且直接显示结果。其主要优点在于采用数量不多的普通元件(如通用的数显表头、常见稳压电源等)，而无需采用单片机和软件，就可低成本地快速测量线性光耦的电流传输比CTR及电流传输特性曲线图；由于无需计算就可直接读数，因而提高了测试速度，由此为特殊要求电路进行的光耦分档筛选及来料检验提供了方便、实用的电路装置。-->附图说明图1为现有测试光耦电流传输比的电路原理图；图2为本专利技术直接显示电流传输比的光耦测量装置一较优实施例的原理框图；图3为图2中测试CTR＝406％光耦的显示示意图；图4为图2中以200mV数显表头测量199mV电压的显示示意图；图5为图2所示直接显示电流传输比的光耦测量装置实施例一的电路图；图6为图2所示直接显示电流传输比的光耦测量装置实施例二的电路图；图7为图2所示直接显示电流传输比的光耦测量装置实施例三的电路图；图8为采用200mV量程数显表头替代2000mV量程数显表头的显示示意图。具体实施方式本专利技术的核心在于，光耦输入端电流保持为规定测试条件的直流输入电流，采样电阻的阻值设为电压测量常数与直流输入电流的比值，由此实现直接显示光耦电流传输比测量结果的目的。为了使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步的详细说明。参见图2，为一带自校准功能的直接显示电流传输比的光耦测量装置(以下简称测量装置)一较优实施例的原理框图。该测量装置包括直流稳压电源1、精密恒流源2、被测光耦接口3、自校准电路4、采样电阻5、数显表头6等部件，具体连接关系如下。被测光耦接口3，包括被测光耦输入端发光二极管的阴极接线端口、阴极接线端口，被测光耦输出端光敏半导体管的集电极接线端口、发射极接线端口，以便用于接入被测光耦输入端发光二极管及被测光耦输出端光敏半导体管。精密恒流源2，接入被测光耦接口3的输入端回路，且将其输出电流预设为被测光耦测试条件规定的直流输入电流。当然，也可采用其它恒流输出装置，但最好采用精密恒流源，以便提高本专利技术测量装置的测量精度。采样电阻5，接入被测光耦接口3的输出端回路，其阻值预设为一电压测量常数与直流输入电流的比值。该电压测量常数取值为10的级数，即取值为10的整数次幂(如0.1，1，10，100，......等)，量纲优选为mV，如1mV、10mV或100mV等，以便直接在数显表头6上直接读数；当然也可以伏、微伏本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种直接显示电流传输比的光耦测量装置，其特征在于，依次包括供电装置、恒流输出装置、被测光耦接口、采样电阻及数显表头，其中：所述采样电阻与所述数显表头并接；所述恒流输出装置设定为测试条件规定的光耦直流输入电流；所述采样电阻的阻值设定为一电压测量常数与所述直流输入电流的比值，该电压测量常数取值为１０的整数次幂。
【技术特征摘要】
1.一种直接显示电流传输比的光耦测量装置，其特征在于，依次包括供电装置、恒流输出装置、被测光耦接口、采样电阻及数显表头，其中：所述采样电阻与所述数显表头并接；所述恒流输出装置设定为测试条件规定的光耦直流输入电流；所述采样电阻的阻值设定为一电压测量常数与所述直流输入电流的比值，该电压测量常数取值为10的整数次幂。2.如权利要求1所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置，其特征在于，所述数显表头设置为不显示小数点的默认状态，量程为20mV、200mV或2000mV；所述电压测量常数相应为1mV、10mV或100mV。3.如权利要求1所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置，其特征在于，包括自校准电路，连接于所述恒流输出装置与所述采样电阻之间。4.如权利要求3所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置，其特征在于，所述自校准电路为一开关或一继电器。5.如权利要求1～4任一项所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置，其特征在于，所述供电装置为一直流稳压电源。6.如权利要求5所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置，其特征在于，所述恒流输出装置为一精密恒流源。7.如权利要求6所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置，其特征在于，所述直流稳压电源的正输出端连接所述精密恒流源的输入脚及被测光耦输入端发光二极管的阳极接线端口；所述直流稳压电源的负输出端连接所述精密恒流源的接地脚及被测光耦输出端光敏半导体管的发射极接线端口；所述精密恒流源的输出...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹向阳，王保均，
申请(专利权)人：广州金升阳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：81
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