一种高线性补偿的电流平整电路制造技术

一种高线性补偿的电流平整电路，它涉及电路电子领域，它解决了目前电流注入补偿单元线性度的不足，达到高线性补偿的目的。它包括电流检测模块和电流注入补偿模块；电流检测模块，用于检测流经密码核心电路的电流Icore产生的变化电流ΔIcore，并转换变化电流ΔIcore为相应的变化电压ΔV，还用于将变化电压ΔV发送给电流注入补偿模块；电流注入补偿模块，用于将变化电压ΔV线性转换为补偿电流ΔIR，并通过补偿电流ΔIR对变化电流ΔIcore进行补偿，使总的电源端检测到的变化电流ΔItot被削平；电流注入补偿模块由放大器A、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4和第五NMOS管M5至第十NMOS管M10组成。本发明专利技术达到隐藏芯片核心电流变化的目的，能够在加密中广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路电子领域，具体涉及高线性补偿的电流平整电路结构用于抵抗密码芯片的差分功耗分析攻击。
技术介绍
智能卡等密码设备在电信、金融、企业安全和政府等各种行业部门中得以广泛应用，其安全的重要性不言而喻。尽管密码设备的嵌入式特性使攻击者无法直接接触密码芯片中的密钥信息，但密码芯片工作时会泄漏一定的功耗、电磁辐射等侧信道信息，差分功耗分析(Differential Power Analysis,DPA)攻击技术利用密钥数据与这些信息之间的相关性，通过数理统计等方式可分析得出密钥的值。由于DPA攻击的非入侵性，普适性且简单易行等特点，其对智能卡等密码芯片的安全性造成了严重威胁。抵抗DPA攻击最基本的思想是消除密码芯片的工作电流与其执行算法时使用的数据的相关性。电流平整技术通过使密码芯片的供电电源端的电流保持相对恒定，消除了密码芯片的功耗与密码算法中数据的相关性，能够增加攻击者的攻击难度，是一种比较实用的防守措施。与其它防护措施相比，电流平整技术具有很多优势。首先，电流平整电路的设计者无需了解原有密码设备的内部算法或电路，且电流平整电路不会影响原有密码芯片的功能；再者，相对其他防护措施，电流平整电路的设计更简单易行。为了达到较好的电流平整效果，电流平整电路中电流补偿单元的线性度就显得非常重要，而现有解决方案中电流补偿单元通常采用简单的跨导放大器，不能有效地解决线性度不足的问题。
技术实现思路
本专利技术为了解决目前电流注入补偿单元线性度的不足，达到高线性补偿的目的， 提出了一种高线性补偿的电流平整电路。本专利技术的高线性补偿的电流平整电路改进了电流注入补偿模块的结构，它包括电流检测模块I和电流注入补 偿模块2 ；电流检测模块1，用于检测流经密码核心电路的电流1。_产生的变化电流Λ Icore, 并转换变化电流Λ 1。_为相应的变化电压AV，还用于将变化电压AV发送给电流注入补偿模块2 ；电流注入补偿模块2，用于将变化电压AV线性转换为补偿电流AIb，并通过补偿电流Λ Ik对变化电流Λ 1。_进行补偿，使总的电源端检测到的变化电流Λ Itot被削平；电流检测模块I分别设置有变化电流Λ Icore采集端和变化电压Λ V输出端；电流注入补偿模块2分别设置有变化电压AV输入端和补偿电流△ Ik输出端；电流检测模块I 的变化电压AV输出端与电流注入补偿模块2的变化电压ΛV输入端连接；电流注入补偿模块2由放大器Α、第三PMOS管M3、第四PMOS管Μ4和第五NMOS管 Μ5至第十NMOS管MlO组成，第三PMOS管M3的栅极与漏极短接并同时与第四PMOS管Μ4的栅极、第五NMOS管M5的漏极、第十NMOS管MlO的漏极连接，第五NMOS管M5的源极和第六NMOS管M6的漏极同时与放大器A的同相输入端连接，第十NMOS管MlO的栅极和第九NMOS管M9的栅极同时与放大器A的输出端连接，第九NMOS管M9的源极和第八NMOS管M8的漏极同时与放大器A的反相输入端连接，第八NMOS管M8的源极与第七NMOS管M7的漏极连接，第三PMOS管M3的源极、第四PMOS管M4的源极和第九NMOS管M9的漏极接电源端 VDD，第六NMOS管M6的源极、第七NMOS管M7的源极和第十NMOS管MlO的源极接地，第六NMOS管M6的栅极接第三偏置电压V。,第七NMOS管M7的栅极接第四偏置电压Vd和第八NMOS管M8的栅极接第五偏置电压Ve ；第四PMOS管M4的漏极为电流注入补偿模块2的补偿电流Λ Ie输出端；第四PMOS 管Μ4的漏极与密码核心电路的地端连接，第五NMOS管Μ5的栅极为电流注入补偿模块2的变化电压Λ V输入端。本专利技术在密码核心电路正常工作时，流经密码核心电路的电流Icore会产生Λ Icore 变化，电流检测模块I迅速检测这些电流变化，并转换为相应的电压变化△ V，然后电流注入补偿模块2将Λ V线性地转换为补偿电流Λ Ie,在总的电源端检测到的总电流变化Λ Itot 将被削平，达到隐藏芯片核心电流变化的目的。附图说明图1是本专利技术高线性补偿的电流平整电路的结构示意图；图2是本专利技术高线性补偿的电流平整电路的电路图；图3是本 专利技术高线性补偿的电流平整电路在O. 18 μ m CMOS工艺下的仿真结果图，该图中曲线O表示经过平整后的电源端的总电流，曲线P表示电流注入模块产生的补偿电流，曲线Q表示密码核心电流的电流。