一种驱动钳位电路、集成电路及开关电源制造技术

技术编号:41010986 阅读:19 留言:0更新日期:2024-04-18 21:47
本发明专利技术涉及一种驱动钳位电路、集成电路及开关电源,所述驱动钳位电路应用于填谷电路的控制芯片,驱动钳位电路包括不同充电能力的三条充电支路和一条放电支路、默认状态下使驱动钳位级的输出保持低电平的下拉电阻R0、由三个串联的钳位二极管和控制钳位二极管是否接入电路的NMOS开关管组成的钳位稳压电路、具有一个PMOS上拉晶体管、一个NMOS上拉晶体管和一个NMOS下拉晶体管的输出驱动级。本发明专利技术在供电电压低于钳位电压和供电电压高于钳位电压时具有不同的工作模式,同时保证了高低供电电压时的正常驱动功能和高供电电压时的钳位保护能力,实现对填谷电路中NMOS开关驱动控制的同时确保其不会因栅极电压过高而击穿。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路,具体涉及一种驱动钳位电路、集成电路及开关电源


技术介绍

1、作为一种低成本、高效率、小体积和轻量化的被动式无源功率因数修正电路,填谷电路被广泛应用于各种电子设备和各种开关电源中。填谷电路的作用是将交流市电整流滤波后的电流波形从窄脉冲形状展开到接近于正弦波形状。该电路的电路构成包括整流桥后面的填谷电路、整流二极管等非线性元器件,利用这些元器件的性质改变电流的波形,使其更接近正弦波。填谷电路中开关管的导通和关断决定了其中的两个电容的串联充电和并联放电,因此对开关管的驱动便显得格外重要,驱动电路的作用是将原本的低压信号或者是不具有驱动能力的信号转换成具有足够驱动能力的信号,保证驱动电路的输出功率管能够提供足够大的充放电电流,使负载电容上的电压快速抬升和下降。除此之外,在驱动电路设计时尤其需要重视的是:要设计合理的驱动输出电压范围,既保证驱动电路能够输出足够高的输出电压使后级电路快速开启又防止输出电压过高导致负载管超过其最大承受电压而损坏。

2、传统的驱动钳位电路单一的使用钳位二极管,会在供电电压高于钳位电压时发生钳位,但是由本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种驱动钳位电路,用于为填谷电路提供驱动信号,其特征在于,所述驱动钳位电路的供电电压为PVDD,输入电压为IN,当PVDD超过所设钳位电压时输出端OUT钳位输出,所述驱动钳位电路包括驱动钳位级、下拉电阻、钳位稳压电路和输出驱动级;所述驱动钳位级包括第一充电支路、第二充电支路、第三充电支路和放电支路;所述输出驱动级包括第一高侧MOS管、第二高侧MOS管和低侧MOS管;

2.根据权利要求1所述的驱动钳位电路,其特征在于,所述第一充电支路包括PMOS晶体管MP1和限流电阻R1,所述第二充电支路包括PMOS晶体管MP2、限流电阻R2,所述第三充电支路包括PMOS晶体管MP3,所述...

【技术特征摘要】

1.一种驱动钳位电路,用于为填谷电路提供驱动信号,其特征在于,所述驱动钳位电路的供电电压为pvdd,输入电压为in,当pvdd超过所设钳位电压时输出端out钳位输出,所述驱动钳位电路包括驱动钳位级、下拉电阻、钳位稳压电路和输出驱动级;所述驱动钳位级包括第一充电支路、第二充电支路、第三充电支路和放电支路;所述输出驱动级包括第一高侧mos管、第二高侧mos管和低侧mos管;

2.根据权利要求1所述的驱动钳位电路,其特征在于,所述第一充电支路包括pmos晶体管mp1和限流电阻r1,所述第二充电支路包括pmos晶体管mp2、限流电阻r2,所述第三充电支路包括pmos晶体管mp3,所述放电支路包括nmos晶体管mn1;pmos晶体管mp1的源极、pmos晶体管mp2的源极、pmos晶体管mp3的源极与供电电压pvdd相连,pmos晶体管mp1的栅极接入钳位初始信号c_start,pmos晶体管mp1的漏极与限流电阻r1的一端相连,pmos晶体管mp2的栅极接入钳位保持信号c_keep,pmos晶体管mp2的漏极与限流电阻r2的一端相连,pmos晶体管mp3的栅极接入非钳位保持信号cn_keep,限流电阻r1的另一端、限流电阻r2的另一端、pmos晶体管mp3的漏极与nmos晶体管mn1的漏极相连后,与第一高侧mos管的栅极连接;nmos晶体管mn1的栅极接入下拉信号pull_dn,nmos晶体管mn1的源极与pgnd相连,pgnd为功率地。

3.根据权利要求2所述的驱动钳位电路,其特征在于,下拉电阻的一端与第一高侧mos管的栅极相连,下拉电阻的另一端与pgnd相连,下拉电阻的阻值远大于限流电阻r1和限流电阻r2的阻值,当驱动钳位级中的开关管均关断时,驱动钳位级通过下拉电阻上的微弱电流将驱动钳位级的输出电位下拉到pgnd。

4.根据权利要求1所述的驱动钳位电路,其特征在于,所述钳位稳压电路包括稳压单元和nmos晶体管mn2,稳压单元的阳极与nmos晶体管mn2的漏极相连,稳压单元的阴极与所述钳位驱动级的输出端、第一高侧mos管的...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕帅康朱智勇罗治民
申请(专利权)人:广州金升阳科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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