一种基片承载装置及应用该装置的基片处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基片承载装置，用于承载基片，其包括至少一个托盘，并且各托盘均具有两个相反的用于承载所述基片的盘面。在应用本发明专利技术提供的基片承载装置进行工艺时，与目前常用的同等尺寸的基片承载装置相比，可承载更多的基片，从而能够有效提高设备产能及工艺气体利用率。此外，本发明专利技术还提供一种应用上述基片承载装置的基片处理设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子生产
，具体地，涉及一种基片承载装置及应用该基片承载装置的基片处理设备。
技术介绍
在微电子产品制造领域中，金属有机化合物化学气相淀积技术(Metal OrganicChemical Vapor D印osition，以下简称MOCVD)作为一种生长III-V族、II-VI族化合物及合金等的薄层单晶的主要方法，具有对组分层厚界面控制精确、维护费用低、易于规模化生产等的优点。因此，该技术被广泛应用于砷化镓、磷化铟、氮化镓等光电子材料的生产工艺中。请参阅图1，为一种MOCVD设备的系统原理图。该设备通常包括工艺腔室、供气系统、尾气处理系统、传输系统等几大组成部分。现阶段，上述MOCVD设备普遍存在单台设备产能和工艺气体利用率较低的问题，因而在光电子材料的生产成本中，设备折旧及运行成本占有很高的比重。因此，如何在保证产品良率的同时进一步提高MOCVD设备产能并降低运行成本(提高气体利用率，减少气体消耗)一直是亟需本领域技术人员解决的重要课题。请一并参阅图2A和图2B，为一种已知的用于MOCVD外延反应的工艺腔室结构。该工艺腔室中设用一种行星式分布的基片承载装置结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亚伟，张秀川，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：