具体实施方式具体实施方式一结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式包括电流检测模块 I和电流注入补偿模块2 ；电流检测模块1，用于检测流经密码核心电路的电流1。_产生的变化电流Λ Icore, 并转换变化电流Λ 1。_为相应的变化电压AV，还用于将变化电压AV发送给电流注入补偿模块2 ；电流注入补偿模块2，用于将变化电压AV线性转换为补偿电流ΛΙΚ，并通过补偿电流Λ Ie对变化电流1。_进行补偿，使总的电源端检测到的变化电流Λ Itot被削平；电流检测模块I分别设置有变化电流Λ Icore采集端和变化电压Λ V输出端；电流注入补偿模块2分别设置有变化电压AV输入端和补偿电流△ Ik输出端；电流检测模块I 的变化电压AV输出端与电流注入补偿模块2的变化电压ΛV输入端连接；电流注入补偿模块2由放大器Α、第三PMOS管M3、第四PMOS管Μ4和第五NMOS管 Μ5至第十NMOS管MlO组成，第三PMOS管M3的栅极与漏极短接并同时与第四PMOS管M4的栅极、第五NMOS管 M5的漏极、第十NMOS管MlO的漏极连接，第五NMOS管M5的源极和第六NMOS管M6的漏极同时与放大器A的同相输入端连接，第十NMOS管MlO的栅极和第九NMOS管M9的栅极同时与放大器A的输出端连接，第九NMOS管M9的源极和第八NMOS管M8的漏极同时与放大器A的反相输入端连接，第九NMOS管M9的源极与第八NMOS管M8的漏极短接并反 馈至放大器A的反相输入端构成负反馈；第八NMOS管M8的源极与第七NMOS管M7的漏极连接，第三PMOS管M3的源极、第四PMOS管M4的源极和第九NMOS管M9的漏极接电源端 VDD，第六NMOS管M6的源极、第七NMOS管M7的源极和第十NMOS管MlO的源极接地，第六NMOS管M6的栅极接第三偏置电压V。,第七NMOS管M7的栅极接第四偏置电压Vd和第八NMOS管M8的栅极接第五偏置电压Ve ;第三偏置电压V。、第四偏置电压Vd和第五偏置电压V6可从外部偏置电路获得；第四PMOS管M4的漏极为电流注入补偿模块2的补偿电流Λ Ie输出端；第四PMOS 管Μ4的漏极与密码核心电路的地端连接，第五NMOS管Μ5的栅极为电流注入补偿模块2的变化电压Λ V输入端，第五NMOS 管Μ5的栅极接电流检测模块I中M2的漏极，电路中第五NMOS管Μ5用作源跟随器，第六NMOS管Μ6工作在放大区，第十NMOS 管MlO工作在饱和区；第九NMOS管Μ9的尺寸设计得较大，由于第七NMOS管Μ7、第八NMOS 管Μ8和放大器A的调节作用，第九NMOS管Μ9的源极节点电压与第六匪OS管Μ6的漏源电压相等。具体实施方式二 结合图2说明本实施方式，本实施方式与具体实施方式一不同点在于电流检测模块I由第一 NMOS管Ml、第二 NMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高线性补偿的电流平整电路，其特征在于它包括电流检测模块(1)和电流注入补偿模块(2)；电流检测模块(1)，用于检测流经密码核心电路的电流Icore产生的变化电流ΔIcore，并转换变化电流ΔIcore为相应的变化电压ΔV，还用于将变化电压ΔV发送给电流注入补偿模块(2)；电流注入补偿模块(2)，用于将变化电压ΔV线性转换为补偿电流ΔIR，并通过补偿电流ΔIR对变化电流ΔIcore进行补偿，使总的电源端检测到的变化电流ΔItot被削平；电流检测模块(1)分别设置有变化电流ΔIcore采集端和变化电压ΔV输出端；电流注入补偿模块(2)分别设置有变化电压ΔV输入端和补偿电流ΔIR输出端；电流检测模块(1)的变化电压ΔV输出端与电流注入补偿模块(2)的变化电压ΔV输入端连接；电流注入补偿模块(2)由放大器A、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4和第五NMOS管M5至第十NMOS管M10组成，第三PMOS管M3的栅极与漏极短接并同时与第四PMOS管M4的栅极、第五NMOS管M5的漏极、第十NMOS管M10的漏极连接，第五NMOS管M5的源极和第六NMOS管M6的漏极同时与放大器A的同相输入端连接，第十NMOS管M10的栅极和第九NMOS管M9的栅极同时与放大器A的输出端连接，第九NMOS管M9的源极和第八NMOS管M8的漏极同时与放大器A的反相输入端连接，第八NMOS管M8的源极与第七NMOS管M7的漏极连接，第三PMOS管M3的源极、第四PMOS管M4的源极和第九NMOS管M9的漏极接电源端VDD，第六NMOS管M6的源极、第七NMOS管M7的源极和第十NMOS管M10的源极接地，第六NMOS管M6的栅极接第三偏置电压Vc，第七NMOS管M7的栅极接第四偏置电压Vd和第八NMOS管M8的栅极接第五偏置电压Ve；第四PMOS管M4的漏极为电流注入补偿模块(2)的补偿电流ΔIR输出端；第四PMOS管M4的漏极与密码核心电路的地端连接，第五NMOS管M5的栅极为电流注入补偿模块(2)的变化电压ΔV输入端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王晨旭，王新胜，喻明艳，王进祥，韩志伟，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学威海，
类型：发明
国别省市：