本发明专利技术公开了一种控制离子均匀注入的二维扫描同步的方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。系统主要由运动控制卡(1)、移动法拉第电机(2)、移动法拉第杯(3)、剂量控制器(4)、位置平衡板(5)、直线电机(6)和计算机(实时系统)(7)构成。由计算机(实时系统)(7)向运动控制卡(1)发命令控制移动法拉第电机(2)和直线电机(6)，并产生两个同步信号。产生的两个同步信号由位置平衡板(5)自动分时采集，并产生信号触发剂量控制器(4)产生扫描波形。移动法拉第电机(2)带动移动法拉第杯(3)采集束流，送到剂量控制器(4)。剂量控制器(4)和计算机(实时系统)(7)相连。本发明专利技术能够实现离子均匀注入二维扫描的同步，实现离子二维注入的均匀性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设计一种控制离子均勻注入的二维扫描同步的方法，特别的涉及离子注入机，属于半导体器件制造领域。
技术介绍
离子注入机是半导体器件制造中最关键的掺杂设备之一，是一种通过引导杂质注入半导体晶片，从而改变晶片传导率的设备，其中杂质注入的深度和密度的均勻性都直接决定了注入晶片的品质。离子注入机均勻性控制技术是离子注入机的关键技术之一，其工作原理是基于各种控制与测量方法和装置将离子按设定的剂量均勻地、精确地注入到整个晶片表面。为了保证片上浅结晶体管和场效应管的性能稳定和重复，在离子注入掺杂过程中，要求对注入剂量、注入能量、注入的重复性、注入的角度、注入元素纯度以及注入剂量的均勻性实时精确的闭环控制和进行全自动调整。目前，国内传统的离子注入机整机控制还处在半自动状态，离子注入掺杂的剂量均勻性控制更是一个空白，不能满足微纳米器件制造中半导体掺杂工艺的要求。
技术实现思路
本专利技术是针对现有技术中离子注入机无均勻注入的二维扫描同步方法这一问题而提出的一种离子均勻注入的二维扫描同步的方法，该专利技术应用于离子注入机，可以解决离子注入时二维扫描同步的问题，使离子二维注入达到均勻性标准。本专利技术通过以下技术方式实现一种离子均勻性注入的二维扫描同步系统，主要包括运动控制卡(1)、移动法拉第电机O)、移动法拉第杯(3)、剂量控制器G)、位置平衡板(5)、直线电机(6)和计算机 (实时系统)(7)。计算机(实时系统)(7)和运动控制卡(1)相连，通过运动控制卡(1)控制直线电机(6)运动，同时发出同步信号P. E.Q1，直线电机每移动一个等距离，P. E. Ql (8) 输出电平发生一次翻转；控制移动法拉第电机( 运动，移动法拉第电机( 每移动一个等距离，同时产生一个同步脉冲信号P. E.Q2 (9)。位置平衡板(5)自动分时采集两路同步信号P. E. Ql和P. E. Q2，当P. E. Ql或P. E. Q2出现一个上升沿信号，位置平衡板(5)产生一个 50us宽的同步脉冲信号P. E. Q(IO)，触发剂量控制器(4)输出一个扫描波形(11)。同时移动法拉第电机( 带动移动法拉第杯( 采集束流送到剂量控制器，经过积分送到计算机(实时系统)(7)，计算机(实时系统)(7)对束流值进行处理，通过运动控制卡(1)控制直线电机(6)和移动法拉第电机(2)的运动。本专利技术具有如下显著优点1、移动法拉第电机定位准确，定位精度可达0. Imm ；2、计算机运行实时系统，具有很高的实时性，能提供Ius的定时精度；3、能够实现二维扫描注入的同步，实现注入分布的均勻性。附图说明图1为本专利技术的一种离子均勻注入的二维扫描同步原理图。图2为本专利技术的同步信号的时序图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步的介绍，但不作为本专利技术的限定。参考图1，一种离子均勻注入的二维扫描同步方法，由运动控制卡(1)控制直线电机(6)和移动法拉第电机(2)运动，同时发出同步信号P. E. Ql和P. E. Q2，位置平衡板(5)自动分时采集这两路同步信号，当P. E.Q1或P. E. Q2出现一个上升沿信号，位置平衡板(5)产生一个50us宽的同步脉冲信号P. E. Q(IO)，触发剂量控制器(4)输出一个扫描波形(11)。 同时移动法拉第电机( 带动移动法拉第杯C3)采集束流送到剂量控制器G)，经过积分送到计算机(实时系统)(7)，计算机(实时系统)(7)对束流值进行处理，通过运动控制卡 (1)控制协调直线电机(6)和移动法拉第电机O)的运动。本专利技术的特定实施例已对本专利技术的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本专利技术精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，或者惯用手段的直接替换，都构成对本专利技术专利的侵犯，将承担相应的法律责任。权利要求1.一种控制离子均勻注入的二维扫描同步的方法，其特征在于运动控制卡(1)、移动法拉第电机( 、移动法拉第杯C3)、剂量控制器(4)、位置平衡板( 、直线电机(6)和计算机(实时系统)(7)。2.如权利要求1所述的一种离子均勻注入的二维扫描同步方法，其特征在于运动控制卡(1)控制直线电机(6)运动，同时发出同步信号P. E.Q1，直线电机每移动一个等距离， P. E. Ql (8)输出电平发生一次翻转。3.如权利要求1所述的一种离子均勻注入的二维扫描同步方法，其特征在于运动控制器(1)控制移动法拉第电机( 运动，移动法拉第电机( 每移动一个等距离，同时产生一个同步脉冲信号P. E. Q2 (9)。4.如权利要求1所述的一种离子均勻注入的二维扫描同步方法，其特征在于位置平衡板(5)自动分时采集两路同步信号P. E. Ql和P. E. Q2，，当P. E. Ql或P. E. Q2出现一个上升沿信号，位置平衡板( 产生一个50us宽的同步脉冲信号P. E. Q(IO)，触发剂量控制器 (4)输出一个扫描波形(11)。5.如权利要求1所述的一种离子均勻注入的二维扫描同步方法，其特征在于移动法拉第电机( 带动移动法拉第杯C3)采集束流送到剂量控制器G)，经过积分送到计算机 (实时系统)(7)，计算机(实时系统)(7)对束流值进行处理，并向运动控制卡(1)发送命令，控制直线电机(6)和移动法拉第电机(2)的运动。全文摘要本专利技术公开了，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。系统主要由运动控制卡(1)、移动法拉第电机(2)、移动法拉第杯(3)、剂量控制器(4)、位置平衡板(5)、直线电机(6)和计算机(实时系统)(7)构成。由计算机(实时系统)(7)向运动控制卡(1)发命令控制移动法拉第电机(2)和直线电机(6)，并产生两个同步信号。产生的两个同步信号由位置平衡板(5)自动分时采集，并产生信号触发剂量控制器(4)产生扫描波形。移动法拉第电机(2)带动移动法拉第杯(3)采集束流，送到剂量控制器(4)。剂量控制器(4)和计算机(实时系统)(7)相连。本专利技术能够实现离子均匀注入二维扫描的同步，实现离子二维注入的均匀性。文档编号H01J37/302GK102543642SQ201010621908公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月27日 优先权日2010年12月27日专利技术者伍三忠, 刘世勇, 孙勇, 彭立波, 曹远翔, 李慧, 谢均宇 申请人:北京中科信电子装备有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：伍三忠，李慧，彭立波，谢均宇，孙勇，曹远翔，刘世勇，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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