【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及三端双向可控硅开关(triac)，并且更具体地涉及在四触发象限中具有类似的灵敏度的三端双向可控硅开关。
技术介绍
这里考虑竖直的三端双向可控硅开关，即包括在所谓的后表面上的第一主电极 (A2)以及在相反或前表面上的第二主电极(Al)以及栅极电极(G)的三端双向可控硅开关。 通常，三端双向可控硅开关包括形成两个头尾晶闸管的并排的PNPN结构和NPNP结构。前表面的一部分专用于触发或栅极结构并且当在栅极电极和主前表面电极之间施加电压时允许触发该晶闸管，该晶闸管对于所施加的电压适当地偏置。当前，三端双向可控硅开关形成于基本上为正方形的轮廓内，PNPN晶闸管和NPNP 晶闸管基本上占用一半的有用表面积，并且该表面积的一小部分专用于触发结构，该触发结构通常布置于该正方形的角处。根据存在于主电极和栅极电极上的电压一般地区域分四个触发象限。将A2称为主后表面电极，而将Al称为主前表面电极，并且考虑到用作栅极的参考的主电极Al处于零电压，四个象限Ql、Q2、Q3和Q4如下来限定权利要求1.一种竖直四象限三端双向可控硅开关，其中布置在前表面侧上的栅极区域包括第一导电类型的U形区域(XT)，所述U形的底部抵靠该结构的一边，第二导电类型的主前表面区域0 在所述栅极区域的前面延伸并且被第一导电类型的主前表面区域的部分(21，22) 包围。2.根据权利要求1所述的三端双向可控硅开关，其中所述第一导电类型的两个主前表面区域(21、2幻在第一导电类型的区域中相接，该第一导电类型的区域将第二导电类型的栅极区域与第二导电类型的主区域05)隔开。3.根据权利要求1所述的三端双...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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